一种用于陶瓷岩板的烧成装置及陶瓷岩板烧成处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于陶瓷岩板的烧成装置，包括辊道窑，所述辊道窑包括预热区、氧化区、烧成区、冷却区，待烧成的陶瓷岩板坯体经运输机构运输，依次经过所述预热区、氧化区、烧成区和冷却区，即烧成得到陶瓷岩板制品；所述冷却区包括急冷区、第一缓冷区和第二缓冷区；所述第一缓冷区设有加热装置，以使待烧成的陶瓷岩板坯体表面与中心的温度差≤2℃，且使得待烧成的陶瓷岩板坯体在第一缓冷区出口处的温度维持在120～140℃；所述第二缓冷区出口处的所述陶瓷岩板成品的温度为60～80℃。相应的，本发明专利技术还公开了一种陶瓷岩板的烧成处理方法。实施本发明专利技术，可有效降低热应力对于陶瓷岩板制品的影响，提升加工合格率。提升加工合格率。提升加工合格率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于陶瓷岩板的烧成装置及陶瓷岩板烧成处理方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷砖
，尤其涉及一种用于陶瓷岩板的烧成装置及陶瓷岩板烧成处理方法。

技术介绍

[0002]陶瓷岩板是陶瓷大板的一种，其厚度可达到12～20mm，目前常见的规格有800
×
1600mm2、900
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1800mm2、800
×
2600mm2、1200
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2400mm2、1600
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3600mm2等规格，其可应用在地面、幕墙、家具等多个领域。
[0003]然而，现有的陶瓷岩板，其在后期加工过程容易破裂，这已经成为限制陶瓷岩板大规模利用的最主要因素。研究认为，加工破裂主要是由于陶瓷岩板在烧成过程中积累了大量的热应力，在后期深加工前，这种热应力没有得到良好的释放。故在深加工时陶瓷岩板容易破裂。因此，如何减少陶瓷岩板过程中应力的积累，并将积累热应力完整释放消除，是本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种用于陶瓷岩板的烧成装置，其可有效降低热应力对于陶瓷岩板的影响，降低陶瓷岩板的加工破损率。
[0005]本专利技术还要解决的技术问题在于，提供一种陶瓷岩板。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种用于陶瓷岩板的烧成装置，包括辊道窑，所述辊道窑包括预热区、氧化区、烧成区、冷却区，待烧成的陶瓷岩板坯体经运输机构运输，依次经过所述预热区、氧化区、烧成区和冷却区，即烧成得到陶瓷岩板制品；所述冷却区包括急冷区、第一缓冷区和第二缓冷区；
[0007]所述第一缓冷区设有加热装置，以使待烧成的陶瓷岩板坯体表面与中心的温度差≤2℃，且使得待烧成的陶瓷岩板坯体在第一缓冷区出口处的温度为120～140℃；
[0008]所述第二缓冷区出口处的所述陶瓷岩板制品的温度为60～80℃。
[0009]作为上述技术方案的改进，待烧成的陶瓷岩板坯体在所述急冷区的停留时间为40～50min，以使待烧成的陶瓷岩板坯体在所述急冷区的降温速度≤15℃/min。
[0010]作为上述技术方案的改进，待烧成的陶瓷岩板坯体在所述第二缓冷区的停留时间为30～40min，以使待烧成的陶瓷岩板坯体在所述第二缓冷区的降温速度≤1.5℃/min。
[0011]作为上述技术方案的改进，待烧成的陶瓷岩板坯体在所述第一缓冷区的停留时间为20～30min。
[0012]作为上述技术方案的改进，还包括储坯装置，其设于所述辊道窑的后方，所述陶瓷岩板制品在所述储坯装置中停留时间为18～24h。
[0013]作为上述技术方案的改进，所述运输机构为辊棒运输机构。
[0014]作为上述技术方案的改进，所述加热装置为喷枪装置，所述第一缓冷区设有14～20个加热装置，其间距均匀地设置在所述第一缓冷区内。
[0015]作为上述技术方案的改进，所述第二缓冷区的长度：所述第一缓冷区的长度＝(1.5～3)：1。
[0016]作为上述技术方案的改进，所述急冷区的长度：所述第一缓冷区的长度＝1：(4～8)。
[0017]相应的，本专利技术还公开了一种基于上述的用于陶瓷岩板的烧成装置的陶瓷岩板的烧成处理方法，其包括：
[0018](1)提供待烧成的陶瓷岩板坯体；
[0019](2)将待烧成的陶瓷岩板坯体采用运输机构运输，进入辊道窑，依次经过预热区、氧化区、烧成区和冷却区，即烧成得到陶瓷岩板制品；
