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本发明提供一种半导体工艺的监控方法，包括以下步骤。将工艺参数设定在第一条件。进行第一工艺，以在所述第一晶圆上形成第一膜层，其中所述第一膜层未覆盖所述第一晶圆的晶边区。以图像获取装置拍摄具有所述第一膜层的所述第一晶圆，以得到第一晶圆图像。对所...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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