倒装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种倒装LED芯片，在LED芯片本体的顶表面覆盖一层绝缘保护层，在封装时，顶针顶到的是绝缘保护层，由于绝缘保护层的机械性能优良、抗张强度高，不会被顶针顶伤，在固晶时能够有效的减缓顶针的冲击力，保护倒装LED芯片的功能层，提高倒装LED芯片的可靠性和稳定性。电极引出端位于绝缘保护层上，形成绝缘保护层之后再制备电极引出端可简化制备工艺；由于绝缘保护层覆盖在所述LED芯片本体的表面，可以对LED芯片本体的表面起到保护作用，防止LED芯片本体的表面被外界损伤。

【技术实现步骤摘要】
倒装LED芯片
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种倒装LED芯片。
技术介绍
倒装芯片封装技术就是直接将芯片翻转，电极朝下，利用凸点将电极互联到基板、载体或电路板上，整个结构又被称为倒装芯片(Flipchip)。由于倒装芯片具有优越的电学及热学性能、高I/O引脚数、封装尺寸小及结构稳定等优点，在如今的市场上，倒装芯片的普及范围越来越广。现有倒装芯片在固晶之前是以阵列式排列于蓝膜上，固晶过程中需要通过吸嘴将倒装芯片移动到固晶机上，由于蓝膜的粘附力，即使是扩膜后的倒装芯片，吸嘴仍然无法将倒装芯片吸起，所以需要利用顶针将倒装芯片顶起，以便于脱模。但是传统的顶针由钨钢制造，锋利且硬度高的钨钢顶针容易顶伤倒装芯片的功能层，对芯片性能造成影响，如果顶针力度过大，还会导致芯片漏电甚至失效。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种倒装LED芯片，以解决倒装LED芯片在封装过程中的顶伤问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种倒装LED芯片，包括：LED芯片本体，包括第一层N电极及第一层P电极；<br>绝缘保护层，位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：/nLED芯片本体，包括第一层N电极及第一层P电极；/n绝缘保护层，位于所述LED芯片本体上并覆盖所述LED芯片本体的表面；以及，/n两个电极引出端，位于所述绝缘保护层上并分别与所述第一层N电极及所述第一层P电极电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
LED芯片本体，包括第一层N电极及第一层P电极；
绝缘保护层，位于所述LED芯片本体上并覆盖所述LED芯片本体的表面；以及，
两个电极引出端，位于所述绝缘保护层上并分别与所述第一层N电极及所述第一层P电极电性连接。


2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层的厚度为1μm～10μm。


3.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层包括聚酰亚胺层。


4.如权利要求1或3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘保护层包括硅胶层和/或环氧树脂层。


5.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述LED芯片本体还包括：
衬底；
外延层，包括依次设置于所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层；
凹槽，位于所述外延层中，并从所述第二半导体层的顶表面延伸至所述第一半导体层中；以及，
绝缘反射层，填充所述凹槽并延伸覆盖所述第二半导体层。


6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵进超，吴珊，马新刚，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35