一种具有POI结构的兰姆波谐振器制造技术

本发明专利技术提供了一种具有POI结构的兰姆波谐振器。兰姆波谐振器可包括：高声速材料衬底；以及位于所述高声速材料衬底上方的压电层，所述压电层的上表面和下表面上分别设置有第一和第二叉指换能器，其中所述第一和第二叉指换能器的叉指电极隔着所述压电层在层叠方向上彼此相对，且具有相同的电极宽度、电极厚度、电极间距以及激发声波波长λ，所述叉指电极均埋入所述压电层，其中所述压电层的材料为切角为θ的YX

【技术实现步骤摘要】
一种具有POI结构的兰姆波谐振器


[0001]本专利技术涉及手机射频领域，更具体地，涉及一种具有POI结构的兰姆波谐振器。

技术介绍

[0002]5G手机滤波器的发展要求更低损耗、更高频率和更大带宽，这对现有的声表面波(SAW)和体声波(BAW)技术提出了严峻的挑战，这些技术通常受到较杂散效应的限制。为了满足这一需求，最近提出的兰姆(Lamb)波结构，该结构主要采用板波模式，具有较高声速，在sub
‑
6GHz及毫米波的移动通信中表现出应用优势。在兰姆波谐振器中，主模式为兰姆波，瑞利波等模式是杂散模式。杂散模式的存在会影响谐振器的性能，比如降低Q值(品质因数)。如何提高机电耦合系数、抑制杂散效应是兰姆波谐振器面临的关键难题之一。

技术实现思路

[0003]提供本
技术实现思路
以便以简化形式介绍将在以下具体实施方式中进一步的描述一些概念。本
技术实现思路
并非旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0004]为了解决上文问题，本专利技术旨在提供一种改进的具有P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有POI结构的兰姆波谐振器，所述兰姆波谐振器包括：高声速材料衬底；以及位于所述高声速材料衬底上方的压电层，所述压电层的上表面和下表面上分别设置有第一和第二叉指换能器，其中所述第一和第二叉指换能器的叉指电极隔着所述压电层在层叠方向上彼此相对，且具有相同的电极宽度、电极厚度、电极间距以及激发声波波长λ，所述叉指电极均埋入所述压电层，其中所述压电层的材料为切角为θ的YX
‑
LiNbO3，其中30
°
≤θ≤60
°
，并且所述压电层的厚度t为0.3λ－0.6λ。2.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述切角θ和所述压电层的厚度t的取值分别为以下组合中的一种：θ＝30
°
、50
°
或60
°
，t＝0.6λ；θ＝35
°
，t＝0.3λ－0.4λ或0.6λ；40
°
≤θ≤45
°
，t＝0.3λ－0.6λ；以及θ＝55
°
，t＝0.5λ－0.6λ。3.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述切角θ和所述压电层的厚度t的取值分别为以下组合中的一种：θ＝...

【专利技术属性】
技术研发人员：李红浪，许欣，柯亚兵，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：