流动介质监测装置制造方法及图纸

本发明专利技术的流动介质监测装置包括：光源部，用于照射光；第一准直器部，对光源部照射的光进行准直；流动池部，在所述流动池部中供流动介质流动，并且允许光沿着流动介质的行进方向行进的同时吸收流动介质的波长；以及光检测部，用于检测穿过流动池部的光的波长。用于检测穿过流动池部的光的波长。用于检测穿过流动池部的光的波长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】流动介质监测装置


[0001]本专利技术涉以及流动介质监测装置，更详细而言，涉以及一种能够在流动介质的使用条件下准确地监测流动介质的状态的流动介质监测装置。

技术介绍

[0002]一般而言，在半导体晶片或光伏电池等半导体制造工序中，执行蚀刻工序。在蚀刻工序中，为了蚀刻氮化硅膜而使用诸如磷酸溶液的高温蚀刻溶液(流动介质)。由于半导体晶片中诸如硅的溶出物溶解而包含于蚀刻溶液中，因而随着半导体晶片蚀刻工序的进行，蚀刻溶液中溶出物的浓度越来越增加。如果蚀刻溶液中溶出物的浓度增加到固定浓度以上，则更换蚀刻溶液。
[0003]由于蚀刻溶液在高温状态下难以微量分析硅的浓度，因而收集一部分蚀刻溶液并冷却到常温。为了增加所冷却的蚀刻溶液的检测灵敏度，多次执行化学处理后检测蚀刻溶液的浓度。
[0004]但是，以往在使蚀刻溶液冷却到常温后执行多次化学处理，因而检测误差范围随着蚀刻溶液的温度差而增加。因此，在实际半导体制程中使用的条件下，难以准确地预测蚀刻溶液的状态。
[0005]另外，在将高温的蚀刻溶液降低到常温时，溶出物容易从蚀刻溶液中析出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种流动介质监测装置，其特征在于，包括：光源部，所述光源部照射光；第一准直器部，对所述光源部照射的光进行准直；流动池部，供流动介质流动，并且使得光沿着流动介质的行进方向行进的同时吸收流动介质的波长；以及光检测部，检测穿过所述流动池部的光的波长。2.根据权利要求1所述的流动介质监测装置，其特征在于，所述光检测部包括：第二准直器部，使穿过所述流动池部的光聚光；以及光检测单元部，检测穿过所述第二准直器部的光的波长。3.根据权利要求1所述的流动介质监测装置，其特征在于，所述光源部包括：发光灯，所述发光灯照射光；以及凸透镜部，使所述发光灯照射的光聚光。4.根据权利要求1所述的流动介质监测装置，其特征在于，所述第一准直器部使来自所述光源部的具有固定角度而入射的光的角度变得平行。5.根据权利要求2所述的流动介质监测装置，其特征在于，所述第二准直器部使穿过所述流动池部的平行的光聚光于所述光检测单元部。6.根据权利要求1所述的流动介质监测装置，其特征在于，还包括降低噪声部，所述降低噪声部安装于所述光检测部，以冷却所述光检...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴贤国，崔畅镐，朴成焕，
申请(专利权)人：杰宜斯科技ENP有限公司，
类型：发明
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