三维存储器器件的接触焊盘及其制造方法技术

提供了三维(3D)NAND存储器器件和方法。在一个方面中，一种用于3D NAND存储器器件的制造方法包括提供衬底，在衬底的面侧的第一部分之上形成至少一个接触焊盘，在衬底的面侧的第二部分之上形成存储器单元，沉积第一电介质层以覆盖至少一个接触焊盘和存储器单元，在第一电介质层之上形成连接到至少一个接触焊盘和存储器单元的第一连接焊盘，将第一连接焊盘与外围结构的第二连接焊盘键合，以及从衬底的背侧暴露至少一个接触焊盘。侧暴露至少一个接触焊盘。侧暴露至少一个接触焊盘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维存储器器件的接触焊盘及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体技术的领域，并且具体地，涉及三维(3D)存储器器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]与非(NAND)存储器是非易失性类型的存储器，其不需要电力来保持所存储的数据。对消费电子、云计算和大数据的增长需求带来了对更大容量和更好性能的NAND存储器的持久需求。随着常规二维(2D)NAND存储器接近其物理极限，三维(3D)NAND存储器现在扮演着重要角色。3D NAND存储器在单一管芯上使用多个堆叠层来实现更高密度、更高容量、更快性能、更低功耗和更好成本效率。
[0003]当制造3D NAND结构的接触焊盘时，沉积金属层，并且在工艺期间常常使用等离子体处理。等离子体处理可以对互补
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金属
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氧化物
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半导体(CMOS)电路生成等离子体诱导损伤(PID)。例如，在等离子体处理期间，非预期的高电场可能发展出应力，并且在使金属
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氧化物
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硅(MOS)晶体管中的栅极氧化物退化。另外，金属
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造三维(3D)存储器器件的方法，包括：提供用于所述3D存储器器件的衬底；在所述衬底的面侧的第一部分之上形成至少一个接触焊盘；在所述衬底的所述面侧的第二部分之上形成所述3D存储器器件的多个存储器单元；沉积第一电介质层以覆盖所述至少一个接触焊盘和所述3D存储器器件的所述多个存储器单元；在所述第一电介质层之上形成多个第一连接焊盘，所述多个第一连接焊盘连接到所述至少一个接触焊盘和所述3D存储器器件的所述多个存储器单元；将所述多个第一连接焊盘与外围结构的多个第二连接焊盘键合；以及从所述衬底的背侧暴露所述至少一个接触焊盘。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述3D存储器器件的所述多个存储器单元包括：形成第一层堆叠体，所述第一层堆叠体包括彼此交替堆叠的多个第一电介质堆叠层和多个导电堆叠层；以及穿过所述第一层堆叠体形成所述多个存储器单元。3.根据权利要求2所述的方法，其中：在形成所述第一层堆叠体之前，形成所述至少一个接触焊盘。4.根据权利要求2所述的方法，其中，穿过所述第一层堆叠体形成所述多个存储器单元包括：形成延伸穿过所述第一层堆叠体的多个沟道结构，其中，所述沟道结构中的每个包括功能层和沟道层，所述功能层在所述沟道层与所述第一层堆叠体之间。5.根据权利要求4所述的方法，其中，穿过所述第一层堆叠体形成所述多个存储器单元还包括：在形成所述第一层堆叠体之前，形成半导体层，所述多个沟道结构均延伸到所述半导体层中。6.根据权利要求5所述的方法，其中：所述半导体层包括一个或多个掺杂层。7.根据权利要求2所述的方法，其中：在所述衬底之上沉积第二电介质层之后并且在形成所述第一层堆叠体之前，形成所述至少一个接触焊盘。8.根据权利要求2所述的方法，其中：在形成所述第一层堆叠体之后并且在穿过所述第一层堆叠体形成所述多个存储器单元之前，形成所述至少一个接触焊盘。9.根据权利要求2所述的方法，其中：在修整所述第一层堆叠体的一部分以形成阶梯结构之后并且在穿过所述第一层堆叠体形成所述多个存储器单元之前，形成所述至少一个接触焊盘。10.根据权利要求7所述的方法，其中，暴露所述至少一个接触焊盘包括：穿过所述衬底和所述第二电介质层形成开口，以暴露所述至少一个接触焊盘。11.根据权利要求10所述的方法，其中，暴露所述至少一个接触焊盘还包括：
在形成所述开口以暴露所述至少一个接触焊盘之前，减薄或去除所述衬底。12.根据权利要求2所述的方法，还包括：在形成所述多个第一连接焊盘之前，形成第二层堆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永庆，胡思平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：