【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】从室清除SnO2膜的方法
呈现的实施方案涉及半导体衬底处理方法和设备工具，更具体而言，涉及用于在等离子体蚀刻处理(例如用于清洁等离子体处理室)期间减少锡氧化物粉末形成的方法和系统。
技术介绍
集成电路(IC)的制造通常涉及等离子体处理步骤。在等离子体处理期间，衬底(例如半导体、电介质、或金属衬底)在真空处理室中在等离子体存在下受到蚀刻剂的作用。因此，衬底具有被等离子体蚀刻的材料、或具有沉积于衬底的暴露表面上的材料。虽然等离子体处理的大多数反应物及副产物通过真空泵从室中排出，但不期望有的颗粒可能通过附着于处理室的壁和部件而留在室内。经过等离子体处理步骤的多次重复，可能形成包含等离子体处理的一或更多种副产物的膜。这种膜的存在可能污染后继的处理步骤，因为膜的颗粒可能升华并且对工艺化学过程造成不利影响。此外，膜的部分可能从各种表面剥离并导致晶片衬底上的缺陷。本文的实施方案就是在该背景下产生的。
技术实现思路
本文的实施方案涉及用于从等离子体处理室蚀刻和清除锡(IV)氧化物(SnO2，也称为二氧化锡(sta...
【技术保护点】
1.一种从处理室清除SnO
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20180809 US 16/100,1441.一种从处理室清除SnO2残留物的方法，其包含：
将烃气和氢气引入等离子体处理系统中；
利用由所述等离子体处理系统的等离子体源所产生的等离子体从所述处理室的表面蚀刻所述SnO2残留物，使用所述氢气蚀刻所述SnO2残留物而产生SnH4气体，所述SnH4气体与所述烃气进行反应以生成能挥发的有机锡化合物；以及
将所述有机锡化合物从所述处理室中排空，其中以一定比率将所述烃气与所述氢气一起引入使得SnH4气体分解成Sn粉末的速率降低。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃气被配置成为SnH4气体提供用于生成所述有机锡化合物的反应途径，所述反应途径比所述SnH4气体分解成Sn粉末的反应在动力学上更有利，其中生成所述有机锡化合物使得所述有机锡化合物能够从所述处理室中抽出，以防止Sn粉末在蚀刻所述SnO2残留物期间沉积在所述处理室的所述表面上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中使所述处理室的温度维持在介于65℃至300℃之间，以使所述有机锡化合物能够挥发并且使挥发的所述有机锡化合物能够从所述处理室中抽出。
4.根据权利要求1所述的方法，其中使所述处理室的压强维持在介于0.1Torr至10Torr之间，以使SnH4能够与所述烃气进行反应以生成所述有机锡化合物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中烃气流量与氢气流量的比率介于1％-60％之间。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，1％或更高的所述烃气流量比所述氢气流量的比率能使足够的烃反应物与SnH4进行反应，以减少SnH4分解成Sn粉末，且其中，60％或更低的所述烃气流量比所述氢气流量的比率防止碳质聚合物的形成及其在所述处理室的所述表面上的沉积。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃气选自由以下各项所组成的群组：CH4、CH3OH、C2H5OH、HCOOH、NH3+/CH4的混合物、或(CH3)xSn(N(CH3)2)y，其中(x+y＝4)。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃气和所述氢气被引入所述处理室中，以通过所述处理室的电容耦合式等离子体(CCP)源而产生所述等离子体。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃气和所述氢气被引入至远离所述处理室的感应耦合式等离子体(ICP)源中以产生等离子体，且将在其中产生的自由基馈送至所述处理室中以进行所述蚀刻。
10.根据权利要求1所述的方法，其中将烃气和所述氢气引入至所述处理室中以通过CCP源而产生等离子体，以及引入至ICP源中以通过所述ICP源而产生等离子体，其中由所述CCP源和所述ICP源所产生的自由基被用于所述蚀刻。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃气被引入所述处理室中以通过CCP源而产生等离子体，且由所述CCP源所产生的自由基与所述SnH4进行反应以生成所述有机锡化合物，且其中所述氢气被引入至远离所述处理室的ICP源中以产生等离子体，且由所述ICP源所产生的自由基被输送至所述处理室中以用于蚀刻所述SnO2残留物。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述烃气和所述氢气被引入至所述处理室中，所述方法还包含：
将氢气或氦气引入至ICP源中以产生等离子体，所述等离子体生成自由基；以及
将所述自由基输送至所述处理室中以使所述烃气和所述氢气离子化，以用于蚀刻所述SnO2残留物。
技术研发人员：阿希尔·辛格哈尔，达斯汀·扎卡里·奥斯丁，何钟硕，刘培池，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。