微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法。微发光二极管包括堆叠结构，具有相对的第一表面、第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面；第一电极和第二电极，位于所述堆叠结构的所述第二表面，其中，所述堆叠结构在所述第二表面具有凹陷至所述第一掺杂类型半导体层的沟槽，所述沟槽位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少部分呈曲线状延伸。根据本发明专利技术实施例的微发光二极管，第一电极和第二电极能够在同一工艺中同时形成，提高制作效率。当微发光二极管在后续焊接工艺中第一电极处和/或第二电极处有焊料外溢时，沟槽能够有效防止焊接工艺中焊料外溢造成的第一电极和第二电极之间短路的问题。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的微发光二极管(MicroLightEmittingDiode，Micro-LED)技术具有显著的性能优势，越来越引起人们的广泛关注。Micro-LED可视为微小化的LED，可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势。在Micro-LED的制造工艺过程中，芯片结构设计是提升LED出光效率的关键一环。当前，正装芯片、倒装芯片和垂直芯片是Micro-LED芯片的主流结构形式，其中，正装芯片或倒装芯片中，通常需要设置台阶结构，使得两个电极的高度不同，两者的形成过程需要分两次工艺完成。
技术实现思路
本专利技术提供一种微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法，提高微发光二极管的制作效率。第一方面，本专利技术实施例提供一种微发光二极管，其包括：堆叠结构，具有相对的第一表面、第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧面，堆叠结构包括在自第一表面向第二表面方向上依次堆叠设置的第一掺杂类型半导体层、发光层以及第二掺杂类型半导体层；第一电极和第二电极，位于堆叠结构的第二表面，第一电极与第二电极相互间隔，其中第一电极与第一掺杂类型半导体层电连接，第二电极与第二掺杂类型半导体层电连接，其中，堆叠结构在第二表面具有凹陷至第一掺杂类型半导体层的沟槽，沟槽位于第一电极与第二电极之间，并且至少部分呈曲线状延伸。根据本专利技术实施例的一个方面，侧面的数量为多个并且相继连接为闭环，沟槽贯穿相对的两个侧面。根据本专利技术实施例的一个方面，微发光二极管还包括：绝缘层，绝缘层覆盖堆叠结构的第二表面及沟槽内壁，和/或，绝缘层覆盖堆叠结构的至少部分侧面。根据本专利技术实施例的一个方面，微发光二极管还包括：反射层，覆盖堆叠结构的至少部分侧面。根据本专利技术实施例的一个方面，第一表面为光出射面，反射层还覆盖堆叠结构的至少部分第二表面。根据本专利技术实施例的一个方面，第一表面为光出射面，第一表面的至少部分为粗化处理表面。根据本专利技术实施例的一个方面，堆叠结构还包括：电流扩展层，位于第二掺杂类型半导体层的背离发光层的一侧，第二电极通过电流扩展层与第二掺杂类型半导体层电连接。第二方面，本专利技术实施例提供一种微发光二极管阵列基板，其包括：衬底；以及多个根据上述任一实施方式的微发光二极管，位于衬底上，多个微发光二极管阵列排布。第三方面，本专利技术实施例提供一种微发光二极管阵列基板的制作方法，其包括：在衬底上形成堆叠结构，包括在衬底上依次堆叠形成第一掺杂类型半导体层、发光层以及第二掺杂类型半导体层；图案化堆叠结构，形成凹陷至第一掺杂类型半导体层的沟槽以及凹陷至第一掺杂类型半导体层的过孔，其中沟槽呈曲线状延伸；以及在堆叠结构上形成第一电极和第二电极，其中第一电极和第二电极分别位于沟槽的两侧，第一电极通过过孔与第一掺杂类型半导体层电连接，第二电极与第二掺杂类型半导体层电连接。根据本专利技术实施例的一个方面，在衬底上形成堆叠结构还包括在第二掺杂类型半导体层上形成电流扩展层，在堆叠结构上形成第一电极和第二电极之前，制作方法还包括：形成覆盖堆叠结构的绝缘层和/或反射层；图案化绝缘层和/或反射层，以在述绝缘层和/或反射层上形成位于过孔且暴露第一掺杂类型半导体层的第一开口、暴露第二掺杂类型半导体的第二开口，在堆叠结构上形成第一电极和第二电极包括形成穿过第一开口的第一电极以及穿过第二开口的第二电极。根据本专利技术实施例的微发光二极管及微发光二极管阵列基板，第一电极和第二电极均位于堆叠结构的第二表面，使得两者基本位于同一高度，能够在同一工艺中同时形成，简化工艺流程，提高微发光二极管及微发光二极管阵列基板的制作效率。本专利技术实施例的微发光二极管与具有高低台面结构的微发光二极管相比，平均厚度更大，从而结构强度更高，在后续剥离工艺等工艺制程中，能够更加完整地保留自身结构，不易破碎，提高了微发光二极管的质量和良率。堆叠结构在第二表面具有凹陷至第一掺杂类型半导体层的沟槽，沟槽位于第一电极与第二电极之间。当微发光二极管在后续焊接工艺中第一电极处和/或第二电极处有焊料外溢时，沟槽能够容纳吸收掉外溢的焊料，从而有效防止焊接工艺中焊料外溢造成的第一电极和第二电极之间短路的问题。此外，沟槽的至少部分呈曲线状延伸，能够进一步降低堆叠结构在沟槽处发生断裂的风险，提高微发光二极管的制造和良率。在一些可选的实施例中，微发光二极管还包括绝缘层，绝缘层还覆盖堆叠结构的至少部分侧面，从而能够进一步防止堆叠结构的侧壁漏电。在一些可选的实施例中，微发光二极管反射层，反射层覆盖堆叠结构的至少部分侧面，从而能够进一步防止堆叠结构的侧壁漏光，提高微发光二极管的出光率。在一些可选的实施例中，第一表面为光出射面，反射层还覆盖堆叠结构的至少部分第二表面；在一些可选的实施例中，第一表面为光出射面，第一表面的至少部分为粗化处理表面，从而进一步提高微发光二极管的出光率。附图说明通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。图1示出根据本专利技术实施例的微发光二极管的俯视图；图2示出图1中A-A向的剖面图；图3示出根据本专利技术实施例的微发光二极管阵列基板的俯视图；图4示出图3中B区域的局部放大图；图5示出图4中C-C向的剖面图；图6a至图6e示出根据本专利技术实施例的微发光二极管阵列基板的制作方法的各阶段的剖面图。图中：1000-微发光二极管阵列基板；100-微发光二极管；110-堆叠结构；S1-第一表面；S2-第二表面；S3-侧面；110t-沟槽；110h-过孔；111-第一掺杂类型半导体层；112-发光层；113-第二掺杂类型半导体层；114-电流扩展层；120-第一电极；130-第二电极；140-绝缘层；150-反射层；K1-第一开口；K2-第二开口；200-衬底。具体实施方式下面将详细描述本专利技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本专利技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本专利技术，并不被配置为限定本专利技术。对于本领域技术人员来说，本专利技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本专利技术的示例来提供对本专利技术更好的理解。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：/n堆叠结构，具有相对的第一表面、第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面，所述堆叠结构包括在自所述第一表面向所述第二表面方向上依次堆叠设置的第一掺杂类型半导体层、发光层以及第二掺杂类型半导体层；/n第一电极和第二电极，位于所述堆叠结构的所述第二表面，所述第一电极与所述第二电极相互间隔，其中所述第一电极与所述第一掺杂类型半导体层电连接，所述第二电极与所述第二掺杂类型半导体层电连接，/n其中，所述堆叠结构在所述第二表面具有凹陷至所述第一掺杂类型半导体层的沟槽，所述沟槽位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少部分呈曲线状延伸。/n

