一种设置有倒装主控芯片的eMCP芯片的堆叠结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种设置有倒装主控芯片的eMCP芯片的堆叠结构，该结构在基板上设置有DRAM芯片，DRAM芯片上设置有3D NAND芯片，DRAM芯片和3D NAND芯片为垂直设置，通过该结构的设置，使得两个芯片之间能够节省中间假片，以增加芯片堆叠层数，进而增大容量。进而增大容量。进而增大容量。

【技术实现步骤摘要】
NAND芯片和DRAM芯片相互垂直设置，使得整体的结构减小，能够堆叠更多的3D NAND芯片。
【附图说明】
[0020]图1为本技术的正面图；
[0021]图2为本技术的侧视图；
[0022]其中：1为倒装主控芯片；2为第一导电线；3为DRAM芯片；4为第一层3D NAND芯片；5为基板；6为第二导电线；7
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第二层3D NAND芯片。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图对本技术做进一步详细描述：
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0025]本技术公开了一种设置有倒装主控芯片的eMCP芯片的堆叠结构，该结构解决了现有技术中堆叠结构占用的整体封装结构体积较大的技术问题。本技术或的目的是提供一种交错的堆叠结构，解决了eMCP产品结构中空间越来越小，芯片越来越薄，容量要求越来越高的难题。
[0026]参见图1和图2，本技术公开了一种eMCP芯片的交错堆叠结构，该结构包括基板5，基板5上设置有DRAM芯片3和倒装主控芯片1，DRAM芯片3和倒装主控芯片1相邻设置，DRAM芯片3直接粘结在基板5上，倒装主控芯片1通过第二导电线6和基板5电连接。DRAM芯片3上设置有第一层3D NAND芯片4，第一层3D NAND芯片4的长度方向和DRAM芯片3的长度方向相互垂直。第一层3D NAND芯片4在倒装主控芯片1的上方，第一层3D NAND芯片4通过第一导电线2和基板5电连接。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，DRAM芯片3即动态随机存取存储器。
[0027]第二导电线6的最高处和基板5之间的距离≤DRAM芯片3的厚度，使得倒装主控芯片能够放置在3D NAND芯片的下方，能够节省空间。
[0028]在第一层3D NAND芯片4的上部依次堆叠有第二层3D NAND芯片7、第3层3D NAND芯片、第4层..第N层，具体的设置数量能够根据封装结构和芯片需求进行设定，通过将倒装主控芯片1设置在第一层3D NAND芯片4的下部，整体节约了结构，使得能够增加向上堆叠的3D NAND芯片的数量。
[0029]从第一层3D NAND芯片4再向上堆叠3D NAND芯片7为错位的堆叠方式，即第二层3D NAND芯片2的一端相对于第一层3D NAND芯片4的同一端向一侧移动了一定的距离，依次向
上放置3D NAND芯片，每一层的3D NAND芯片相对于下一层的3D NAND芯片均向同一侧移动。该方式使得3D NAND直接堆叠，能够堆叠更多层，增大产品容量。每一个3D NAND芯片均通过导电线和基板5电连接。
[0030]本技术所有涉及到的导电线，包括第一导电线2、第二导电线6和其他导电线均为金线。
[0031]该结构相对于现有的堆叠结构，减少了因为DRAM芯片3和第一层3D NAND芯片7为平行设置而需要加假片的情况，能够防止压住导电线。
[0032]上述堆叠结构的制备方法，包括以下步骤：
[0033]步骤1，在基板5上粘结DRAM芯片3，将若干个锡球6粘结在基板5上，锡球6在DRAM芯片3旁侧；
[0034]步骤2，锡球6上共同粘结一个倒装主控芯片1。
[0035]步骤3，在DRAM芯片3上粘结第一层3D NAND芯片4，第一层3D NAND芯片4和DRAM芯片3相互垂直；第一层3D NAND芯片4在倒装主控芯片1的上方。
[0036]步骤4，在第一层3D NAND芯片4上依次堆叠上层的3D NAND芯片4。
[0037]以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设置有倒装主控芯片的eMCP芯片的堆叠结构，其特征在于，包括基板(5)，基板(5)上设置DRAM芯片(3)，所述DRAM芯片(3)上设置有第一层3D NAND芯片(4)，DRAM芯片(3)旁设置有倒装主控芯片(1)，倒装主控芯片(1)在第一层3D NAND芯片(4)的下方；倒装主控芯片(1)通过第二导电线(6)和基板(5)电连接。2.根据权利要求1所述的一种设置有倒装主控芯片的eMCP芯片的堆叠结构，其特征在于，所述第一层3D NAND芯片(4)的长度方向和DRAM芯片(3)的长度方向相互垂直。3.根据权利要求1所述的一种设置有倒装主控芯片的eMCP芯片的堆叠结构，其特征在于，第二导电线(6)的最高点和基板(5)之间的距离小于等于DRAM芯片(3)的高度。4.根据权利要求1所述的一种设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：新型
国别省市：