一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器制造技术

本发明专利技术提供了一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器，制造工艺包括：衬底片上已完成磁存储器底部金属导线制作及表面平坦化；依次沉积第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；光刻通孔图案；通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层，停在所述第三电介质层，或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层，停在所述第二电介质层，以形成第一孔槽；沉积第六电介质层，填充所述第一孔槽；全片刻蚀，以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙；继续刻蚀剩余的电介质层，形成通孔；通过所述通孔将后续制作的MTJ结构与所述金属导线电连接。

【技术实现步骤摘要】
一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器
本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器。
技术介绍
近年来人们利用磁性隧道结(MTJ，MagneticTunnelJunction)的磁电阻效应做成磁性随机存储器，即为MRAM(MagneticRandomAccessMemory)。MRAM被人们认为是未来的固态非易失性记忆体，它具有高速读写、大容量以及低能耗的特点。铁磁性MTJ通常为三明治结构，其中有磁性记忆层，它可以改变磁化方向以记录不同的数据；位于中间的绝缘的隧道势垒层；磁性参考层，位于隧道势垒层的另一侧，它的磁化方向是不变的。当磁性记忆层与磁性参考层之间的磁化强度矢量方向平行或反平行时，MTJ元件的电阻态也相应分别为低阻态或高阻态。这样测量MTJ元件的电阻态即可得到存储的信息。目前流行的MRAM制造工艺中，考虑到MRAM工艺的复杂性以及较差的CMOS工艺兼容性，磁性隧道结通常被放在后面的金属层间，故MRAM的底电极通常座落在外形尺寸较大Cu线上，或者为覆盖了Ta、TaN的Cu线上。目前常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁存储器底电极的制造工艺，其特征在于，包括：/n衬底片上已完成磁存储器底部金属导线制作及表面平坦化；/n依次沉积第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；/n光刻通孔图案；/n通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层，停在所述第三电介质层，或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层，停在所述第二电介质层，以形成第一孔槽；/n沉积第六电介质层，填充所述第一孔槽；/n全片刻蚀，以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙；/n继续刻蚀剩余的电介质层，形成通孔；/n通过所述通孔将后续制作的MTJ结构与所述金属导线电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁存储器底电极的制造工艺，其特征在于，包括：
衬底片上已完成磁存储器底部金属导线制作及表面平坦化；
依次沉积第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；
光刻通孔图案；
通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层，停在所述第三电介质层，或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层，停在所述第二电介质层，以形成第一孔槽；
沉积第六电介质层，填充所述第一孔槽；
全片刻蚀，以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙；
继续刻蚀剩余的电介质层，形成通孔；
通过所述通孔将后续制作的MTJ结构与所述金属导线电连接。


2.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，在所述通孔形成后，沉积金属并进行抛光，形成所述通孔内的金属栓塞。


3.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，所述沉积金属后的抛光，抛光面及至所述第五电介质层或所述第四电介质层。


4.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，所述沉积金属后的抛光，抛光面及至所述第三电介质层或所述第二电介质层。


5.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，在所述金属栓塞形成后，沉积Ta或TaN。


6.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，各电介质层为氧化物电介质薄膜或氮化物电介质薄膜。


7.如权利要求6所述的制造工艺，其特征在于，所述第一电介质层、所述第三电介质层、所述第五电介质层和所述第六电介质层为氮化物电介质薄膜；所述第二电介质层和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴关平，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31