共模扼流圈制造技术

本发明专利技术提供噪声抑制功能优异的共模扼流圈。共模扼流圈具备：本体，其由多个绝缘层在高度方向上层叠而成；第1线圈和第2线圈，其分别内置于本体；第1外部电极，其设置在本体的表面上，并与第1线圈的一端电连接；第2外部电极，其在本体的表面上，在与高度方向正交的宽度方向上，设置于与第1外部电极对置的位置，与第1线圈的另一端电连接；第3外部电极，其设置在本体的表面上，并与第2线圈的一端电连接；以及第4外部电极，其在本体的表面上，在宽度方向上，设置于与第3外部电极对置的位置，与第2线圈的另一端电连接，在将第1线圈的电感设为L1，将第2线圈的电感设为L2时，在1GHz下，满足100×|L1‑L2|/((L1+L2)/2)≤5这样的关系。

【技术实现步骤摘要】
共模扼流圈
本专利技术涉及共模扼流圈。
技术介绍
作为电路用噪声滤波器的一种，公知有共模扼流圈。例如，专利文献1公开共模扼流圈，上述共模扼流圈具备：由绝缘体构成的主体；由螺旋状的线圈部和与线圈部连接且直线延伸的引出部构成并设置于主体的多个线圈导体；设置于主体的表面的多个外部电极；以及连接引出部与外部电极的多个外部焊盘，在线圈部与引出部连接的接点处，线圈部与引出部所成的角度为钝角。专利文献1：国际公开第2015/029976号在专利文献1记载的共模扼流圈中，为了抑制因由线圈导体产生的磁通量的一部分抵消而引起的电感的降低，在线圈部与引出部连接的接点处，使线圈部与引出部所成的角度为钝角。然而，在这样的共模扼流圈中，两个线圈的路径长度大幅不同，因此存在两个线圈的电感产生较大偏差的担忧。因此，若将这样的共模扼流圈装入电路，则在与各线圈对应的线路之间，信号线与接地部(GND)之间的特性阻抗产生较大偏差，因此存在导致一个线路的信号波形钝化的担忧。换句话说，存在共模扼流圈的噪声抑制功能降低的担忧。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供噪声抑制功能优异的共模扼流圈。本专利技术的共模扼流圈的特征在于，具备：本体，其由多个绝缘层在高度方向上层叠而成；第1线圈和第2线圈，其分别内置于上述本体；第1外部电极，其设置在上述本体的表面上，并与上述第1线圈的一端电连接；第2外部电极，其在上述本体的表面上，在与上述高度方向正交的宽度方向上，设于与上述第1外部电极对置的位置，并与上述第1线圈的另一端电连接；第3外部电极，其设置在上述本体的表面上，并与上述第2线圈的一端电连接；以及第4外部电极，其在上述本体的表面上，在上述宽度方向上，设于与上述第3外部电极对置的位置，并与上述第2线圈的另一端电连接，在将上述第1线圈的电感设为L1，将上述第2线圈的电感设为L2时，在1GHz下，满足100×|L1-L2|/((L1+L2)/2)≤5这样的关系。根据本专利技术，能够提供噪声抑制功能优异的共模扼流圈。附图说明图1是表示本专利技术的共模扼流圈的一个例子的立体示意图。图2是表示图1中的本体的内部构造的一个例子的分解平面示意图。图3是表示与图1中的线段A1-A2对应的部分的截面示意图。图4是表示与图1中的线段B1-B2对应的部分的截面示意图。图5是表示与图1中的线段C1-C2对应的部分的截面示意图。图6是用于对第1线圈和第2线圈的电感的测定方法进行说明的示意图。图7是用于对第1线圈和第2线圈的电感的测定方法进行说明的示意图。图8是表示以往的共模扼流圈的本体的内部构造的分解平面示意图。图9是表示图1中的本体的内部构造的其他的一个例子的分解平面示意图。图10是在实施例1的共模扼流圈中，表示第1线圈和第2线圈的电感的频率特性的坐标图。图11是在比较例1的共模扼流圈中，表示第1线圈和第2线圈的电感的频率特性的坐标图。图12是在实施例1的共模扼流圈中，表示第1线圈和第2线圈的阻抗的频率特性的坐标图。图13是在比较例1的共模扼流圈中，表示第1线圈和第2线圈的阻抗的频率特性的坐标图。附图标记说明1...共模扼流圈；10...本体；10a...第1端面；10b...第2端面；10c...第1侧面；10d...第2侧面；10e...第1主面；10f...第2主面；11a、11b、11c、11d、11e、11f...绝缘层；21...第1外部电极；22...第2外部电极；23...第3外部电极；24...第4外部电极；31...第1线圈；32...第2线圈；41...第1线圈导体；42...第2线圈导体；43...第3线圈导体；44...第4线圈导体；51...第1线路部；52...第2线路部；53...第3线路部；54...第4线路部；61...第1连接盘部；62...第2连接盘部；63...第3连接盘部；64...第4连接盘部；65a、65b、65c、65d...连接盘部；71...第1引出电极；72...第2引出电极；73...第3引出电极；74...第4引出电极；81a、81b、81c、81d、81e、81f...导通孔导体；91a、91b...路径调整部；L...长度方向；T...高度方向；W...宽度方向。具体实施方式以下，对本专利技术的共模扼流圈进行说明。此外，本专利技术不限定于以下的结构，也可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内适当地变更。另外，将以下记载的各个优选的结构多个组合而成的结构也是本专利技术。[共模扼流圈]图1是表示本专利技术的共模扼流圈的一个例子的立体示意图。本说明书中，共模扼流圈的长度方向、宽度方向和高度方向如图1等所示分别成为由箭头L、箭头W和箭头T规定的方向。此处，长度方向L、宽度方向W、高度方向T彼此正交。如图1所示，共模扼流圈1具有本体10、第1外部电极21、第2外部电极22、第3外部电极23、第4外部电极24。另外，图1中虽未示出，但共模扼流圈1如后述那样，还具有分别内置于本体10的第1线圈和第2线圈。本体10例如是图1所示那样的具有6个面的大致长方体状。本体10具有：在长度方向L上相对的第1端面10a和第2端面10b；在宽度方向W上相对的第1侧面10c和第2侧面10d；以及在高度方向T上相对的第1主面10e和第2主面10f。在将共模扼流圈1向基板上安装的情况下，第1主面10e或者第2主面10f成为安装面。本体10优选角部和棱线带有圆角。本体10的角部是本体10的三个面相交的部分。本体10的棱线是本体10的两个面相交的部分。如后述那样，本体10由多个绝缘层在高度方向T上层叠而成。优选构成本体10的绝缘层由玻璃陶瓷材料构成。由此，共模扼流圈1的高频特性提高。优选玻璃陶瓷材料含有至少包括K、B和Si的玻璃材料。优选玻璃材料含有：将K换算为K2O为0.5重量％以上且5重量％以下、将B换算为B2O3为10重量％以上且25重量％以下、将Si换算为SiO2为70重量％以上且85重量％以下、将Al换算为Al2O3为0重量％以上且5重量％以下。除了上述的玻璃材料之外，优选玻璃陶瓷材料还含有作为填料的SiO2(石英)和Al2O3(氧化铝)。在这种情况下，优选玻璃陶瓷材料含有：玻璃材料为60重量％以上且66重量％以下、作为填料的SiO2为34重量％以上且37重量％以下、作为填料的Al2O3为0.5重量％以上且4重量％以下。玻璃陶瓷材料含有SiO2来作为填料，从而共模扼流圈1的高频特性提高。另外，玻璃陶瓷材料含有Al2O3来作为填料，从而本体10的机械强度提高。第1外部电极21设置在本体10的表面上，更具体而言，跨第1侧面10c、第1主面10e和第2主面10f各自局部地延伸。第2外部电极22设置在本体10的表面上，更具体而言，跨第2侧面10d、第1主面10e和第2主面10f各自局部地延伸。另外，在宽度方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种共模扼流圈，其特征在于，具备：/n本体，其由多个绝缘层在高度方向上层叠而成；/n第1线圈和第2线圈，其分别内置于所述本体；/n第1外部电极，其设置在所述本体的表面上，并与所述第1线圈的一端电连接；/n第2外部电极，其在所述本体的表面上，在与所述高度方向正交的宽度方向上，设置于与所述第1外部电极对置的位置，并与所述第1线圈的另一端电连接；/n第3外部电极，其设置在所述本体的表面上，并与所述第2线圈的一端电连接；以及/n第4外部电极，其在所述本体的表面上，在所述宽度方向上，设置于与所述第3外部电极对置的位置，并与所述第2线圈的另一端电连接，/n在将所述第1线圈的电感设为L1，将所述第2线圈的电感设为L2时，在1GHz下，满足100×|L1-L2|/((L1+L2)/2)≤5这样的关系。/n

