用于多芯片封装的设备制造技术

本公开涉及一种用于多芯片封装的设备，包括第一集成电路和第二集成电路。第一集成电路包括具有第一导电层的第一侧、具有第二导电层的第二侧、以及边缘，第一导电层在与边缘相邻的位置处耦合到第二导电层。第二集成电路耦合到第一集成电路的第二导电层。根据本公开的用于多芯片封装的设备，在主IC的总体裸片面积最小增加的情况下，将一个或多个次集成电路或裸片耦合到较大的主IC或裸片上，同时维持与当前前端半导体过程的兼容性。前端半导体过程的兼容性。前端半导体过程的兼容性。

【技术实现步骤摘要】
用于多芯片封装的设备


[0001]本公开涉及一种主集成电路，该主集成电路特别是使用主集成电路的背面被耦合到一个或多个次集成电路。

技术介绍

[0002]通常在主IC的布置有源器件的表面上执行将主集成电路耦合到一个或多个较小的次集成电路(IC)，该表面有时被称为“有源表面”或“上表面”。主IC的相反表面是“无源表面”或“下表面”。IC或裸片的该有源表面通常被扩展，以使总面积容纳用于主IC的键合焊盘和用于次IC的键合焊盘。该总面积包括如由IC的设计规定的任何防护或裸片边界。
[0003]在封装中提供一个以上裸片提供了多种功能，这对不同的应用是有益的。不同的裸片和IC具有不同的技术能力，并且通过选择特定的材料和过程来形成IC或裸片来对其进行优化，因此并非所有的IC都可以轻松地被制造在相同裸片中，而是在制造之后被耦合在一起。
[0004]多芯片封装的示例包括耦合到砷化镓(GaAs)收发器(次IC)的互补金属氧化物半导体(CMOS)数字处理器(主IC)、耦合到高频压控振荡器(VCO)和预定标器(次IC)的低频合成器(主IC)，以及耦合到高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多芯片封装的设备，其特征在于，包括：第一集成电路，包括：第一衬底，具有有源表面和无源表面；第一导电层，在所述第一衬底的所述有源表面上；第二导电层，在所述第一衬底的所述无源表面上；以及所述第一衬底的边缘部分，所述第一导电层在所述边缘部分处被耦合到所述第二导电层；以及第二集成电路，在所述第一衬底的所述无源表面上，所述第二集成电路被耦合到所述第一集成电路的在所述第一衬底的所述无源表面上的所述第二导电层。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一集成电路包括：在第一方向上的第一尺寸，所述第一尺寸从所述第一集成电路的第一侧壁延伸到所述第一集成电路的第二侧壁；以及在所述第一方向上的第二尺寸，所述第二尺寸从所述第一衬底的第一边缘延伸到所述第一衬底的第二边缘，所述第二尺寸小于所述第一尺寸，所述边缘部分在所述第一侧壁与所述第一衬底的所述第一边缘之间。3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一集成电路还包括：在所述第一衬底的所述无源表面中的凹槽，所述第二集成电路在所述凹槽中被耦合到所述第二导电层。4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：在所述第一集成电路和所述第二集成电路之间的底部填充物。5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述边缘部分包括与所述第一导电层的一部分对准的开口。6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一集成电路在所述第一衬底的所述有源表面上包括多个互连层，所述多个互连层包括多个导电和电介质层。7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述第一集成电路还包括被耦合到所述多个互连层的多个接触焊盘。8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，还包括：围绕所述第一集成电路和所述第二集成电路的模制化合物，所述多个接触焊盘被从所述模制化合物暴露。9.一种用于多芯片封装的设备，其特征在于，包括：第一衬底，具有第一表面和第二表面；第一接触焊盘，在所述第一衬底的所述第一表面上；第二接触焊盘，在所述第一衬底的所述第一表面和所述第二表面之间；在所述第一衬底中的开口，所述开口暴露所述第二接触焊盘的一部分；以及第一导电层，在所述第一衬底的所述第二表面上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永，D，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：