一种液晶移相器及其制备方法、液晶天线技术

技术编号:28146516 阅读:36 留言:0更新日期:2021-04-21 19:31
本发明专利技术实施例公开了一种液晶移相器及其制备方法、液晶天线。该液晶移相器包括第一基板、多个移相器、以及第二基板,第一基板和第二基板相对设置,移相器位于第一基板朝向第二基板的一侧;液晶层,位于第一基板和第二基板之间;第一支撑结构,位于第一基板朝向第二基板的一侧;第一支撑结构包括基座和支撑颗粒,基座与移相器在第一基板上的正投影不交叠,支撑颗粒设置于基座背离第一基板的一侧,支撑颗粒的弹性模量小于基座的弹性模量,且沿垂直于第一基板所在平面的方向上,支撑颗粒的粒径大于基座的最大厚度。本发明专利技术实施例提供的技术方案可以提高液晶移相器的盒厚均一化程度,进而提高液晶移相器的生产合格率和性能稳定性。高液晶移相器的生产合格率和性能稳定性。高液晶移相器的生产合格率和性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶移相器及其制备方法、液晶天线


[0001]本专利技术实施例涉及天线
,尤其涉及一种液晶移相器及其制备方法、液晶天线。

技术介绍

[0002]液晶天线是基于液晶移相器而制成的新型阵列化天线,广泛应用在卫星接收天线、车载雷达、基站天线等领域。其中,液晶移相器是液晶天线的核心部件,其通过对液晶分子偏转进行控制,进而实现对于电磁波相位的调节。
[0003]目前,液晶移相器通常包括第一基板、第二基板、液晶层以及移相器,液晶层设置于第一基板和第二基板之间,移相器设置在第一基板上。液晶移相器的盒厚均一化对电磁波相位的准确调节起关键作用,因此,研究一种能够提高液晶移相器的盒厚均一化的支撑结构变得尤为重要。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种液晶移相器及其制备方法、液晶天线,以提高液晶移相器的盒厚均一化程度,进而提高液晶移相器的生产合格率和性能稳定性。
[0005]第一方面,本专利技术实施例提供了一种液晶移相器,该液晶移相器包括:
[0006]第一基板、多个移相器、以及第二基板,所述第一基板和所述第二基板相对设置,所述移相器位于所述第一基板朝向所述第二基板的一侧;
[0007]液晶层,位于所述第一基板和所述第二基板之间;
[0008]第一支撑结构,位于所述第一基板朝向所述第二基板的一侧;所述第一支撑结构包括基座和支撑颗粒,所述基座与所述移相器在所述第一基板上的正投影不交叠,所述支撑颗粒设置于所述基座背离所述第一基板的一侧,所述支撑颗粒的弹性模量小于所述基座的弹性模量,且沿垂直于所述第一基板所在平面的方向上,所述支撑颗粒的粒径大于所述基座的最大厚度。
[0009]第二方面,本专利技术实施例还提供了一种液晶天线,该液晶天线包括第一方面所述的液晶移相器以及多个辐射体,所述辐射体位于所述第二基板背离所述第一基板的一侧。
[0010]第三方面,本专利技术实施例还提供了一种液晶移相器的制备方法,该制备方法包括:
[0011]提供第一基板;
[0012]在所述第一基板一侧形成多个移相器;
[0013]在所述移相器背离所述第一基板一侧整面形成基座层;其中,所述基座层包括基座和预设去除部;
[0014]在所述基座层背离所述第一基板一侧喷洒支撑颗粒;
[0015]采用第一掩膜版去除所述基座层中的所述预设去除部,得到第一支撑结构;其中,所述第一支撑结构包括基座和支撑颗粒,所述基座与所述移相器在所述第一基板上的正投影不交叠,所述支撑颗粒设置于所述基座背离所述第一基板的一侧,所述支撑颗粒的弹性
模量小于所述基座的弹性模量,且沿垂直于所述第一基板所在平面的方向上,所述支撑颗粒的粒径大于所述基座的最大厚度;
[0016]提供第二基板;
[0017]将所述第二基板置于所述第一支撑结构背离所述第一基板一侧,贴合所述第一基板和所述第二基板。
[0018]本专利技术实施例提供的液晶移相器,通过设置支撑于第一基板和第二基板之间的第一支撑结构包括基座和支撑颗粒,其中,支撑颗粒的弹性模量小于基座的弹性模量,且沿垂直于第一基板所在平面的方向上,支撑颗粒的粒径大于基座的最大厚度,使得可通过调整各处支撑颗粒的压缩程度达到液晶移相器各处的盒厚均一化以及灵活控制液晶移相器的盒厚的效果。解决液晶移相器盒厚均一化较差的问题,实现提高液晶移相器的盒厚均一化程度,进而提高液晶移相器的生产合格率和性能稳定性的效果。
附图说明
[0019]图1是本专利技术实施例提供的一种液晶移相器的结构示意图;
[0020]图2是本专利技术实施例提供的一种支撑颗粒的结构示意图;
[0021]图3是图2沿AA

方向的一种剖面图;
[0022]图4是图2沿AA

方向的另一种剖面图;
[0023]图5是本专利技术实施例提供的另一种液晶移相器的结构示意图;
[0024]图6是本专利技术实施例提供的又一种液晶移相器的结构示意图;
[0025]图7是本专利技术实施例提供的再一种液晶移相器的结构示意图;
[0026]图8是本专利技术实施例提供的一种液晶移相器的结构示意图;
[0027]图9是图8沿BB