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管，其特征在于，包括：
堆叠结构，具有相对的第一表面、第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面，所述堆叠结构包括在自所述第一表面向所述第二表面方向上依次堆叠设置的第一掺杂类型半导体层、发光层以及第二掺杂类型半导体层；
第一电极和第二电极，位于所述堆叠结构的所述第二表面，所述第一电极与所述第二电极相互间隔，其中所述第一电极与所述第一掺杂类型半导体层电连接，所述第二电极与所述第二掺杂类型半导体层电连接，
其中，所述堆叠结构在所述第二表面具有凹陷至所述第一掺杂类型半导体层的沟槽，所述沟槽位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少部分呈曲线状延伸。


2.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述侧面的数量为多个并且相继连接为闭环，所述沟槽贯穿相对的两个所述侧面。


3.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：
绝缘层，所述绝缘层覆盖所述堆叠结构的第二表面及所述沟槽内壁，和/或，所述绝缘层覆盖所述堆叠结构的至少部分侧面。


4.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，还包括：
反射层，覆盖所述堆叠结构的至少部分侧面。


5.根据权利要求4所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一表面为光出射面，所述反射层还覆盖所述堆叠结构的至少部分第二表面。


6.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述第一表面为光出射面，所述第一表面的至少部分为粗化处理表面。


7.根据权利要求1所述的微发光二极管，其特征在于，所述堆叠结构还包括：
电流扩展...

【专利技术属性】
技术研发人员：田文亚，盛翠翠，郭恩卿，赵改娜，刘一帆，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51