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本实用新型涉及一种磁性斯格明子写入装置，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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