方向的剖面图;
[0028]图10是本专利技术实施例提供的另一种液晶移相器的结构示意图;
[0029]图11是图10沿CC

方向的一种剖面图;
[0030]图12是图10沿CC

方向的另一种剖面图;
[0031]图13是本专利技术实施例提供的又一种液晶移相器的结构示意图;
[0032]图14是图13沿DD

方向的剖面图;
[0033]图15是本专利技术实施例提供的再一种液晶移相器的结构示意图;
[0034]图16是图15沿EE

方向的一种剖面图;
[0035]图17是图15沿EE

方向的另一种剖面图;
[0036]图18是本专利技术实施例提供的一种液晶移相器的结构示意图;
[0037]图19是本专利技术实施例提供的另一种液晶移相器的结构示意图;
[0038]图20是本专利技术实施例提供的又一种液晶移相器的结构示意图;
[0039]图21是本专利技术实施例提供的一种接地电极的结构示意图;
[0040]图22是本专利技术实施例提供的一种液晶天线的结构示意图;
[0041]图23是本专利技术实施例提供的另一种液晶天线的结构示意图;
[0042]图24是本专利技术实施例提供的一种液晶移相器的制备方法的流程图;
[0043]图25是本专利技术实施例提供的一种形成移相器后的结构示意图;
[0044]图26是本专利技术实施例提供的一种形成基座层后的结构示意图;
[0045]图27是本专利技术实施例提供的另一种形成基座层后的结构示意图;
[0046]图28是在图26所示基座层上整面喷洒支撑颗粒后的结构示意图;
[0047]图29是在图27所示基座层上整面喷洒支撑颗粒后的结构示意图;
[0048]图30是在图26所示基座层上采用第二掩膜版喷洒支撑颗粒后的结构示意图;
[0049]图31是在图27所示基座层上采用第二掩膜版喷洒支撑颗粒后的结构示意图;
[0050]图32是本专利技术实施例提供的一种去除预设去除部后的结构示意图;
[0051]图33是本专利技术实施例提供的另一种去除预设去除部后的结构示意图;
[0052]图34是本专利技术实施例提供的又一种去除预设去除部后的结构示意图;
[0053]图35是本专利技术实施例提供的另一种液晶移相器的制备方法的流程图;
[0054]图36是在图26所示基座层上形成第一弧形凹槽后的结构示意图;
[0055]图37是在图27所示基座层上形成第一弧形凹槽后的结构示意图;
[0056]图38是在图37所示基座层上整面喷洒支撑颗粒后的本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶移相器,其特征在于,包括:第一基板、多个移相器、以及第二基板,所述第一基板和所述第二基板相对设置,所述移相器位于所述第一基板朝向所述第二基板的一侧;液晶层,位于所述第一基板和所述第二基板之间;第一支撑结构,位于所述第一基板朝向所述第二基板的一侧;所述第一支撑结构包括基座和支撑颗粒,所述基座与所述移相器在所述第一基板上的正投影不交叠,所述支撑颗粒设置于所述基座背离所述第一基板的一侧,所述支撑颗粒的弹性模量小于所述基座的弹性模量,且沿垂直于所述第一基板所在平面的方向上,所述支撑颗粒的粒径大于所述基座的最大厚度。2.根据权利要求1所述的液晶移相器,其特征在于,所述基座上与所述支撑颗粒的接触面为弧面,所述弧面朝向所述第一基板凹陷。3.根据权利要求2所述的液晶移相器,其特征在于,所述基座包括多个第一弧形凹槽,所述第一弧形凹槽内设置有至少一个所述支撑颗粒,且存在至少一个所述支撑颗粒部分嵌于所述第一弧形凹槽内。4.根据权利要求2所述的液晶移相器,其特征在于,所述基座包括多个第二弧形凹槽,所述支撑颗粒与所述第二弧形凹槽一一对应,且所述支撑颗粒部分包裹于所述第二弧形凹槽内。5.根据权利要求1所述的液晶移相器,其特征在于,所述支撑颗粒为实心结构,所述支撑颗粒的材料为聚氨酯材料、橡胶材料硅材料、或树脂材料中的一者。6.根据权利要求1所述的液晶移相器,其特征在于,所述支撑颗粒包括外层的包覆层和内部的填装材料,所述包覆层的弹性模量小于所述填装材料的弹性模量。7.根据权利要求1所述的液晶移相器,其特征在于,所述第一基板还包括多个净空区,所述净空区与所述移相器一一对应,所述净空区覆盖所述移相器在所述第一基板上的正投影周围宽度为预设值的区域;所述基座在所述第一基板上的正投影覆盖所述净空区和所述移相器在所述第一基板上的正投影之外的区域。8.根据权利要求1所述的液晶移相器,其特征在于,所述基座包括多个分立的柱体,所述柱体在所述第一基板上的正投影与所述移相器在所述第一基板上的正投影之间的间隔大于预设值。9.根据权利要求7或8所述的液晶移相器,其特征在于,所述预设值大于等于200um。10.根据权利要求1所述的液晶移相器,其特征在于,所述液晶移相器还包括第二支撑结构,所述第二支撑结构支撑于所述第二基板和所述第一支撑结构之间,所述第二支撑结构和所述第一支撑结构中的所述支撑颗粒接触。11.根据权利要求10所述的液晶移相器,其特征在于,所述第一支撑结构在所述第一基板上的正投影落在所述第二支撑结构在所述第一基板上的正投影内。12.一种液晶天线,其特征在于,包括权利要求1

11任一项所述的液晶移相器,还包括:
多个辐射体,所述辐射体位于所述第二基板背离所述第一基板的一侧。13.一种液晶移相器的制备方法,其特征在于,包括:提供第一基板;在所述第一基板一侧形成多个移相器;在所述移相器背离所述第一基板一...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨作财段勤肄何宁贾振宇席克瑞扈映茹王东花陈飞
申请(专利权)人:成都天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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