激活存储器装置的输入/输出线的方法以及相关装置及系统制造方法及图纸

本申请案涉及激活存储器装置的输入/输出线的方法，以及相关装置及系统。一种方法可包含：产生第一控制信号以在第一时间激活与存储器库的第一数据端子区域相关联的第一数目个主要输入/输出MIO线。所述方法还可包含：产生第二控制信号以在第二后续时间激活与所述存储器库的第二数据端子区域相关联的第二数目个MIO线。此外，所述方法可包含：响应于命令而将所述第一控制信号及所述第二控制信号中的每一者复位。还揭示相关联设备及系统。每一者复位。还揭示相关联设备及系统。每一者复位。还揭示相关联设备及系统。

【技术实现步骤摘要】
激活存储器装置的输入/输出线的方法以及相关装置及系统
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2019年10月10日提出申请的美国专利申请案第16/598,938号“激活存储器装置的输入/输出线的方法以及相关装置及系统(Methods of Activating Input/Output Lines of Memory Devices,and Related Devices and Systems)”的申请日期的权益。


[0003]本专利技术的实施例涉及激活存储器装置的输入/输出线。更具体来说，各种实施例涉及经由一定数目个控制信号而激活存储器装置的一定数目个主要输入/输出线，且涉及相关方法、装置及系统。

技术介绍

[0004]存储器装置通常经提供为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含(举例来说)随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、双倍数据速率存储器(DDR)、低功率双倍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：存储器阵列，其包含一定数目个存储器库，所述数目个存储器库中的每一存储器库包括：第一区域，其耦合到第一数目个主要输入/输出MIO线；第二区域，其耦合到第二数目个MIO线；及信号产生器，其耦合到所述存储器阵列且经配置以：产生第一控制信号，其在第一时间激活所述第一数目个MIO线；及产生第二控制信号，其在第二后续时间激活所述第二数目个MIO线。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号产生器经配置以响应于读取命令及写入命令中的一者而产生所述第一控制信号及所述第二控制信号中的每一者。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号产生器进一步经配置以响应于预充电命令而将所述第一控制信号及所述第二控制信号中的每一者复位。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一区域包括上部数据端子区域。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第二区域包括下部数据端子区域。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述数目个存储器库中的每一存储器库进一步包括经配置以接收所述第一控制信号及所述第二控制信号中的一者的传送门。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号产生器包含：第一路径，其包含第一延迟元件及第一触发器，用以产生所述第一控制信号；及第二路径，其包含所述第一延迟元件、第二延迟元件及第二触发器，用以产生所述第二控制信号。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号产生器进一步经配置以：在产生所述第一控制信号之前产生列选择信号；及响应于接收到命令信号而将所述列选择信号、所述第一控制信号及所述第二控制信号中的每一者复位。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一数目个MIO线的长度大于所述第二数目个MIO线的长度。10.一种操作存储器装置的方法，其包括：产生第一控制信号以在第一时间激活耦合到存储器库的第一数据端子区域的第一数目个主要输入/输出MIO线；产生第二控制信号以在第二后续时间激活耦合到所述存储器库的第二数据端子区域的第二数目个MIO线；及响应于命令而将所述第一控制信号及所述第二控制信...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野洋介，清水淳史，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：