磁性斯格明子写入装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种磁性斯格明子写入装置，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易轴，进而降低薄膜中磁性斯格明子的成核的能量阈值。

【技术实现步骤摘要】
磁性斯格明子写入装置
本技术涉及磁性斯格明子赛道存储器，特别是涉及一种磁性斯格明子写入装置。
技术介绍
磁性斯格明子是一种新型的自旋电子材料，其内部磁矩方向不断旋转，在分布上正好填满了全空间一次，因此具有拓扑数为1/-1，是一种拓扑磁结构，同时具有孤子的性质，在运动中可以保留其磁结构。磁性斯格明子可以看作一个基本单元存储信息，其存在与否可以分别作为信息的“1”和“0”。磁性斯格明子可以通过电流来驱动其运动，与赛道存储器中电流驱动畴壁运动相比，驱动斯格明子的临界电流要比前者小5-6个数量级，这大大降低了能耗，因此可以用磁性格明子替代畴壁作为存储单元，来制备斯格明子赛道存储器。从而实现低功耗、高密度的磁性存储介质。除了以超紧凑介质方式存储数据，斯格明子还能结合存储处理能力使计算机运行速度更快，并使硬盘的体积缩小，同时具备桌面计算机的运算能力。通常产生磁性斯格明子的方法利用的是自旋极化电流，但较高的电流密度意味着需要消耗较高的能量，同时发热对器件的稳定性也有一定的影响。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能降低磁性薄膜中磁性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性斯格明子写入装置，其特征在于，包括：/n磁性薄膜；/n写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；/n应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁性斯格明子写入装置，其特征在于，包括：
磁性薄膜；
写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；
应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。


2.根据权利要求1所述的磁性斯格明子写入装置，其特征在于，所述应力提供装置包括硬质结构，所述硬质结构包括弧面，所述磁性薄膜设于所述弧面上从而随所述弧面弯曲。


3.根据权利要求2所述的磁性斯格明子写入装置，其特征在于，还包括柔性衬底，所述柔性衬底设于所述磁性薄膜与所述硬质结构之间，所述柔性衬底和所述磁性薄膜随所述弧面弯曲。


4.根据权利要求2所述的磁性斯格明子写入装置，其特征在于，不导磁材质的所述硬质结构上还形成有导磁材质的导磁部，所述磁性薄膜设于所述硬质结构上形成有导磁部的区域。


5.根据权利要求3所述的磁性斯格明子写入装置，其特征在于，所述磁性薄膜的顶面具有与...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯志鹏，卫智健，徐姣，王亚栋，张溪超，周艳，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：新型
国别省市：广东;44