一种eMCP芯片的交错堆叠结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种eMCP芯片的交错堆叠结构，该结构在基板上设置有DRAM芯片，DRAM芯片上设置有3D NAND芯片，DRAM芯片和3D NAND芯片为垂直设置，通过该结构的设置，使得两个芯片之间能够节省中间假片，以增加芯片堆叠层数，进而增大容量。进而增大容量。进而增大容量。

【技术实现步骤摘要】
NAND芯片和DRAM芯片相互垂直设置，使得整体的结构减小，能够堆叠更多的3D NAND芯片。
【附图说明】
[0020]图1为本技术的正面图；
[0021]图2为本技术的侧视图；
[0022]其中：1为倒装主控芯片；2为金线；3为DRAM芯片；4为第一层3D NAND芯片；5为基板；6为锡球；7
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第二层3D NAND芯片。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图对本技术做进一步详细描述：
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种eMCP芯片的交错堆叠结构，其特征在于，包括基板(5)，基板(5)上设置DRAM芯片(3)，所述DRAM芯片(3)上设置有第一层3D NAND芯片(4)，所述第一层3D NAND芯片(4)的长度方向和DRAM芯片(3)的长度方向相互垂直。2.根据权利要求1所述的一种eMCP芯片的交错堆叠结构，其特征在于，基板(5)上设置有倒装主控芯片(1)，倒装主控芯片(1)在第一层3D NAND芯片(4)的下方。3.根据权利要求2所述的一种eMCP芯片的交错堆叠结构，其特征在于，倒装主控芯片(1)和基板(5)之间设置有若干个锡球(6)。4.根据权利要求3所述的一种eMCP芯片的交错堆叠结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：新型
国别省市：