洗净装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种洗净装置，可抑制真空状态下的静电吸附力的减少，并去除半导体制造装置的真空处理室内的异物。所述洗净装置包括：异物吸附部4，在绝缘体的内部设置有包含一对电极的吸附电极3；以及吸附控制部5，将控制开关接通来使所述吸附电极带电，使绝缘体的表面显现静电吸附力而可吸附异物；且所述吸附控制部5的控制开关是可进行外部操作的远程操作型的开关，针对在真空状态下被封闭的真空封闭空间内的所述洗净装置，将控制开关接通，由此可通过在真空状态下显现的静电吸附力来去除真空处理室内的异物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】洗净装置
本专利技术涉及一种用于去除半导体制造装置的真空处理室内的异物的洗净装置，详细而言，本专利技术涉及一种在绝缘体的内部包括吸附电极，可通过静电吸附力来吸附并去除异物的洗净装置。
技术介绍
例如，在离子注入装置或蚀刻装置、化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)装置或光刻装置等各种半导体制造工艺中所使用的半导体制造装置的真空处理室内附着或悬浮有半导体的制造过程中产生的各种异物。作为其一例，可列举：来自硅晶片的断片或抗蚀剂的残留物、等离子体或因机械式的摩擦而产生的源自真空处理室内的结构构件的灰尘或尘土、以及因晶片的搬送而自外部带入的粒子等(在本说明书中，将这些总称为异物)。若此种异物堆积于真空处理室内，则例如在使用吸附固定如硅晶片等那样的被处理物的静电吸盘的情况下，存在如下的问题：异物介于静电吸盘的吸附面与被处理物之间，静电吸盘与被处理物的接触变得不充分，由静电吸盘所产生的被处理物的冷却性能下降。另外，因在被处理物的背面侧存在异物，而导致被处理物的位置精度产生紊乱，例如在光刻装置中也产生焦距不一致等问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种洗净装置，是用于去除半导体制造装置的真空处理室内的异物的洗净装置，其特征在于包括：/n异物吸附部，在绝缘体的内部设置有包含一对电极的吸附电极；以及吸附控制部，将控制开关接通来使所述吸附电极带电，使所述绝缘体的表面显现静电吸附力而能够吸附异物；且/n所述吸附控制部的控制开关是能够进行外部操作的远程操作型的开关，针对在真空状态下被封闭的真空封闭空间内的所述洗净装置，将控制开关接通，由此可通过在真空状态下显现的静电吸附力来去除真空处理室内的异物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180830 JP 2018-1615621.一种洗净装置，是用于去除半导体制造装置的真空处理室内的异物的洗净装置，其特征在于包括：
异物吸附部，在绝缘体的内部设置有包含一对电极的吸附电极；以及吸附控制部，将控制开关接通来使所述吸附电极带电，使所述绝缘体的表面显现静电吸附力而能够吸附异物；且
所述吸附控制部的控制开关是能够进行外部操作的远程操作型的开关，针对在真空状态下被封闭的真空封闭空间内的所述洗净装置，将控制开关接通，由此可通过在真空状态下显现的静电吸附力来去除真空处理室内的异物。


2.根据权利要求1所述的洗净装置，其中所述吸附控制部包括与外部电源的连接端子、利用外部电源的电压来充电并蓄积电荷的电容器、以及用于将蓄积于电容器的电荷放电来使吸附电极带电的放电开关，并且所述放电开关构成所述控制开关，
在大气压下将外部电源与所述连接端子连接来对所述电容器进行充电后，将所述洗净装置配置于真空封闭空间内并将所述放电开关接通，由此在真空状态下使静电吸附力显现。


3.根据权利要求2所述的洗净装置，其中所述放电开关是通过磁力来进行运行的舌簧开关，电容器与吸附电极之间的传导电流朝所述舌簧开关流通。


4.根据权利要求2所述的洗净装置，其中所述放电开关包含交换电路，所述交换电路具有固态继电器、使固态继电器工作的电池、以及将两者连接的电路开关，所述电路开关是选自由定时器式开关、激光感知式开关、及通过磁力来进行运行的舌簧开关所组成的群组中的任一种远程操作型开关。

【专利技术属性】
技术研发人员：辰己良昭，平野信介，多原主哲，
申请(专利权)人：创意科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP