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本公开提供一种半导体装置，其包括第一导电结构、第一介电结构、第二导电结构、蚀刻停止层、第一间隔物结构及第二介电结构。第一介电结构位在第一导电结构的第一表面和第二导电结构的表面之间。蚀刻停止层覆盖第一导电结构。第一间隔物结构覆盖第一介电结构。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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