半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件技术

本发明专利技术公开了一种半导体存储器件的制造方法和半导体存储器件。本发明专利技术中，半导体存储器件的制造方法包括：提供基底以及位于基底上的功能层，功能层内具有至少一个贯穿功能层的第一沟槽；在第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，且第一掺杂多晶硅膜围成第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽内；在第一掺杂多晶硅膜上形成填充满第二沟槽的第二掺杂多晶硅膜；对第二掺杂多晶硅膜以及第一掺杂多晶硅膜进行第一刻蚀处理，去除部分第一掺杂多晶硅膜和部分第二掺杂多晶硅膜剩余第二掺杂多晶硅膜作为第二掺杂多晶硅层，剩余第一掺杂多晶硅膜作为第一掺杂多晶硅层。本发明专利技术能够提高半导体存储器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件。
技术介绍
多晶硅是半导体制造的重要材料，掺杂多晶硅以其优异的导电特性作为导线被广泛应用于半导体存储器件，其中，掺杂多晶硅的掺杂浓度、沟槽尺寸和掺杂多晶硅填洞能力等是影响导电性的重要因素。掺杂多晶硅作为导线时，经常需要填充于沟槽(trench)中，但是现有技术中，在掺杂多晶硅之间通常会形成天然氧化层而影响其导电能力，导致半导体存储器件的性能降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体存储器件及半导体存储器件的制造方法，以提高半导体存储器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种半导体存储器件的制造方法，包括：提供基底以及位于基底上的功能层，功能层内具有至少一个贯穿功能层的第一沟槽；在第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，且第一掺杂多晶硅膜围成第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽内；在第一掺杂多晶硅膜上形成填充满第二沟槽的第二掺杂多晶硅膜；对第二掺杂多晶硅膜以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供基底以及位于所述基底上的功能层，所述功能层内具有至少一个贯穿所述功能层的第一沟槽；/n在所述第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，且所述第一掺杂多晶硅膜围成第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第一沟槽内；/n在所述第一掺杂多晶硅膜上形成填充满所述第二沟槽的第二掺杂多晶硅膜；/n对所述第二掺杂多晶硅膜以及所述第一掺杂多晶硅膜进行第一刻蚀处理，去除部分所述第一掺杂多晶硅膜和部分所述第二掺杂多晶硅膜，剩余所述第二掺杂多晶硅膜作为第二掺杂多晶硅层，剩余所述第一掺杂多晶硅膜作为第一掺杂多晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底以及位于所述基底上的功能层，所述功能层内具有至少一个贯穿所述功能层的第一沟槽；
在所述第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，且所述第一掺杂多晶硅膜围成第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第一沟槽内；
在所述第一掺杂多晶硅膜上形成填充满所述第二沟槽的第二掺杂多晶硅膜；
对所述第二掺杂多晶硅膜以及所述第一掺杂多晶硅膜进行第一刻蚀处理，去除部分所述第一掺杂多晶硅膜和部分所述第二掺杂多晶硅膜，剩余所述第二掺杂多晶硅膜作为第二掺杂多晶硅层，剩余所述第一掺杂多晶硅膜作为第一掺杂多晶硅层。


2.根据权利要求1所述半导体存储器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，包括：
在所述第一沟槽的底部和侧壁形成第一初始掺杂多晶硅膜，且所述第一初始掺杂多晶硅膜围成初始沟槽；对位于所述第一沟槽侧壁上的所述第一初始掺杂多晶硅膜进行第二刻蚀处理，剩余所述第一初始掺杂多晶硅膜作为所述第一掺杂多晶硅膜，所述第二沟槽的开口尺寸大于所述初始沟槽的开口尺寸。


3.根据权利要求2所述半导体存储器件的制造方法，其特征在于，在所述第一沟槽的底部和侧壁形成第一初始掺杂多晶硅膜之后、所述第二刻蚀处理之前，还包括：对位于所述第一沟槽侧壁上的所述第一初始掺杂多晶硅膜进行掺杂处理，用于提高所述第二刻蚀处理对所述第一初始掺杂多晶硅膜的掺杂区域的刻蚀速率。


4.根据权利要求3所半导体存储器件的制造方法，其特征在于，所述掺杂处理的工艺参数包括：所述掺杂处理采用的掺杂离子与所述第一初始掺杂多晶硅膜中的掺杂离子为同族元素。


5.根据权利要求3所述的半导体存储器件的制造方法，其特征在于，在进行所述掺杂处...

【专利技术属性】
技术研发人员：宓筠婕，林宏益，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34