具有堆叠到衬底连接的高密度柱互连转换制造技术

本申请涉及具有堆叠到衬底连接的高密度柱互连转换。一种半导体装置组合件可以包含第一半导体装置和中介层。所述中介层可以包含衬底和通孔，其中各个通孔包含暴露部分和嵌入部分，所述暴露部分从所述衬底的第一表面和第二表面中的一者或两者突出，并且所述嵌入部分延伸穿过所述衬底的至少一部分。所述中介层可以包含一或多个测试焊盘、第一电触点和第二电触点。所述半导体装置组合件可以包含控制器，所述控制器位于所述中介层的与所述第一半导体装置相对的一侧上，并且通过与所述第二电触点的连接可操作地耦合到所述中介层。

【技术实现步骤摘要】
具有堆叠到衬底连接的高密度柱互连转换
本文描述的实施例涉及半导体装置、半导体装置组合件以及提供此类半导体装置和半导体装置组合件的方法。
技术介绍
半导体装置组合件包含但不限于存储器芯片、微处理器芯片、成像芯片等，通常包含具有安装在衬底上的管芯的半导体装置。半导体装置可以包含各种功能部件，例如存储器单元、处理器电路和成像装置，以及电连接到这些功能部件的接合焊盘。半导体装置组合件可以包含堆叠在一起并且通过封装内的相邻装置之间的各个互连件彼此电连接的多个半导体装置。可以采用各种方法和/或技术对半导体装置组合件中相邻的半导体装置和/或衬底进行电互连。例如，可以通过回流锡银(SnAg)(也称为焊料)来形成各个互连件，以将柱连接到焊盘。通常，柱可以从半导体装置的底表面向下延伸到形成在另一半导体装置或衬底的顶表面的焊盘。焊球的栅格阵列可用于将半导体装置组合件连接到电路板或其它外部装置。
技术实现思路
本申请的一个方面涉及一种半导体装置组合件，其包括：第一半导体装置，其包括管芯堆叠和从所述管芯堆叠突出的电连接器；中介层，其包括—衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置组合件，其包括：/n第一半导体装置，其包括管芯堆叠和从所述管芯堆叠突出的电连接器；/n中介层，其包括—/n衬底，其具有面向所述第一半导体装置的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n通孔，其中各个通孔包含暴露部分和嵌入部分，所述暴露部分从所述衬底的所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者突出，并且所述嵌入部分延伸穿过所述第一表面与所述第二表面之间的所述衬底的至少一部分；/n位于所述衬底的所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者的一或多个测试焊盘；/n第一电触点，其位于所述衬底的所述第一表面并且通过所述电连接器可操作地耦合到所述第一半导体装置；以及/n位于所述衬底的所述第二...

【技术特征摘要】
20191101 US 16/671,5461.一种半导体装置组合件，其包括：
第一半导体装置，其包括管芯堆叠和从所述管芯堆叠突出的电连接器；
中介层，其包括—
衬底，其具有面向所述第一半导体装置的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
通孔，其中各个通孔包含暴露部分和嵌入部分，所述暴露部分从所述衬底的所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者突出，并且所述嵌入部分延伸穿过所述第一表面与所述第二表面之间的所述衬底的至少一部分；
位于所述衬底的所述第一表面和所述第二表面中的一者或两者的一或多个测试焊盘；
第一电触点，其位于所述衬底的所述第一表面并且通过所述电连接器可操作地耦合到所述第一半导体装置；以及
位于所述衬底的所述第二表面的第二电触点；以及
控制器，其位于所述中介层的与所述第一半导体装置相对的一侧上，并且通过到所述第二电触点的连接可操作地耦合到所述中介层。


2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述通孔在平行于所述中介层的所述衬底的所述第二表面的平面中至少部分地围绕所述控制器。


3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述通孔在垂直于所述衬底的所述第二表面并远离所述第一半导体装置的方向上延伸穿过所述控制器。


4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述控制器是NAND控制器。


5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体装置是存储器堆叠。


6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述一或多个测试焊盘位于所述衬底的所述第一表面并且至少部分地围绕所述管芯堆叠。


7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述一或多个测试焊盘被配置成促进使用与所述半导体装置组合件分离的工具测试所述半导体装置组合件的部分的可操作性。


8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体装置和所述控制器中的一者或两者被封装在封装剂中。


9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述中介层的所述衬底包含一或多个互连件，所述一或多个互连件被配置成将所述通孔可操作地连接到所述第一电触点和所述第二电触点。


10.一种半导体装置组合件，其包括：
管芯的存储器堆叠；
衬底，其包括—
面向所述管芯的存储器堆叠的第一侧；
与所述管芯的存储器堆叠相对的第二侧；
位于所述衬底的所述第一侧的第一组触点；
位于所述衬底的所述第二侧的第二组触点；
位于所述第一侧的第一测试焊盘；
第二测试焊盘，其位于所述衬底的所述第一侧并且在所述管芯的存储器堆叠的与所述第一测试焊盘相对的侧上；
第一暴露通孔，其从所述衬底的所述第二侧突出并且延伸穿过所述第一侧与所述第二侧之间的所述衬底的至少一部分；以及
第二暴露通孔，其从所述衬底的所述第二侧突出并且延伸穿过所述第一侧与所述第二侧之间的所述衬底的至少一部分；以及
控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·R·费伊，K·K·柯比，A·N·辛格，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US