一种离子植入机及离子植入系统技术方案

本发明专利技术提供了一种离子植入机及离子植入系统，在绝缘侧壁朝向真空腔体一侧裸露面形成防粘涂层，由于防粘涂层与反应气体的附着力小于绝缘侧壁朝向真空腔体一侧表面与反应气体的附着力，进而能够降低真空腔体中反应气体附着于防粘涂层表面的几率，降低由于反应气体附着而导致导电基底和导电外壳之间电连通的情况，提高了离子植入机的使用寿命和性能。提高了离子植入机的使用寿命和性能。提高了离子植入机的使用寿命和性能。

【技术实现步骤摘要】
一种离子植入机及离子植入系统


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，更为具体地说，涉及一种离子植入机及离子植入系统。

技术介绍

[0002]目前，离子植入机广泛应用于半导体器件的生产制造，能够通过在晶圆中掺杂少量杂质，使得晶圆的结构和导电率发生改变，通常掺入的杂质为IIIA族和VA族的元素。离子植入机通过离子源结构产生特定价态的等离子体，并形成离子束，离子束经过选择和加速最终轰击到晶圆上，从而实现特定离子的植入。具体的，离子植入过程中，需要将待处理的晶圆装载固定，并传送至离子源所发射的离子束所覆盖的区域内，离子束的运动方向朝向晶圆的表面，以将离子植入至晶圆的表面。待离子植入后，将晶圆传送至离子束所覆盖的区域外，卸下晶圆，并将下一待处理的晶圆装载固定，传送至离子束所覆盖的区域内。往复循环，以实现对多个晶圆的离子植入。但是，现有的离子植入机的使用寿命较低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种离子植入机及离子植入系统，有效地解决了现有技术存在的技术问题，提高了离子植入机的使用寿命和性能。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：
[0005]一种离子植入机，包括：
[0006]由导电基底和导电外壳组成的真空腔体，所述导电基底与所述导电外壳之间通过设置有绝缘侧壁相隔离，所述绝缘侧壁朝向所述真空腔体一侧裸露面形成有防粘涂层，所述防粘涂层与反应气体的附着力小于所述绝缘侧壁朝向所述真空腔体一侧表面与所述反应气体的附着力；
[0007]设置于所述导电基底的离子源，所述离子源用于在所述真空腔体内产生离子束；
[0008]以及，与所述导电外壳电连接且设置于所述离子束路径上的萃取电极，所述导电基底接入电源的正极，且所述导电外壳接入所述电源的负极。
[0009]可选的，所述防粘涂层为纳米陶瓷涂层。
[0010]可选的，所述防粘涂层为特氟龙涂层。
[0011]可选的，所述绝缘侧壁背离所述真空腔体一侧还呈锯齿状。
[0012]可选的，所述绝缘侧壁为电木绝缘侧壁。
[0013]可选的，所述导电基底和所述导电外壳为金属材质。
[0014]相应的，本专利技术还提供了一种离子植入系统，所述离子植入系统包括上述的离子植入机。
[0015]相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：
[0016]本专利技术提供了一种离子植入机及离子植入系统，包括：由导电基底和导电外壳组成的真空腔体，所述导电基底与所述导电外壳之间通过设置有绝缘侧壁相隔离，所述绝缘
侧壁朝向所述真空腔体一侧裸露面形成有防粘涂层，所述防粘涂层与反应气体的附着力小于所述绝缘侧壁朝向所述真空腔体一侧表面与所述反应气体的附着力；设置于所述导电基底的离子源，所述离子源用于在所述真空腔体内产生离子束；以及，与所述导电外壳电连接且设置于所述离子束路径上的萃取电极，所述导电基底接入电源的正极，且所述导电外壳接入所述电源的负极。
[0017]由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，在绝缘侧壁朝向真空腔体一侧裸露面形成防粘涂层，由于防粘涂层与反应气体的附着力小于绝缘侧壁朝向真空腔体一侧表面与反应气体的附着力，进而能够降低真空腔体中反应气体附着于防粘涂层表面的几率，降低由于反应气体附着而导致导电基底和导电外壳之间电连通的情况，提高了离子植入机的使用寿命和性能。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0019]图1为本专利技术实施例提供的一种离子植入机的结构示意图；
