晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法，所述晶圆处理装置包括电解槽、电源、电解阴极、电解阳极和支架，所述电解阴极、电解阳极和支架设置在电解槽内，所述电源为所述电解阴极和电解阳极供电，所述电解阴极安装在所述支架上，所述支架上安装的所述电解阴极能够与至少两片晶圆接触，所述电解阳极与所述晶圆不接触，所述电解槽内能够容纳电解质溶液，所述电解阴极、电解阳极和晶圆位于所述电解质溶液内。本发明专利技术提供的晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法可以有效提高待测晶圆的处理数量，并且不会影响铜沉积效果和实验条件，能够保证实验结果的准确性。保证实验结果的准确性。保证实验结果的准确性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法


[0001]本专利技术涉及晶圆生产制造
，尤其涉及一种晶圆处理装置和晶圆缺陷评价方法。

技术介绍

[0002]在半导体硅片的制造过程中，单晶硅棒的质量决定硅片的质量，因此，提高单晶硅棒的质量极为重要，而在拉晶过程中会产生很多的原生缺陷，其根据不同的检测方法可分为晶体原生颗粒 (Crystal Originated Particle，COP)缺陷、流动图案缺陷 (Flow pattern defect，FPD)、激光散射层析缺陷 (Laser scattering topography defect，LSTD)和直接表面氧化缺陷 (Direct surface oxide defect，DSOD)。COP、FPD、LSTD、DSOD缺陷的尺寸依次减小。这些缺陷对于后续用硅片制成半导体器件造成严重的不良影响，因此，降低在拉制单晶硅棒的过程中的原生缺陷是提高硅片质量的关键环节。
[0003]随着集成电路的飞速发展，特征线宽由原来的28nm下降至7nm，目前，微电子领域中所采用的元器件的特征线宽正在向2nm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于,包括电解槽（1）、电源（2）、电解阴极（7）、电解阳极（4）和支架，所述电解阴极（7）、电解阳极（4）和支架设置在电解槽（1）内，所述电源（2）为所述电解阴极（7）和电解阳极（4）供电，所述电解阴极（7）安装在所述支架上，所述支架上安装的所述电解阴极（7）能够与至少两片晶圆（6）接触，所述电解阳极（4）与所述晶圆（6）不接触，所述电解槽（1）内能够容纳电解质溶液（3），所述电解阴极（7）、电解阳极（4）和晶圆（6）位于所述电解质溶液（3）内。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支架包括安装在所述电解槽（1）上的凸台（5），所述凸台（5）的上表面上设置有凹槽，所述晶圆（6）能够放置在所述凹槽上，所述电解阴极（7）放置在所述凸台（5）的上表面上并且能够与放置在所述凸台（5）的凹槽中的晶圆（6）接触，在所述电解阴极（7）的上表面上能够放置另一片晶圆（6）。3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述电解阴极（7）的上表面上开设有晶圆容纳槽，所述晶圆容纳槽内能够容纳晶圆（6）。4.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述支架包括第一连接环（82）、第二连接环（83）、支撑杆（81）和至少两个安装组件，所述支撑杆（81）连接所述第一连接环（82）和第二连接环（83），所述安装组件包括连接杆（71），所述连接杆（71）的外端固定连接在所述支撑杆（81）上，每个所述安装组件上均安装有电解阴极（7），所述电解阴极（7）安装在所述连接杆（71）上，每个所述电解阴极（7）上均能够放置一个晶圆（6）。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述安装组件还包括卡板（84）...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：