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提供了三维(3D)NAND存储器器件和方法。在一个方面中，一种用于3D NAND存储器器件的制造方法包括提供衬底，在衬底的面侧的第一部分之上形成至少一个接触焊盘，在衬底的面侧的第二部分之上形成存储器单元，沉积第一电介质层以覆盖至少一个接触焊...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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