天线制造技术

本申请提供了一种天线

【技术实现步骤摘要】
天线、电子设备及天线的制备方法


[0001]本申请涉及天线
，具体涉及一种天线
、
电子设备及天线的制备方法
。

技术介绍

[0002]随着通信网络容量的快速增长，无处不在的无线连接将成为现实，但高度复杂的网络
、
高成本的硬件和日益增加的能源消耗将成为未来无线通信面临的关键问题
。
智能超表面
(Reconfigurable Intelligent Surface
，
RIS)
天线以其独特的低成本
、
低能耗
、
可编程
、
易部署的特点脱颖而出
。
将
RIS
天线部署在无线传输环境中各类物体的表面，有望突破传统无线信道不可控性，构建智能可编程无线环境，引入未来无线通信的新方式
。
一方面，
RIS
天线可以主动地丰富信道散射条件，增强无线通信系统的复用增益；另一方面，
RIS
天线可以在三维空间中实现信号传播方向调控及同相位叠加，增大接收信号强度，提高通信设备之间的传输性能
。
[0003]RIS
天线是一种具有可编程电磁特性的人工电磁表面结构，由超材料技术发展而来
。
传统超材料可以实现电磁黑洞和电磁隐身衣等奇特物理现象，但是其通过等效媒质参数描述，表现为功能单一且固化的模拟超材料
。
目前采用的方案为在天线表面加装固定装置或者不可变更的材料涂层
、
贴片等，不可灵活有效调节辐射相位
。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的问题，本申请的目的在于提供一种天线
、
电子设备及天线的制备方法，在天线的相控阵天线层表面增设第一液晶层，通过对第一液晶层进行控制，以及第一液晶层和相控阵天线层之间的配合，实现更灵活的天线功能调节方式
。
[0005]本申请实施例提供一种天线，包括：
[0006]第一基板；
[0007]相控阵天线层，位于所述第一基板的一侧；
[0008]导电层，位于所述相控阵天线层背离所述第一基板的一侧，并包括多个导电电极；
[0009]第一液晶层，位于所述导电层背离所述相控阵天线层的一侧；
[0010]第一天线层，位于所述第一液晶层背离所述相控阵天线层的一侧，并包括多个第一辐射体
。
[0011]在一些实施例中，所述导电层为第一移相电极层，所述导电电极为第一移相电极；或，所述导电层为第二天线层，所述导电电极为第二辐射体
。
[0012]在一些实施例中，所述第一移相电极为线形结构，或，所述第二辐射体为块状结构
。
[0013]在一些实施例中，所述相控阵天线层包括：
[0014]第二移相电极层，位于所述第一基板的一侧，包括多个第二移相电极；
[0015]第二液晶层，位于所述第二移相电极层背离所述第一基板的一侧；
[0016]第二基板，位于所述第二液晶层背离所述第一基板的一侧；
[0017]接地电极层，位于所述第二基板朝向所述第一基板的一侧，并设有多个开缝
。
[0018]在一些实施例中，所述第一辐射体在所述第一基板上的第一投影与所述导电电极在所述第一基板上的第二投影至少部分重叠设置，所述导电电极在所述第一基板上的第二投影与所述第二移相电极在所述第一基板上的第三投影至少部分交叠设置
。
[0019]在一些实施例中，所述导电电极在所述第一基板上的第二投影与所述接地电极层的开缝在所述第一基板上的第四投影至少部分交叠设置，所述第二移相电极在所述第一基板上的第三投影与所述接地电极层的开缝在所述第一基板上的第四投影至少部分交叠设置
。
[0020]在一些实施例中，所述导电层为第一移相电极层，所述导电电极为第一移相电极
。
[0021]在一些实施例中，所述第一移相电极与所述第二移相电极的宽度相同
。
[0022]在一些实施例中，还包括：
[0023]第一驱动
IC
，连接于所述第一辐射体和所述第一移相电极，所述第一驱动
IC
用于基于第一映射曲线使所述第一移相电极和所述第一辐射体之间形成第一驱动电压差，所述第一映射曲线为第一目标相位与所述第一驱动电压差的映射曲线；
[0024]第二驱动
IC
，连接于所述第二移相电极和所述接地电极，所述第二驱动
IC
用于基于第二映射曲线使所述第二移相电极和所述接地电极之间形成第二驱动电压差，所述第二映射曲线为第二目标相位与所述第二驱动电压差的映射曲线
。
[0025]在一些实施例中，所述导电层为第二天线层，所述导电电极为第二辐射体
。
[0026]在一些实施例中，还包括：
[0027]第三驱动
IC
，连接于所述第一辐射体和所述第二辐射体，所述第三驱动
IC
用于根据第三映射曲线使所述第二辐射体和所述第一辐射体之间形成第三驱动电压差，所述第三映射曲线为目标频率与第三驱动电压差的映射曲线；
[0028]第四驱动
IC
，连接于所述第二移相电极和所述接地电极层，所述第四驱动
IC
用于根据第四映射曲线使所述第二移相电极和所述接地电极层之间形成第四驱动电压差，所述第四映射曲线为目标相位与第四驱动电压差的映射曲线
。
