发光封装结构及其制造方法技术

一种发光封装结构及其制造方法。发光封装结构包含可透光粘胶层、基板以及至少一发光二极管晶片。可透光粘胶层具有相对的第一表面及第二表面。基板位于可透光粘胶层的第一表面。发光二极管晶片位于可透光粘胶层的第二表面。可透光粘胶层于第二表面上具有第一部分及第二部分，第一部分围绕第二部分，第二部分于基板的垂直投影面积至少完全覆盖发光二极管晶片于基板的垂直投影面积，且第二部分的厚度小于或等于该第一部分的厚度。由于可透光粘胶层不会因发光二极管晶片的设置而产生明显的爬胶，且发光二极管晶片亦不易在设置过程中产生明显的位移，因此可提升发光封装结构的良率。因此可提升发光封装结构的良率。因此可提升发光封装结构的良率。

【技术实现步骤摘要】
发光封装结构及其制造方法


[0001]本揭露是有关于一种发光封装结构及一种发光封装结构的制造方法。

技术介绍

[0002]由于发光二极管(light-emitting diode,LED)具有寿命长、功耗低以及驱动简单等优点，因此广泛应用于照明、背光、发光二极管显示器等。一般来说，发光二极管显示器常采用红、绿、蓝发光二极管晶片做为像素，而像素经排列后可形成全彩的发光二极管显示器。
[0003]然而，此种发光二极管显示器常面临发光不均匀、电控不易、尺寸无法缩减以及制作成本高等问题。因此，如何有效解决上述问题是目前亟需解决的课题。