[0020]图2为本专利技术实施例提供的另一种离子植入机的结构示意图；
[0021]图3为本专利技术实施例提供的又一种离子植入机的结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]正如
技术介绍
所述，离子植入机广泛应用于半导体器件的生产制造，能够通过在晶圆中掺杂少量杂质，使得晶圆的结构和导电率发生改变，通常掺入的杂质为IIIA族和VA族的元素。离子植入机通过离子源结构产生特定价态的等离子体，并形成离子束，离子束经过选择和加速最终轰击到晶圆上，从而实现特定离子的植入。具体的，离子植入过程中，需要将待处理的晶圆装载固定，并传送至离子源所发射的离子束所覆盖的区域内，离子束的运动方向朝向晶圆的表面，以将离子植入至晶圆的表面。待离子植入后，将晶圆传送至离子束所覆盖的区域外，卸下晶圆，并将下一待处理的晶圆装载固定，传送至离子束所覆盖的区域内。往复循环，以实现对多个晶圆的离子植入。但是，现有的离子植入机的使用寿命较低。
[0024]基于此，本专利技术实施例提供了一种离子植入机，包括：
[0025]由导电基底和导电外壳组成的真空腔体，所述导电基底与所述导电外壳之间通过设置有绝缘侧壁相隔离，所述绝缘侧壁朝向所述真空腔体一侧裸露面形成有防粘涂层，所述防粘涂层与反应气体的附着力小于所述绝缘侧壁朝向所述真空腔体一侧表面与所述反应气体的附着力；
[0026]设置于所述导电基底的离子源，所述离子源用于在所述真空腔体内产生离子束；
[0027]以及，与所述导电外壳电连接且设置于所述离子束路径上的萃取电极，所述导电基底接入电源的正极，且所述导电外壳接入所述电源的负极。
[0028]进而，在绝缘侧壁朝向真空腔体一侧裸露面形成防粘涂层，由于防粘涂层与反应气体的附着力小于绝缘侧壁朝向真空腔体一侧表面与反应气体的附着力，进而能够降低真空腔体中反应气体附着于防粘涂层表面的几率，降低由于反应气体附着而导致导电基底和导电外壳之间电连通的情况，提高了离子植入机的使用寿命和性能。
[0029]为实现上述目的，具体结合图1至图3对本专利技术实施例提供的技术方案进行详细的描述。
[0030]参考图1所示，为本专利技术实施例提供的一种离子植入机的结构示意图，其中，离子植入机包括：
[0031]由导电基底100和导电外壳200组成的真空腔体300，所述导电基底100与所述导电外壳200之间通过设置有绝缘侧壁400相隔离，所述绝缘侧壁400朝向所述真空腔体300一侧裸露面形成有防粘涂层510，所述防粘涂层510与反应气体的附着力小于所述绝缘侧壁400朝向所述真空腔体一侧表面与所述反应气体的附着力。
[0032]设置于所述导电基底100的离子源600，所述离子源600用于在所述真空腔体300内产生离子束，其中离子束的来源为所述反应气体。
[0033]以及，与所述导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子植入机，其特征在于，包括：由导电基底和导电外壳组成的真空腔体，所述导电基底与所述导电外壳之间通过设置有绝缘侧壁相隔离，所述绝缘侧壁朝向所述真空腔体一侧裸露面形成有防粘涂层，所述防粘涂层与反应气体的附着力小于所述绝缘侧壁朝向所述真空腔体一侧表面与所述反应气体的附着力；设置于所述导电基底的离子源，所述离子源用于在所述真空腔体内产生离子束；以及，与所述导电外壳电连接且设置于所述离子束路径上的萃取电极，所述导电基底接入电源的正极，且所述导电外壳接入所述电源的负极。2.根据权利要求1或所述的离子植入机，其特征在于，所述防粘涂层为纳米陶瓷涂层。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡裕棠，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：