本发明专利技术公开了一种半导体硅片加工用蚀刻装置，属于半导体硅片加工设备技术领域，包括基台，所述基台顶部设置有蚀刻箱，所述蚀刻箱的上端设置有箱盖，所述箱盖顶部固定安装有电动推杆，所述喷洒盘上设置有喷嘴，所述蚀刻箱的底部开设有连通于其内部的排液口，所述排液口上设置有排液阀；通过水泵抽取蚀刻箱内部蚀刻液并通过喷洒盘上的喷嘴对半导体硅片的两面进行蚀刻处理，区别于传统将半导体硅片静置平放于蚀刻液中的蚀刻方式，缩短了蚀刻工序所需的时间，提高了蚀刻效率，并且保证了半导体硅片两面的蚀刻速率一致性，从而提高了半导体硅片加工的质量。硅片加工的质量。硅片加工的质量。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体硅片加工用蚀刻装置
[0001]本专利技术属于半导体硅片加工设备
，具体涉及一种半导体硅片加工用蚀刻装置。
技术介绍
[0002]半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
[0003]硅属于储藏量十分多的元素，因此半导体硅片具备十分广泛的应用前景，而半导体硅片在加工时需要进行蚀刻，现有技术的半导体硅片蚀刻装置，大多是将半导体硅片静置在蚀刻液中，这样的蚀刻方式不仅使半导体硅片的两面蚀刻速率不均匀，工作效率低下，延长了加工时间，且反应不充分，造成浪费，使用起来较为不便，另一方面，现有的蚀刻装置在对硅片进行夹持时难以保持硅片的稳定性，从而导致蚀刻后的硅片质量不佳，不能使用，造成硅片原料的大量浪费，提高了半导体生产加工的成本，因此我们需要提出一种半导体硅片加工用蚀刻装置。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体硅片加工用蚀刻装置，通过水泵抽取蚀刻箱内部蚀刻液并通过喷洒盘上的喷嘴对半导体硅片的两面进行蚀刻处理，区别于传统将半导体硅片静置平放于蚀刻液中的蚀刻方式，缩短了蚀刻工序所需的时间，提高了蚀刻效率，并且保证了半导体硅片两面的蚀刻速率一致性，从而提高了半导体硅片加工的质量，以解决上述
技术介绍
中提出现有技术中的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0006]一种半导体硅片加工用蚀刻装置，包括基台，所述基台顶部设置有蚀刻箱，所述蚀刻箱的上端设置有箱盖，所述箱盖顶部固定安装有电动推杆，所述电动推杆的伸缩杆一端贯穿箱盖且延伸至蚀刻箱的内部固定连接有固定座，所述固定座一侧壁上设置有固定螺杆，所述固定螺杆一端设置有夹块，所述固定螺杆的另一端固定焊接有转动手柄，所述基台的顶部设置有水泵，所述水泵的抽水端固定连接有第一管道，所述水泵的出水端固定连接有两组第二管道，所述第二管道一端固定连接有喷洒盘，所述喷洒盘上设置有喷嘴，所述蚀刻箱的底部开设有连通于其内部的排液口，所述排液口上设置有排液阀。
[0007]优选的，所述基台顶部固定焊接有支撑杆，所述支撑杆顶部设置有蚀刻箱，所述支撑杆对称设置有四组。
[0008]优选的，所述箱盖一端通过铰链铰接固定于蚀刻箱一侧上端，所述箱盖另一端通
过搭扣卡接固定于蚀刻箱另一侧上端。
[0009]优选的，所述固定座呈横截面为冂字形设置，所述固定座一侧壁开设有固定螺孔，所述固定螺杆螺纹安装于固定螺孔的内部。
[0010]优选的，所述夹块一侧壁嵌接固定有转动轴承，所述固定螺杆的一端固定插接于转动轴承的内部。
[0011]优选的，所述第一管道一端贯穿蚀刻箱底部且延伸至蚀刻箱的内底部，两组所述第二管道对称安装于蚀刻箱的两侧，所述第二管道上套接有支撑架，所述支撑架固定焊接于蚀刻箱的两侧外壁壁，两组所述第二管道一端贯穿蚀刻箱的两侧壁且延伸至蚀刻箱的内部。
[0012]优选的，两组所述喷洒盘呈圆盘形对称设置于蚀刻箱的内部，所述喷嘴呈等距阵列设置于喷洒盘的表面上。
[0013]优选的，所述基台顶部固定焊接有固定架，所述水泵固定安装于固定架的内部。
[0014]本专利技术的技术效果和优点：本专利技术提出的一种半导体硅片加工用蚀刻装置，与现有技术相比，具有以下优点：
[0015]1、本专利技术在使用时，开启箱盖，在蚀刻箱内倾倒蚀刻液，通过固定座和夹块将待加工半导体硅片进行夹持固定，关闭箱盖，开启电动推杆将固定座底部的半导体硅片下降至与两侧喷洒盘平行，开启水泵，水泵通过第一管道将蚀刻箱内的蚀刻液抽取通过第二管道输送至喷洒盘并通过喷嘴将蚀刻液喷洒至半导体硅片的两面，形成循环喷洒蚀刻，待加工完成后开启箱盖对半导体硅片进行清洗后取下，冲洗后的废液通过蚀刻箱底部的排液口进行排除以作进一步处理；其中，通过水泵抽取蚀刻箱内部蚀刻液并通过喷洒盘上的喷嘴对半导体硅片的两面进行蚀刻处理，区别于传统将半导体硅片静置平放于蚀刻液中的蚀刻方式，缩短了蚀刻工序所需的时间，提高了蚀刻效率，并且保证了半导体硅片两面的蚀刻速率一致性，从而提高了半导体硅片加工的质量，同时，喷洒盘对称设置且设置多组喷嘴等距阵列于喷洒盘的表面，半导体硅片两面喷洒的蚀刻液持续而均匀，进一步提高了半导体硅片的加工质量；
[0016]2、本专利技术通过在电动推杆伸缩杆下端设置固定座，固定座一侧壁设置固定螺杆并通过转动手柄对夹块进行调节，使得本装置能够根据半导体硅片的厚度进行灵活调整和夹持固定，结构简单，实用性强；通过在蚀刻箱底部设置排液口和排液阀，使得使用后的废液和清洁后的废水便于排除。
附图说明
[0017]图1为本专利技术的结构示意图；
[0018]图2为本专利技术固定座结构示意图；
[0019]图3为本专利技术转动手柄结构示意图；
[0020]图4为本专利技术喷洒盘结构示意图；
[0021]图中：1、基台；2、蚀刻箱；3、箱盖；4、电动推杆；5、固定座；6、固定螺杆；7、夹块；8、转动手柄；9、水泵；10、第一管道；11、第二管道；12、喷洒盘；13、喷嘴；14、排液口；15、排液阀；16、支撑杆；17、铰链；18、搭扣；19、固定螺孔；20、转动轴承；21、支撑架；22、固定架。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]本专利技术提供了如图1
‑
4所示的一种半导体硅片加工用蚀刻装置，。
[0024]一种半导体硅片加工用蚀刻装置，包括基台1，基台1顶部设置有蚀刻箱2，蚀刻箱2的上端设置有箱盖3，箱盖3顶部固定安装有电动推杆4，电动推杆4的伸缩杆一端贯穿箱盖3且延伸至蚀刻箱2的内部固定连接有固定座5，固定座5一侧壁上设置有固定螺杆6，固定螺杆6一端设置有夹块7，固定螺杆6的另一端固定焊接有转动手柄8，基台1的顶部设置有水泵9，水泵9的抽水端固定连接有第一管道10，水泵9的出水端固定连接有两组第二管道11，第二管道11一端固定连接有喷洒盘12，喷洒盘12上设置有喷嘴13，蚀刻箱2的底部开设有连通于其内部的排液口14，排液口14上设置有排液阀15。
[0025]基台1顶部固定焊接有支撑杆16，支撑杆16顶部设置有蚀刻箱2，支撑杆16对称设置有四组。
[0026]箱盖3一端通过铰链17铰接固定本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体硅片加工用蚀刻装置，包括基台(1)，其特征在于：所述基台(1)顶部设置有蚀刻箱(2)，所述蚀刻箱(2)的上端设置有箱盖(3)，所述箱盖(3)顶部固定安装有电动推杆(4)，所述电动推杆(4)的伸缩杆一端贯穿箱盖(3)且延伸至蚀刻箱(2)的内部固定连接有固定座(5)，所述固定座(5)一侧壁上设置有固定螺杆(6)，所述固定螺杆(6)一端设置有夹块(7)，所述固定螺杆(6)的另一端固定焊接有转动手柄(8)，所述基台(1)的顶部设置有水泵(9)，所述水泵(9)的抽水端固定连接有第一管道(10)，所述水泵(9)的出水端固定连接有两组第二管道(11)，所述第二管道(11)一端固定连接有喷洒盘(12)，所述喷洒盘(12)上设置有喷嘴(13)，所述蚀刻箱(2)的底部开设有连通于其内部的排液口(14)，所述排液口(14)上设置有排液阀(15)。2.根据权利要求1所述的一种半导体硅片加工用蚀刻装置，其特征在于：所述基台(1)顶部固定焊接有支撑杆(16)，所述支撑杆(16)顶部设置有蚀刻箱(2)，所述支撑杆(16)对称设置有四组。3.根据权利要求1所述的一种半导体硅片加工用蚀刻装置，其特征在于：所述箱盖(3)一端通过铰链(17)铰接固定于蚀刻箱(2)一侧上端，所述箱盖(3)另一端通过搭扣(18)卡接固定于蚀刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝凯，
申请(专利权)人：开化晶芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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