【技术特征摘要】
20191107 JP 2019-2023521.一种共模扼流圈，其特征在于，具备：
本体，其由多个绝缘层在高度方向上层叠而成；
第1线圈和第2线圈，其分别内置于所述本体；
第1外部电极，其设置在所述本体的表面上，并与所述第1线圈的一端电连接；
第2外部电极，其在所述本体的表面上，在与所述高度方向正交的宽度方向上，设置于与所述第1外部电极对置的位置，并与所述第1线圈的另一端电连接；
第3外部电极，其设置在所述本体的表面上，并与所述第2线圈的一端电连接；以及
第4外部电极，其在所述本体的表面上，在所述宽度方向上，设置于与所述第3外部电极对置的位置，并与所述第2线圈的另一端电连接，
在将所述第1线圈的电感设为L1，将所述第2线圈的电感设为L2时，在1GHz下，满足100×|L1-L2|/((L1+L2)/2)≤5这样的关系。


2.根据权利要求1所述的共模扼流圈，其特征在于，
在100MHz下，满足100×|L1-L2|/((L1+L2)/2)≤3这样的关系。


3.根据权利要求1或2所述的共模扼流圈，其特征在于，
在将所述第1线圈的路径长度设为R1，将所述第2线圈的路径长度设为R2时，在R1≥R2时，满足100×(R1-R2)/R1≤3这样的关系，在R2≥R1时，满足100×(R2-R1)/R2≤3这样的关系。


4.根据权利要求3所述的共模扼流圈，其特征在于，
所述第1线圈是由包括第1线圈导体和第2线圈导体的多个线圈导体连同所述绝缘层一起在所述高度方向上层叠并且电连接而成的，

【专利技术属性】
技术研发人员：松浦耕平，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP