离子植入系统中的发泡体技术方案

本发明专利技术公开一种半导体处理设备，其包括具有导电或不导电多孔材料的一个或多个组件。在一些实施例中，离子植入机可包括用于将离子束引导到目标的多个束线组件以及沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面设置的多孔材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】离子植入系统中的发泡体本申请是在2018年10月16日提出申请的美国非临时专利申请第16/161,989号的部分接续案，所述美国非临时专利申请主张在2018年9月7日提出申请的美国临时专利申请第62/728,429号的优先权，所述各申请的全部内容并入本文中供参考。
本专利技术的实施例涉及半导体结构的离子植入。更具体来说，本专利技术的实施例涉及在离子植入系统中使用导电或不导电发泡体(foam)。
技术介绍
离子植入是一种用于将杂质离子掺杂到衬底(例如半导体晶片)中的工艺。通常，将离子束从离子源腔室朝向衬底引导。向离子源腔室供应不同的馈送气体，以获得用于形成具有特定掺杂剂特性的离子束的等离子。例如，从馈送气体PH3、BF3或AsH3，在离子源内产生各种原子离子及分子离子，且随后对所述离子进行加速并进行质量选择。所生成的离子到衬底中的植入深度是基于离子植入能量及离子质量。可以不同的剂量及不同的能量级在目标晶片或衬底中植入一种或多种类型的离子物质，以获得所期望的装置特性。衬底中精确的掺杂分布对于正常的装置操作来说至关重要。<br>当在植入工艺期本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入机，包括：/n多个束线组件，用于将离子束引导到目标；以及/n多孔材料，沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180907 US 62/728,429;20181016 US 16/161,989;20191.一种离子植入机，包括：
多个束线组件，用于将离子束引导到目标；以及
多孔材料，沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面。


2.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述目标是位于工艺腔室内的晶片。


3.根据权利要求2所述的离子植入机，其中所述多孔材料沿着所述工艺腔室的工艺腔室壁设置。


4.根据权利要求2所述的离子植入机，其中所述晶片由台板支撑，且其中所述多孔材料沿着所述台板的表面设置。


5.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述多孔材料包括铝发泡体、碳化硅发泡体、氧化铝发泡体或石墨发泡体。


6.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述多孔材料具有均匀的孔隙密度或不均匀的孔隙密度。


7.根据权利要求1所述的离子植入机，其中所述多个束线组件包括等离子泛射枪，其中所述多孔材料沿着所述等离子泛射枪的表面设置。


8.一种设备，包括：
多个束线组件，沿着设置，用于将离...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·艾伦·皮克斯利，艾立克·赫尔曼森，菲力浦·莱恩，留德米拉·史东，汤玛士·史泰西，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US