技术实现思路

[0004]本揭露的一技术态样为一种发光封装结构。
[0005]根据本揭露一实施方式，发光封装结构包含可透光粘胶层、基板以及至少一发光二极管晶片。可透光粘胶层具有相对的第一表面及第二表面。基板位于可透光粘胶层的第一表面。发光二极管晶片位于可透光粘胶层的第二表面。可透光粘胶层于第二表面上具有第一部分及第二部分，第一部分围绕第二部分，第二部分于基板的垂直投影面积至少完全覆盖发光二极管晶片于基板的垂直投影面积，且第二部分的厚度小于或等于该第一部分的厚度。
[0006]在本揭露一实施方式中，第一部分的第二表面与第二部分的第二表面之间具有倾斜面，倾斜面由第二部分的第二表面逐渐远离发光二极管晶片以延伸至第一部分的第二表面。
[0007]在本揭露一实施方式中，第一部分的可透光粘胶层爬胶的高度小于发光二极管晶片的高度的20％。
[0008]在本揭露一实施方式中，发光二极管晶片的数量为多个。
[0009]在本揭露一实施方式中，发光二极管晶片包含红光发光二极管晶片、绿光发光二极管晶片或蓝光发光二极管晶片。
[0010]在本揭露一实施方式中，发光封装结构还包含多个填充粒子，位于可透光粘胶层中。填充粒子用以调整由发光二极管晶片所发出的光线的路径。
[0011]在本揭露一实施方式中，发光二极管晶片发出蓝光，且发光封装结构还包含波长转换物质，位于可透光粘胶层中。波长转换物质吸收部分蓝光而转换为对应波长的色光。
[0012]在本揭露一实施方式中，基板为可透光基板。
[0013]在本揭露一实施方式中，发光封装结构还包含封装层，位于可透光粘胶层的第二表面，且包覆发光二极管晶片。
[0014]本揭露的另一技术态样为一种发光封装结构的制造方法。
[0015]根据本揭露一实施方式，发光封装结构的制造方法包含：形成可透光粘胶材料于
载板上；加热可透光粘胶材料，其中可透光粘胶材料的最大流变耗损因子(tanδ)
max
的值在0.5至2.5之间；将可透光粘胶材料由载板转移至基板上；设置至少一发光二极管晶片至可透光粘胶材料上；以及加热可透光粘胶材料以形成可透光粘胶层，使得发光二极管晶片固定至可透光粘胶层上。
[0016]在本揭露一实施方式中，加热可透光粘胶材料的最大温度范围约是在温度为110℃至150℃之间执行。
[0017]在本揭露一实施方式中，加热可透光粘胶材料以形成可透光粘胶层是在温度为80℃至160℃之间执行。
[0018]在本揭露一实施方式中，将可透光粘胶材料由载板转移至基板上包含：将可透光粘胶材料设置在基板上，使得基板及载板分别位于可透光粘胶材料的相对两表面；加热并加压载板、可透光粘胶材料以及基板；以及利用可透光粘胶材料对基板及载板的粘着力不同，使得可透光粘胶材料脱离载板并粘附至基板上。
[0019]在本揭露一实施方式中，可透光粘胶层具有第一部分及第二部分。第一部分围绕第二部分，第二部分于基板的垂直投影面积至少完全覆盖发光二极管晶片于基板的垂直投影面积，且第二部分的厚度小于或等于第一部分的厚度。
[0020]在本揭露一实施方式中，在形成可透光粘胶材料于载板上后，还包含掺杂多个填充粒子或波长转换物质于可透光粘胶材料中。
[0021]根据本揭露上述实施方式，在发光封装结构的制造过程中，先将可透光粘胶材料加热以形成半固态胶体型态，且由于可透光粘胶材料的最大流变耗损因子(tanδ)
max
的值在0.5至2.5之间，因此可透光粘胶材料可具有适当的流动性。如此一来，可透光粘胶材料不会因发光二极管晶片的设置而产生明显的爬胶，且发光二极管晶片亦不易在设置过程中产生明显的位移，进而有效地将发光二极管晶片透过后续形成的可透光粘胶层固定至基板上，以提升发光封装结构的良率。此外，透过上述制造方法所形成的发光封装结构的可透光粘胶层可具有第一部分及由第一部分围绕的第二部分，其中发光二极管晶片设置在第二部分上，且第二部分的厚度小于或等于该第一部分的厚度。
附图说明
[0022]为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：
[0023]图1绘示根据本揭露一实施方式的发光封装结构的侧视示意图；
[0024]图2绘示根据本揭露另一实施方式的发光封装结构的侧视示意图；
[0025]图3绘示根据本揭露另一实施方式的发光封装结构的侧视示意图；
[0026]图4绘示根据本揭露一实施方式的发光封装结构的制造方法的流程图；
[0027]图5A至图5C绘示图1的可透光粘胶层的材料在不同温度(T)下的储存模数(storage moduli)(G')以及流变耗损因子(tanδ)
─
时间(t)关系图；
[0028]图6至图11绘示根据本揭露一实施方式的发光封装结构的制造方法在各步骤的示意图。
[0029]【符号说明】
[0030]100、100a、100b：发光封装结构
[0031]110：可透光粘胶层
[0032]111：第一表面
[0033]112：第一部分
[0034]113：第二表面
[0035]114：第二部分
[0036]120：基板
[0037]130：发光二极管晶片
[0038]130R：红光发光二极管晶片
[0039]130G：绿光发光二极管晶片
[0040]130B：蓝光发光二极管晶片
[0041]131：侧表面
[0042]140：导电垫
[0043]141：下表面
[0044]150：填充粒子
[0045]160：封装层
[0046]161：下表面
[0047]170：波长转换物质
[0048]180：可透光粘胶材料
[0049]190：载板
[0050]191：表面
[0051]L1～L3：曲线
[0052]T：温度
[0053]G'：储存模数
[0054]tanδ：流变耗损因子
[0055](tanδ)
max
：最大流变耗损因子
[0056]A1～A2：面积
[0057]S10～S50：步骤
[0058本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光封装结构，其特征在于，包含：一可透光粘胶层，具有相对的一第一表面及一第二表面；一基板，位于该可透光粘胶层的该第一表面；以及至少一发光二极管晶片，位于该可透光粘胶层的该第二表面，其中该可透光粘胶层于该第二表面上具有一第一部分及一第二部分，该第一部分围绕该第二部分，该第二部分于该基板的垂直投影面积至少完全覆盖该发光二极管晶片于该基板的垂直投影面积，且该第二部分的厚度小于或等于该第一部分的厚度。2.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，该第一部分的该第二表面与该第二部分的该第二表面之间具有一倾斜面，该倾斜面由该第二部分的该第二表面逐渐远离该发光二极管晶片以延伸至该第一部分的该第二表面。3.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，该第一部分的该可透光粘胶层爬胶的高度小于该发光二极管晶片的高度的20％。4.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，该发光二极管晶片的数量为多个。5.根据权利要求4所述的发光封装结构，其特征在于，每一所述发光二极管晶片包含红光发光二极管晶片、绿光发光二极管晶片或蓝光发光二极管晶片。6.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，还包含多个填充粒子，位于该可透光粘胶层中，其中所述多个填充粒子用以调整由该发光二极管晶片所发出的光线的路径。7.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，该发光二极管晶片发出蓝光，且该发光封装结构还包含一波长转换物质，位于该可透光粘胶层中，该波长转换物质吸收部分蓝光而转换为对应波长的色光。8.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，该基板为一可透光基板。9.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，还包含一封装层，位于该可透光粘胶层的该第二表面，且包覆该发光二极管晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：童鸿钧，陈富鑫，戴文婉，李育群，蔡宗良，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：