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本发明公开了一种晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法，所述晶圆处理装置包括电解槽、电源、电解阴极、电解阳极和支架，所述电解阴极、电解阳极和支架设置在电解槽内，所述电源为所述电解阴极和电解阳极供电，所述电解阴极安装在所述支架上，所述支架上安装的所述...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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