半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本文公开了一种半导体装置及其制造方法，包括形成穿过层间介电(interlayer dielectric,ILD)层的开口，以露出设置于金属化层中导电部件上方的接触蚀刻停止层(contact etch stop layer,CESL)。使用光敏材料、微影技术及停止于CESL上的干式蚀刻制程来形成开口。一旦露出CESL，便进行CESL穿透制程以将开口延伸穿过CESL并露出导电部件。CESL穿透制程是一种CESL对ILD层具有高选择性的可调性的制程。一旦进行CESL穿透制程，可沉积导电填充材料以填充或过填充开口，然后在形成半导体装置的中间步骤中，将其与ILD层平坦化，以在导电部件上方形成接触插塞。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本申请要求于2019年10月31日提交名称为“半导体装置及制造方法”的美国临时申请No.62/928,671的权益，该申请通过引用合并于此。本公开实施例涉及一种半导体装置，特别是涉及一种具有掺质布植区的半导体装置。
技术介绍
半导体装置用于各式各样的电子应用中，例如个人电脑、手机、数码相机与其他电子设备。半导体装置的制造一般是通过于半导体基板上依序沉积绝缘层或介电层、导电层以及半导体层的材料，并利用微影图案化各种材料层以于其上形成电路组件与元件。半导体工业通过逐步缩减最小部件尺寸来不断增加集成电路(integratedcircuits,ICs)中各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度，允许将多个元件集成于一给定的面积中。然而，随着最小部件尺寸微缩化，额外产生的问题须被解决。
技术实现思路
本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成开口于介电材料中，开口露出在导电部件上方蚀刻停止层的目标区；对目标区进行掺质布植；及进行蚀刻制程，以移除目标区中蚀刻停止层材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n形成一开口于一介电材料中，该开口露出在一导电部件上方一蚀刻停止层的一目标区；/n对该目标区进行一掺质布植；及/n进行一蚀刻制程，以移除该目标区中该蚀刻停止层材料的一部分并露出该导电部件。/n

【技术特征摘要】
20191031 US 62/928,671;20200619 US 16/906,6151.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成一开口于一介电材料中，该开口露出在一导电部件上方一蚀刻停止层的一目标区；
对该目标区进行一掺质布植；及
进行一蚀刻制程，以移除该目标区中该蚀刻停止层材料的一部分并露出该导电部件。


2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该蚀刻停止层包括氧化铝。


3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该掺质布植包括一物理性布植。


4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，该掺质布植植入掺质于该开口的侧壁中。


5.一种半导体装置的制造方法，包括：
沉积一蚀刻停止层于一第一介电层中的一金属化层上方，该蚀刻停止层具有相对于一第一蚀刻剂的一第一蚀刻速率；及
沉积一第二介电层于该蚀刻停止层上方；
形成穿过该第二介电层的一导孔开口，该导孔开口露出该蚀刻停止层；
透过该开口对该蚀刻停止层进行一离子布植，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪于仕，叶柏男，邱钰婷，林群能，陈佳政，陈亮吟，叶明熙，黄国彬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71