半导体工艺的监控方法技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺的监控方法，包括以下步骤。将工艺参数设定在第一条件。进行第一工艺，以在所述第一晶圆上形成第一膜层，其中所述第一膜层未覆盖所述第一晶圆的晶边区。以图像获取装置拍摄具有所述第一膜层的所述第一晶圆，以得到第一晶圆图像。对所述第一晶圆图像进行图像识别，以取得第一数据。依据所述第一数据判断所述第一膜层的位置是否偏移。移。移。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺的监控方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体的工艺方法，尤其涉及一种半导体工艺的监控方法。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中一般皆会将晶边区留白。然而，所留下来的膜层的置中性以及留白区域的大小或是均匀与否一直无法有效监控。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种半导体工艺的监控方法，可以有效监控膜层的置中性以及留白区域的大小与均匀度。
[0004]本专利技术提出一种半导体工艺的监控方法，在所述第一晶圆上形成第一膜层，其中所述第一膜层未覆盖所述第一晶圆的晶边区。以图像获取装置拍摄具有所述第一膜层的所述第一晶圆，以得到第一晶圆图像。对所述第一晶圆图像进行图像识别，以取得第一数据。依据所述第一数据判断所述第一膜层的位置是否偏移。
[0005]依据本专利技术实施例，所述图像获取装置包括电荷耦合元件的相机或者是互补式氧金半导体相机。
[0006]依据本专利技术实施例，所述图像获取装置包括电荷耦合元件的相机或者是互补式氧金半导体相机。
[0007]依据本专利技术实施例，所述第一数据包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺的监控方法，其特征在于，包括：将工艺参数设定在第一条件；进行第一工艺，以在第一晶圆上形成第一膜层，其中所述第一膜层未覆盖所述第一晶圆的晶边区；以图像获取装置拍摄具有所述第一膜层的所述第一晶圆，以得到第一晶圆图像；对所述第一晶圆图像进行图像识别，以取得第一数据；以及依据所述第一数据判断所述第一膜层的位置是否偏移。2.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其中所述图像获取装置包括电荷耦合元件的相机或者是互补式氧金半导体相机。3.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，其中所述第一数据包括所述第一膜层的X轴的位置偏移量以及所述第一膜层的Y轴的位置偏移量。4.根据权利要求3所述的半导体工艺的监控方法，还包括将所述第一数据输入静态工艺管制图中。5.根据权利要求1所述的半导体工艺的监控方法，还包括：依据所述第一数据，判断所述第一膜层在所述第一晶圆上的位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建晏，沈政杰，赖忠信，廖振伟，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：