光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质技术方案

本发明专利技术的实施例提供了一种光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质，涉及半导体技术领域。光刻胶的轮廓三维建模方法包括：多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；将光刻胶轮廓重叠在一起，形成复数轮廓；获取复数轮廓的白边宽度和差异量；根据白边宽度和差异量，建立光刻胶三维模型。这样，可以从复数轮廓的灰阶图像中获取白边宽度和差异量，根据白边宽度和差异量，即可得出光刻胶侧墙的三维尺寸信息，从而建立光刻胶三维模型，不需要再单独调整系统参数来收集光刻胶侧墙的三维尺寸信息，能够显著提高建模效率和精度。而且，建立的光刻胶三维模型能够用于预测其它图型中光刻胶的三维尺寸。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质。
技术介绍
光刻胶建模的主要目的在于：收集现有图型的二维光刻胶数据，之后对二维光刻胶数据进行光学与化学模型的参数拟合，形成光学化学复合模型，通过光学化学复合模型可以预测光刻胶在其它图型中的二维尺寸。传统的光刻胶建模多是先利用CDSEM(全称：CriticalDimensionScanningElectronicMicroscope，中文名：电子显微镜)机台收集量尺资料(gaugedata)，再根据量尺资料生产二维的预测模型，这种光刻胶建模的方式称为量尺建模。少数先进的大厂开始评估轮廓数据(contourdata)在建模上的可行性，则尝试利用CDSEM机台收集轮廓数据，一般使用的方式是在不同点位收集类似图形的轮廓数据，之后将轮廓数据平均化，形成平均化的轮廓，这种光刻胶建模的方式称为轮廓建模，轮廓建模比传统的量尺建模拥有更多的图型尺寸信息。可见，轮廓建模是光刻胶建模中一项新颖的技术，也是传统的量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶的轮廓三维建模方法，其特征在于，所述光刻胶的轮廓三维建模方法包括：/n多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；/n将所述光刻胶轮廓重叠在一起，形成复数轮廓；/n获取所述复数轮廓的白边宽度和差异量；/n根据所述白边宽度和所述差异量，建立光刻胶三维模型。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶的轮廓三维建模方法，其特征在于，所述光刻胶的轮廓三维建模方法包括：
多次收集规律图型在多个位置的光刻胶轮廓；
将所述光刻胶轮廓重叠在一起，形成复数轮廓；
获取所述复数轮廓的白边宽度和差异量；
根据所述白边宽度和所述差异量，建立光刻胶三维模型。


2.根据权利要求1所述的光刻胶的轮廓三维建模方法，其特征在于，所述根据所述白边宽度和所述差异量，建立光刻胶三维模型包括：
根据所述差异量，获取光刻胶的侧墙角度；
根据所述白边宽度和所述侧墙角度，获取光刻胶的侧墙高度；
根据所述侧墙高度，建立所述光刻胶三维模型。


3.根据权利要求2所述的光刻胶的轮廓三维建模方法，其特征在于，所述差异量的大小与所述侧墙角度的大小成正比。


4.根据权利要求2所述的光刻胶的轮廓三维建模方法，其特征在于，所述侧墙高度的计算公式为：
H＝L*(tanβ)
式中，H为侧墙高度，L为白边宽度，β为侧墙角度。


5.根据权利要求1所述的光刻胶的轮廓三维建模方法，其特征在于，所述规律图型包括代表电路层的矩形区域，所述电路层中设置有光刻胶，所述矩形区域的长度范围为：50nm～2000nm。


6.一种光刻胶的轮廓三维建模系统，其特征在于，所述光刻胶的轮廓三...

【专利技术属性】
技术研发人员：周育润，柯思羽，陈冠廷，张凯翔，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37