半导体元件制造技术

一种半导体元件包括基板、栅极结构、半金属源/漏极结构，以及源/漏极接触。栅极结构位于基板上方。半金属源/漏极结构位于栅极结构的相对两侧，其中半金属源/漏极结构的能带结构具有位于不对称K点上的价带和传导带。源/漏极接触分别位于半金属源/漏极结构的上表面上方。方。方。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件


[0001]本揭露是关于一种半导体元件。

技术介绍

[0002]半导体集成电路工业已历经了快速的成长。集成电路材料和设计的技术成长已经造就了数个世代的集成电路。每个世代相较于前一世代都具有更小的尺寸及更复杂的电路。然而，这样的进步也增加了制造体集成电路复杂度。
[0003]在体集成电路演化的课题中，功能性密度(例如单位晶片面积中的内连接元件的数量)逐渐增加，但其几何尺寸(例如在制程中所能制造出的最小元件或线)却逐渐缩小。这个尺寸缩小的过程的优点为增加了制造的效率以及降低相关的成本。
[0004]然而，由于特征尺寸逐渐缩小，制造过程变得更困难。因此，在尺寸越来越小的时代，形成可靠的半导体元件是一个挑战。

技术实现思路

[0005]根据本揭露的部分实施例，一种半导体元件包括基板、栅极结构、半金属源/漏极结构，以及源/漏极接触。栅极结构位于基板上方。半金属源/漏极结构位于栅极结构的相对两侧，其中半金属源/漏极结构的能带结构具有位于不对称K点上的价带和传导带。源/漏极接触分别位于半金属源/漏极结构的上表面上方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一栅极结构，位于一基板上；多个半金属源/漏极结构，位于该栅极结构的相对两侧，其中所述多个半金属源/漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏圣凯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：