一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体发光二极管技术领域，涉及一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法。本发明专利技术采用锡焊盘工艺制作的MiniLED芯片，可以制作10um以上的锡厚度焊盘，优于蒸镀作业厚度。可以使芯片直接应用于各类基板上使用，达到较好的成品率和返修能力。

【技术实现步骤摘要】
一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法
本专利技术属于半导体发光二极管
，涉及一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法。
技术介绍
直下式背光的产品已开始成为主流，将MiniLED芯片贴片到相应的各类基板上并具有较好的成品率及返工作业能力，已成为MiniLED应用的重要开发需求之一，若使用较为常见的锡膏固晶工艺成品率较低，使用AuSn焊盘工艺价格昂贵且不具备返修能力，因此对于锡焊盘的工艺制备尤为重要。MiniLED芯片可直接贴片在基板上，制作所需的锡厚度进行固晶，且有较好的良率和返修能力，解决应用端的低良率难题。
技术实现思路
采用锡焊盘工艺制作的MiniLED芯片，可以制作10um以上的锡厚度焊盘，优于蒸镀作业厚度。芯片可直接应用到各类基板上，良品率优于锡膏固晶工，且具有较好的基板芯片返工作业。本专利技术的目的在于通过倒装MiniLED芯片制作锡焊盘，可以使芯片直接应用于各类基板上使用，达到较好的成品率和返修能力。本专利技术的技术方案：一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法，包括以下步骤：S1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆；/nS2、使用光刻胶形成MESA图层，以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀，形成N型半导体台面并去除光刻胶；/nS3、在LED晶圆上沉积电流阻挡层CBL，使用光刻胶进行CBL光刻，在光刻胶层上形成CBL图层；对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀，形成与CBL图层相对应的电流阻挡层，并去除光刻胶；/nS4、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层，使用光刻胶进行ITO光刻，形成所需ITO图层，以ITO图层为掩模对ITO透明导电层进行ITO刻蚀...

【技术特征摘要】
1.一种具有锡焊盘的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一衬底，依次在衬底上制作N型半导体层、发光层和P型半导体层，形成LED晶圆；
S2、使用光刻胶形成MESA图层，以MESA图层为掩模对LED晶圆进行ICP刻蚀，形成N型半导体台面并去除光刻胶；
S3、在LED晶圆上沉积电流阻挡层CBL，使用光刻胶进行CBL光刻，在光刻胶层上形成CBL图层；对CBL图层进行电流阻挡层刻蚀，形成与CBL图层相对应的电流阻挡层，并去除光刻胶；
S4、在LED晶圆上沉积ITO透明导电层，使用光刻胶进行ITO光刻，形成所需ITO图层，以ITO图层为掩模对ITO透明导电层进行ITO刻蚀，去除光刻胶漏出底层ITO透明导电层；
S5、制作隔离槽，使用光刻胶进行Isolation光刻，在光刻胶上形成Isolation图层，以Isolation图层为掩模进行ICP刻蚀，刻蚀到衬底上形成隔离槽并去除光刻胶；
S6、使用光刻胶先进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：王思博，廖汉忠，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32