[0020]其中，冷却区包括急冷区、第一缓冷区和第二缓冷区；所述第一缓冷区设有加热装置，以使待烧成的陶瓷岩板坯体表面与中心的温度差≤2℃，且使得待烧成的陶瓷岩板坯体在第一缓冷区出口处的温度为120～140℃；
[0021]所述第二缓冷区出口处的所述陶瓷岩板制品的温度为60～80℃。
[0022]实施本专利技术，具有如下有益效果：
[0023]本专利技术的用于陶瓷岩板的烧成装置，将冷却区划分为急冷区、第一缓冷区和第二缓冷区，在第一缓冷区内加设加热装置，控制陶瓷岩板坯体表面与中心的温度差≤2℃；并控制第一缓冷区的出口温度为120～140℃，第二缓冷区的出口温度为60～80℃；通过以上控制，有效降低了高温烧成、冷却过程中陶瓷岩板制品内的应力积累，不仅大幅降低了烧成过程中的破损，也可有效降低后期深加工破损率。
附图说明
[0024]图1是本专利技术中用于陶瓷岩板的烧成装置的结构示意图。
具体实施方式
[0025]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本专利技术作进一步地详细描述。
[0026]本专利技术提供一种用于陶瓷岩板的烧成装置，其包括辊道窑1、储坯装置2和运输机构3。其中，辊道窑1依次包括预热区4、氧化区5、烧成区6和冷却区7，待烧成的陶瓷岩板坯体经过运输机构3的运输，依次经过预热区4、氧化区5、烧成区6和冷却区7，即烧成得到陶瓷岩板制品；然后将陶瓷岩板制品在储坯装置中静置预定时间，即得到陶瓷岩板成品。
[0027]其中，冷却区7依次包括急冷区71、第一缓冷区72和第二缓冷区73。
[0028]其中，急冷区71入口端与烧成区6连接，因此陶瓷岩板坯体在急冷区71入口处的温度为烧成温度(1150～1250℃)，经急冷区71冷却后，在急冷区71的出口，陶瓷岩板坯体的温度为700～800℃。在急冷区71，需要引入从外界引入冷却风，而冷却风风口设置在窑炉两侧，因此，往往四周冷却快，中心冷却慢，导致应力积累。为此，在本专利技术中，控制待烧成的陶瓷岩板坯体在所述急冷区的停留时间为40～50min，以使待烧成的陶瓷岩板坯体在所述急冷区的降温速度≤15℃/min，进而使得四周与中心的冷却趋于均匀化，降低应力的积累。优选的，待烧成陶瓷岩板坯体在冷却区停留45分钟。
[0029]其中，第一缓冷区72入口处陶瓷岩板坯体的温度为700～800℃，其出口处的温度
为120～140℃。优选的，控制第一缓冷区72入口陶瓷岩板坯体的温度为700～750℃，出口处的温度为130～135℃。在此阶段，陶瓷岩板坯体内的石英晶型转变，会积累较多的应力。为此，在本专利技术中，一者在第一缓冷区72内设置了加热装置8，使得陶瓷岩板坯体表面与中心(内部)的温度差≤2℃；二者控制了陶瓷岩板坯体在第一缓冷区72的停留时间为20～30min。通过以上两者的综合，可有效降低此阶段的应力积累。
[0030]具体的，本专利技术中，加热装置8为喷枪装置，但不限于此。更具体的，在本专利技术中，第一缓冷区72内设有14～20个加热装置，其间距均匀的设置在第一缓冷区72内。优选的，在第一缓冷区72内共设有16个喷枪装置。
[0031]其中，第二缓冷区73入口处陶瓷岩板坯体的温度为120～140℃，出口处的温度60～80℃；优选的，第二缓冷区73入口处陶瓷岩板坯体的温度为130～135℃，出口处温度为65～70℃。通过此区段的设立，可防止鳞石英转换过程中的应力积累，也可有效释放陶瓷岩板坯体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于陶瓷岩板的烧成装置，包括辊道窑，所述辊道窑包括预热区、氧化区、烧成区、冷却区，待烧成的陶瓷岩板坯体经运输机构运输，依次经过所述预热区、氧化区、烧成区和冷却区，即烧成得到陶瓷岩板制品；其特征在于，所述冷却区包括急冷区、第一缓冷区和第二缓冷区；所述第一缓冷区设有加热装置，以使待烧成的陶瓷岩板坯体表面与中心的温度差≤2℃，且使得待烧成的陶瓷岩板坯体在第一缓冷区出口处的温度为120～140℃；所述第二缓冷区出口处的所述陶瓷岩板制品的温度为60～80℃。2.如权利要求1所述的用于陶瓷岩板的烧成装置，其特征在于，待烧成的陶瓷岩板坯体在所述急冷区的停留时间为40～50min，以使待烧成的陶瓷岩板坯体在所述急冷区的降温速度≤15℃/min。3.如权利要求1所述的用于陶瓷岩板的烧成装置，其特征在于，待烧成的陶瓷岩板坯体在所述第二缓冷区的停留时间为30～40min，以使待烧成的陶瓷岩板坯体在所述第二缓冷区的降温速度≤1.5℃/min。4.如权利要求1所述的用于陶瓷岩板的烧成装置，其特征在于，待烧成的陶瓷岩板坯体在所述第一缓冷区的停留时间为20～30min。5.如权利要求1所述的用于陶瓷岩板的烧成装置，其特征在于，还包括储坯装置，所述陶瓷岩板制...

【专利技术属性】
技术研发人员：关伟华，朱月虎，梅存粮，冯铭开，吴献军，
申请(专利权)人：广东新一派建材有限公司，
类型：发明
国别省市：