温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及具有堆叠到衬底连接的高密度柱互连转换。一种半导体装置组合件可以包含第一半导体装置和中介层。所述中介层可以包含衬底和通孔，其中各个通孔包含暴露部分和嵌入部分，所述暴露部分从所述衬底的第一表面和第二表面中的一者或两者突出，并且所述嵌入...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。