馈电结构、微波射频器件及天线制造技术

本发明专利技术提供一种馈电结构、微波射频器件及天线，属于通信技术领域。本发明专利技术的馈电结构，包括：参考电极、相对设置的第一基板和第二基板，填充在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；其中，所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的输入电极；所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的接收电极，且所述接收电极与所述输入电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠，构成耦合结构；所述输入电极和所述接收电极中的至少一者的输出端连接有相移结构，以使经由所述第一基板传输微波信号与经由第二基板传输的微波信号的相位不同；且输入电极、接收电极、相移结构均与参考电极构成电流回路。极构成电流回路。极构成电流回路。

【技术实现步骤摘要】
馈电结构、微波射频器件及天线


[0001]本专利技术属于通信
，具体涉及一种馈电结构、微波射频器件及天线。

技术介绍

[0002]移相器是一种调控电磁波相位的器件，广泛应用于各种通信系统中，如卫星通信，相控阵雷达，遥感遥测等。介质可调移相器是一种利用控制介质层的介电常数来实现相移效果的器件。传统的介质可调移相器使用单线传输的结构，通过调节信号相速度实现移相效果，但这种设计方法的问题是损耗偏大，单位损耗内的移相度偏低。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种提高移相度的馈电结构、微波射频器件及天线。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供一种馈电结构，包括：参考电极、相对设置的第一基板和第二基板，填充在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；其中，
[0005]所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的输入电极；
[0006]所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的接收电极，且所述接收电极与所述输入电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠，构成耦合结构；
[0007]所述输入电极和所述接收电极中的至少一者的输出端连接有相移结构，以使经由所述第一基板传输微波信号与经由第二基板传输的微波信号的相位不同；且所述输入电极、所述接收电极、所述相移结构均与所述参考电极构成电流回路。
[0008]可选地，仅所述输入电极的输出端连接有相移结构。
[0009]可选地，所述相移结构包括：时延传输线、开关式移相器、负载式移相器、滤波式移相器、矢量调制式移相器中的任意一种。
[0010]可选地，当所述相移结构为时延传输线，且所述时延传输线连接在所述输入电极的输出端时，所述时延传输线与所述输入电极同层设置，且材料相同。
[0011]可选地，所述输入电极和所述接收电极所构成的所述耦合结构包括紧耦合结构。
[0012]可选地，所述输入电极、所述接收电极、所述参考电极构成微带线传输结构、带状线传输结构、共表面波导传输结构中任意一种。
[0013]可选地，所述馈电结构还包括：位于所述第一基板和所述第二基板之间的支撑组件，用于维持所述第一基板和所述第二基板之间的盒厚。
[0014]可选地，所述支撑组件包括点胶支撑组件或者隔垫物。
[0015]可选地，所述介质层包括：空气或惰性气体。
[0016]第二方面，本专利技术实施例提供一种微波射频器件，其包括上述的馈电结构。
[0017]可选地，所述微波射频器件包括移相器或滤波器。
[0018]第三方面，本专利技术实施例提供一种天线，其包括上述的微波射频器件。
附图说明
[0019]图1为本专利技术实施例的馈电结构的示意图；
[0020]图2为本专利技术实施例的馈电结构的俯视图；
[0021]图3为图2的A-A'的示意图；
[0022]图4为图2的B-B'的示意图；
[0023]图5为本专利技术实施例的移相器的移相部分的示意图。
[0024]其中附图标记为：1、耦合结构；11、输入电极；12接收电极；2、相移结构；3、第一传输线；4、第二传输线；5、液晶介质层；10、第一基底；20、第二基底；30、馈电结构的接地电极；40、移相器的接地电极。
具体实施方式
[0025]为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。
[0026]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0027]在此需要说明的是，本专利技术的下述实施例中所提供的馈电结构可广泛用于双基板内侧两层传输线的差模馈电，具体可以用于微波射频器件中，而微波射频器件可以是差模信号线、滤波器和移相器。在下述实施例中，以微波射频器件为移相器进行说明。
[0028]具体的，移相器不仅包括馈电结构，而且还包括移相部分，如图5所示，该移相部分包括设置在第一基底10上的第一传输线3，设置在第二基底20靠近第一传输线3一侧的第二传输线4，设置在第一传输线3和第二传输线4所在层之间的介质层，以及接地电极；该介质层包括但不限于液晶层，在下述实施例中以该介质层为液晶层为例进行说明。
[0029]其中，第一传输线3和第二传输线4均可以是微带线，且此时接地电极40则是设置在第一基底10背离第一传输线3的一侧，第一传输线3和第二传输线4可以采用梳状电极，接地电极40则可以采用面状电极，也即第一传输线3、第二传输线4和接地电极40构成微带线传输结构；当然第一传输线3、第二传输线4和接地电极40也构成带状线传输结构、共表面波导传输结构、基片集成波导传输结构中任意一种，在此不一一列举。
[0030]第一方面，结合图1-4所示，本专利技术实施例提供一种馈电结构包括：参考电极、相对设置的第一基板和第二基板，填充在第一基板和第二基板之间的介质层；其中，第一基板包括：第一基底10，设置在第一基底10靠近介质层一侧的输入电极11；第二基板包括：第二基
底20，设置在第二基底20靠近介质层一侧的接收电极12，且接收电极12与输入电极11在第一基底10上的正投影至少部分重叠，构成耦合结构1；输入电极11和接收电极12中的至少一者的输出端连接有相移结构2，以使经由第一基板传输微波信号与经由第二基板传输的微波信号的相位不同；且输入电极11、接收电极12、相移结构2均与参考电极构成电流回路。
[0031]在需要说明的是，馈电结构中的介质层包括但不限于空气，在本实施例中以该介质层为空气为例进行说明，当然介质层也可以是惰性气体。
[0032]其中，馈电结构中输入电极11、接收电极12、参考电极构成微带线传输结构、带状线传输结构、共表面波导传输结构、基片集成波导传输结构中任意一种。在本专利技术实施例中以输入电极11、接收电极12、参考电极构成微带线传输结构为例，此时参考电极可以位于第一基底10背离输入电极11的一侧。
[0033]其中，在本专利技术实施例中参考电极通常采用接地电极30，当然，只要能够与输入电极11具有一定压差的任何参考电极均可，在本实施例中以参考电极为接地电极为例进行说明。而且馈电结构中的接地电极位于第一基底10背离介质层的一侧，且与移相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种馈电结构，其特征在于，包括：参考电极、相对设置的第一基板和第二基板，填充在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；其中，所述第一基板包括：第一基底，设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的输入电极；所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的接收电极，且所述接收电极与所述输入电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠，构成耦合结构；所述输入电极和所述接收电极中的至少一者的输出端连接有相移结构，以使经由所述第一基板传输微波信号与经由第二基板传输的微波信号的相位不同；且所述输入电极、所述接收电极、所述相移结构均与所述参考电极构成电流回路。2.根据权利要求1所述的馈电结构，其特征在于，仅所述输入电极的输出端连接有相移结构。3.根据权利要求1或2所述的馈电结构，其特征在于，所述相移结构包括：时延传输线、开关式移相器、负载式移相器、滤波式移相器、矢量调制式移相器中的任意一种。4.根据权利要求2所述的馈电结构，其特征在于，当所述相移结构为时延传输线，且所述时延传输线连接在所述输入电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾皓程，丁天伦，王瑛，武杰，李亮，唐粹伟，李强强，车春城，
申请(专利权)人：北京京东方传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：