【技术实现步骤摘要】
一种具有凸点焊盘的LED芯片设计方法
本专利技术属于半导体反光二极管
,涉及一种具有凸点焊盘的LED芯片设计方法。
技术介绍
随着LED高端市场的崛起,背光产品,MiniLED等已成为主流,如何将芯片贴片到相应的各类基板上并具有较好的成品率及返工作业能力,已成为应用端的重要开发需求之一,若使用较为常见的锡膏固晶,固晶量的多少以及芯片的大小对于工艺成品率的影响十分巨大,使用AuSn焊盘工艺价格又较为昂贵且不具备返修能力,因此焊盘的设计变得十分重要。解决的技术问题:焊盘设计采用凸点设计且具有好的粘性和导电性,芯片可直接贴片用到各类基板上,避免常规工艺锡膏的影响,良品率优于锡膏固晶工,且具有较好的基板芯片返工作业。本专利技术设计的LED芯片可直接贴片在基板上,芯片端制作具有凸点和有粘性导电性的焊盘,且有较好的良率和返修能力,解决应用端的低良率,难返修的难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过倒装芯片制作具有高粘合性导电性的凸点焊盘,可以使芯片直接应用于各类基板上使用,避免常规 ...
【技术保护点】
1.一种具有凸点焊盘的LED芯片设计方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1、提供一衬底,依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层,形成LED晶圆;/nS2、使用光刻胶形成MESA图层,以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀,形成N型半导体台面并去除光刻胶;/nS3、在LED晶圆上沉积电流阻挡层CBL,使用光刻胶进行CBL光刻,在光刻胶层上形成CBL图层;对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀,形成与CBL图层相对应的电流阻挡层,并去除光刻胶;/nS4、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层,使用光刻胶进行ITO光刻,形成所需ITO图层,以ITO图层为掩模对ITO透明 ...
【技术特征摘要】
1.一种具有凸点焊盘的LED芯片设计方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供一衬底,依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层,形成LED晶圆;
S2、使用光刻胶形成MESA图层,以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀,形成N型半导体台面并去除光刻胶;
S3、在LED晶圆上沉积电流阻挡层CBL,使用光刻胶进行CBL光刻,在光刻胶层上形成CBL图层;对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀,形成与CBL图层相对应的电流阻挡层,并去除光刻胶;
S4、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层,使用光刻胶进行ITO光刻,形成所需ITO图层,以ITO图层为掩模对ITO透明导电层进行ITO刻蚀,去除光刻胶漏出底层ITO透明导电层;
S5、制作隔离槽,使用光刻胶进行Isolation光刻,在光刻胶上形成Isolation图层,以Isolation图层为掩模进行ICP刻蚀,刻蚀到衬底上形成隔离槽并去除光刻胶;
S6、使用光刻胶先进行光刻,沉积制...
【专利技术属性】
技术研发人员:王思博,廖汉忠,
申请(专利权)人:淮安澳洋顺昌光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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