[0029]在一些实施例中，包括多个天线单元，每个所述天线单元包括一所述第二移相电极
、
两个所述导电电极和两个所述第一辐射体，或，每个所述天线单元包括一所述第二移相电极
、
一个所述导电电极和一个所述第一辐射体
。
[0030]在一些实施例中，所述第一天线层包括至少两种面积的所述第一辐射体，且所述第一天线层中的相邻第一辐射体之间的间距至少有两种尺寸
。
[0031]在一些实施例中，所述第一天线层包括至少两种天线区域，每种所述天线区域分别包括多个所述第一辐射体，每种所述天线区域的第一辐射体面积和第一辐射体间距与其他种的天线区域不同；
[0032]所述第一天线层中，沿顺时针方向，按照所述天线区域的排列顺序，所述第一辐射体的面积逐渐增大或逐渐减小
。
[0033]在一些实施例中，所述第一天线层中，沿顺时针方向，按照所述天线区域的排列顺序，所述天线区域中相邻所述第一辐射体之间的间距逐渐增大或逐渐减小
。
[0034]在一些实施例中，还包括第三基板，位于所述第一天线层背离所述第一液晶层的一侧，所述第一基板和
/
或所述第三基板为柔性膜基板
。
[0035]本申请实施例还提供一种电子设备，包括所述的天线
。
[0036]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种天线，其特征在于，包括：第一基板；相控阵天线层，位于所述第一基板的一侧；导电层，位于所述相控阵天线层背离所述第一基板的一侧，并包括多个导电电极；第一液晶层，位于所述导电层背离所述相控阵天线层的一侧；第一天线层，位于所述第一液晶层背离所述相控阵天线层的一侧，并包括多个第一辐射体
。2.
根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述导电层为第一移相电极层，所述导电电极为第一移相电极；或，所述导电层为第二天线层，所述导电电极为第二辐射体
。3.
根据权利要求2所述的天线，其特征在于，所述第一移相电极为线形结构，或，所述第二辐射体为块状结构
。4.
根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述相控阵天线层包括：第二移相电极层，位于所述第一基板的一侧，包括多个第二移相电极；第二液晶层，位于所述第二移相电极层背离所述第一基板的一侧；第二基板，位于所述第二液晶层背离所述第一基板的一侧；接地电极层，位于所述第二基板朝向所述第一基板的一侧，并设有多个开缝
。5.
根据权利要求4所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体在所述第一基板上的第一投影与所述导电电极在所述第一基板上的第二投影至少部分重叠设置，所述导电电极在所述第一基板上的第二投影与所述第二移相电极在所述第一基板上的第三投影至少部分交叠设置
。6.
根据权利要求4所述的天线，其特征在于，所述导电电极在所述第一基板上的第二投影与所述接地电极层的开缝在所述第一基板上的第四投影至少部分交叠设置，所述第二移相电极在所述第一基板上的第三投影与所述接地电极层的开缝在所述第一基板上的第四投影至少部分交叠设置
。7.
根据权利要求4所述的天线，其特征在于，所述导电层为第一移相电极层，所述导电电极为第一移相电极
。8.
根据权利要求7所述的天线，其特征在于，所述第一移相电极与所述第二移相电极的宽度相同
。9.
根据权利要求7所述的天线，其特征在于，还包括：第一驱动
IC
，连接于所述第一辐射体和所述第一移相电极，所述第一驱动
IC
用于基于第一映射曲线使所述第一移相电极和所述第一辐射体之间形成第一驱动电压差，所述第一映射曲线为第一目标相位与所述第一驱动电压差的映射曲线；第二驱动
IC
，连接于所述第二移相电极和所述接地电极，所述第二驱动
IC
用于基于第二映射曲线使所述第二移相电极和所述接地电极之间形成第二驱动电压差，所述第二映射曲线为第二目标相位与所述第二驱动电压差的映射曲线
。10.
根据权利要求4所述的天线，其特征在于，所述导电层为第二天线层，所述导电电极为第二辐射体
。11.
根据权利要求
10
所述的天线，其特征在于，还包括：第三驱动
IC
，连接于所述第一辐射体和所述第二辐射体，所述第三驱动
IC
用于根据第
三映射曲线使所述第二辐射体和所述第一辐射体之间形成第三驱动电压差，所述第三映射曲线为目标频率与第三驱动电压差的映射曲线；第四驱动
IC
，连接于所述第二移相电极和所述接地电极层，所述第四驱动
IC
用于根据第四映射曲线使所述第二移相电极和所述接地电极层之间形成第四驱动电压差，所述第四映射曲线为目标相位与第四驱动电压差的映射曲线
。12.
根据权利要求4所述的天线，其特征在于，包括多个天线...

【专利技术属性】
技术研发人员：明岷，邢一凡，黄静，龚雷，扈映茹，
申请(专利权)人：成都天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：