半导体装置制造方法及图纸

本公开提供一种半导体装置，其包括第一导电结构、第一介电结构、第二导电结构、蚀刻停止层、第一间隔物结构及第二介电结构。第一介电结构位在第一导电结构的第一表面和第二导电结构的表面之间。蚀刻停止层覆盖第一导电结构。第一间隔物结构覆盖第一介电结构。第二介电结构覆盖第一间隔物结构和蚀刻停止层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开涉及一种半导体装置尤其涉及帮助控制导电结构相对于下方的导电结构的对准的半导体装置。
技术介绍
半导体装置包括导电结构(例如通孔和金属线)，其将半导体装置的部件(例如半导体装置的晶体管、电容等)连接在一起。由于工艺中的不精确性，例如覆盖偏移(overlayshift)，两个导电结构可能未对准，使得第一导电结构无法完全接触第二导电结构。未对准会导致导电结构与邻近的导电结构过于接近，从而导致漏电流。此外，未对准可能导致增加的电阻引入半导体装置中。结果，未对准会降低半导体装置的良率和可靠度。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种半导体装置，以解决上述至少一个问题。本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括第一导电结构、第一介电结构、第二导电结构、蚀刻停止层、第一间隔物结构、第二介电结构。第一介电结构在第一导电结构的第一表面和第二导电结构的表面之间。蚀刻停止层覆盖第一导电结构。第一间隔物结构覆盖第一介电结构。第二介电结构覆盖第一间隔物结构和蚀刻停止层。本公开提供一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一第一导电结构；/n一第一介电结构；/n一第二导电结构，其中上述第一介电结构在上述第一导电结构的一第一表面和上述第二导电结构的一表面之间；/n一蚀刻停止层，覆盖上述第一导电结构；/n一第一间隔物结构，覆盖上述第一介电结构；以及/n一第二介电结构，覆盖上述第一间隔物结构和上述蚀刻停止层。/n

【技术特征摘要】
20191031 US 16/669,9171.一种半导体装置，包括：
一第一导电结构；
一第一介电结构；
一第二导电结构，其中上述第一介电结构在上述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何柏宽，陈欣苹，吴佳典，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71