探测面板、制备探测面板的方法和平板探测器技术

技术编号:41332136 阅读:12 留言:0更新日期:2024-05-20 09:52
本申请提供一种探测面板、制备探测面板的方法和平板探测器,能够提高动态范围。探测面板包括:薄膜晶体管;第一电极层,第一电极层与薄膜晶体管设置于基底的同侧,且第一电极层与薄膜晶体管的栅极位于探测面板内的同一层,第一电极层在基底上的投影与薄膜晶体管在基底上的投影不重叠;第二电极层,设置于第一电极层远离基底的一侧,且第二电极层与薄膜晶体管的源漏极位于探测面板内的同一层,第二电极层在基底上的投影与薄膜晶体管在基底上的投影不重叠;感光部,设置于薄膜晶体管和第二电极层的远离基底的一侧,感光部的底电极与薄膜晶体管之间电连接,且第一电极层和第二电极层在基底上的投影位于底电极在基底上的投影范围内。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电检测,并且更具体地,涉及一种探测面板、制备探测面板的方法和平板探测器


技术介绍

1、x射线检测技术被广泛应用于医疗检测、工业无损检测、以及安检安防等领域,x射线探测器的性能与其采集的图像质量密切相关,其关键参数包括空间分辨率、响应均匀性、对比灵敏度、动态范围、采集速度、以及帧率等。特别是,随着x射线技术的发展,探测器的应用场景从静态发展至动态,动态应用场景对探测器的动态范围有较高的需求。为此,如何提高探测器的动态范围,成为需要解决的问题。


技术实现思路

1、本申请提供一种探测面板、制备探测面板的方法和平板探测器,能够提高动态范围。

2、第一方面,提供一种探测面板,所述探测面板包括:薄膜晶体管;第一电极层,所述第一电极层与所述薄膜晶体管设置于基底的同侧,且所述第一电极层在所述基底上的投影与所述薄膜晶体管在所述基底上的投影不重叠;第二电极层,设置于所述第一电极层远离所述基底的一侧,且所述第二电极层在所述基底上的投影与所述薄膜晶体管在所述基底上的投影不重叠;感光部,设置于所述薄膜晶体管和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种探测面板,其特征在于,所述探测面板包括:

2.根据权利要求1所述的探测面板,其特征在于,所述顶电极与所述PIN层之间通过第一过孔电连接,所述第一过孔在所述基底上的投影与所述薄膜晶体管在所述基底上的投影交叠。

3.根据权利要求1或2所述的探测面板,其特征在于,所述探测面板还包括第二过孔、以及包围所述第二过孔的第三过孔,所述第二过孔和所述第三过孔用于电连接所述底电极与所述薄膜晶体管。

4.根据权利要求1或2所述的探测面板,其特征在于,所述第二电极层沿相对的方向分别向外延伸形成延伸部,所述延伸部用于与所述探测面板内的偏压线之间电连接,所述偏压线用于提...

【技术特征摘要】

1.一种探测面板,其特征在于,所述探测面板包括:

2.根据权利要求1所述的探测面板,其特征在于,所述顶电极与所述pin层之间通过第一过孔电连接,所述第一过孔在所述基底上的投影与所述薄膜晶体管在所述基底上的投影交叠。

3.根据权利要求1或2所述的探测面板,其特征在于,所述探测面板还包括第二过孔、以及包围所述第二过孔的第三过孔,所述第二过孔和所述第三过孔用于电连接所述底电极与所述薄膜晶体管。

4.根据权利要求1或2所述的探测面板,其特征在于,所述第二电极层沿相对的方向分别向外延伸形成延伸部,所述延伸部用于与所述探测面板内的偏压线之间电连接,所述偏压线用于提供偏置电压和/或偏置电流。

5.根据权利要求1或2所述的探测面板,其特征在于,在所述第一电极层与所述第二电极层的重叠区域对应的区域范围内,在垂直于所述探测面板内的数据线的方向上,所述第二电极层的最大尺寸位于所述第一电极层的最大尺寸与所述底电极的最大尺寸之间。

6.根据权利要求1或2所述的探测面板,其特征在于,在所述第一电极层与所述第二电极层的重叠区域对应的区域范围内,在垂直于所述探测面板内的栅极线的方向上,所述第二电极层的最大尺寸位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜清馨庞凤春李金钰耿越明振兴于海博
申请(专利权)人:北京京东方传感技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1