【技术实现步骤摘要】
封装焊料TSV插入互连
本文描述的实施例涉及半导体装置、半导体装置组合件以及提供此类半导体装置和半导体装置组合件的方法。
技术介绍
半导体装置组合件包含但不限于存储器芯片、微处理器芯片、成像芯片等，通常包含具有安装在衬底上的管芯的半导体装置。半导体装置可以包含各种功能部件，例如存储器单元、处理器电路和成像装置，以及电连接到这些功能部件的接合焊盘。半导体装置组合件可以包含堆叠在一起并且通过封装内的相邻装置之间的各个互连件彼此电连接的多个半导体装置。可以采用各种方法和/或技术对半导体装置组合件中相邻的半导体装置和/或衬底进行电互连。例如，可以通过回流锡银(SnAg)(也称为焊料)来形成各个互连件，以将柱连接到焊盘。通常，柱可以从半导体装置的底表面向下延伸到形成在另一半导体装置或衬底的顶表面的焊盘。焊球的栅格阵列可用于将半导体装置组合件连接到电路板或其它外部装置。
技术实现思路
根据本公开的实施例，提供了一种将第一半导体装置耦合到第二半导体装置的方法，其包括：用封装剂材料将焊球封装在第一半导体装置的第一...
【技术保护点】
1.一种将第一半导体装置耦合到第二半导体装置的方法，所述方法包括：/n用封装剂材料将焊球封装在所述第一半导体装置的第一衬底的第一表面上；/n去除所述封装剂材料的一部分和所述焊球的一部分以形成配合表面；/n回流所述焊球；以及/n将所述第二半导体装置的暴露导电柱插入到经回流的焊球中。/n
【技术特征摘要】
20191101 US 16/671,5771.一种将第一半导体装置耦合到第二半导体装置的方法，所述方法包括：
用封装剂材料将焊球封装在所述第一半导体装置的第一衬底的第一表面上；
去除所述封装剂材料的一部分和所述焊球的一部分以形成配合表面；
回流所述焊球；以及
将所述第二半导体装置的暴露导电柱插入到经回流的焊球中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电柱从所述第二半导体装置的衬底的第一表面延伸，并且所述方法进一步包括填充所述配合表面与所述第二半导体装置的所述衬底的所述第一表面之间的空隙。
3.根据权利要求2所述的方法，其中填充所述配合表面与所述半导体装置的所述衬底的所述第一表面之间的所述空隙包括将非导电膜材料定位在所述配合表面与所述第二半导体装置的所述衬底的所述第一表面之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其中填充所述配合表面与所述半导体装置的所述衬底的所述第一表面之间的所述空隙包括底部填充所述配合表面与所述第二半导体装置的所述衬底的所述第一表面之间的所述空隙。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使所述第一半导体装置的所述第一衬底的所述第一表面上的电触点与所述导电柱接触。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二半导体装置包括具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底，其中所述导电柱从所述第二半导体装置的所述第一表面延伸，并且其中第三半导体装置连接到所述第二半导体装置的所述第二表面。
7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括从所述第二半导体装置去除材料以暴露所述导电柱的暴露部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述导电柱是硅通孔。
9.根据权利要求1所述的方法，其中去除所述封装剂材料的一部分和所述焊球的一部分包括以下的一或多种方法：使用化学机械平面化、蚀刻和/或烧蚀来研磨所述封装剂和所述焊球。
10.一种制造半导体装置组合件的方法，所述方法包括：
用第一封装剂将焊球封装在第一衬底的第一组触点上；
去除所述第一封装剂的一部分以暴露所述第一组触点上的所述焊球的一部分；
在去除所述第一封装剂的所述部分之后，回流所述第一组触点上的所述焊球；以及
将从第二衬底延伸的第一组暴露的导电柱插入到所述第一组触点上的经回流的焊球中。
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
在第二组触点上形成焊球；
用第二封装剂将所述焊球封装在所述第二组触点上；
去除所述第二封装剂的一部分以暴露所述第二组触点上的所述焊球的至少一个的一部分；
在去除所述第二封装剂的所述部分之后，回流所述第二组触点上的所述焊球；
将从所述第二衬底延伸的第二组暴露的导电柱插入到所述第二组触点上的所述经回流的焊球中。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一组柱在第一方向上从所述第二衬底延伸，并且其中所述第二组柱在与所述第一方向相反的第二方向上从所述第二衬底延伸。
13.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·柯比，O·R·费伊，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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