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本发明公开了一种半导体存储器件的制造方法和半导体存储器件。本发明中，半导体存储器件的制造方法包括：提供基底以及位于基底上的功能层，功能层内具有至少一个贯穿功能层的第一沟槽；在第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，且第一掺杂多晶硅膜围成第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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