包含内部加热元件的导电束光学器件制造技术

本文提供减少离子植入机中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含内部加热元件的导电束光学器件
本公开大体涉及离子植入机，且更具体来说涉及用于通过减少粒子积聚来提高处理腔室内的组件的性能并延长所述组件的寿命的导电束光学器件。
技术介绍
离子植入是通过轰击(bombardment)将掺杂剂或杂质引入衬底中的工艺。在半导体制造中，引入掺杂剂来改变电学性质、光学性质或机械性质。举例来说，掺杂剂可被引入本征半导体衬底中以改变衬底的导电性类型及导电性水平。在制造集成电路(integratedcircuit，IC)时，精确的掺杂分布(dopingprofile)会改善集成电路的性能。为了实现所需掺杂分布，可采用各种剂量及各种能级的离子形式植入一种或多种掺杂剂。离子植入系统可包括离子源及一系列束线组件。离子源可包括产生所需离子的腔室。离子源还可包括电源(powersource)和设置在腔室附近的提取电极总成。所述束线组件可包括例如质量分析器、第一加速或减速级(accelerationordecelerationstage)、准直器及第二加速或减速级。与用于操纵光束的一系列光学透镜非常类似，束线组件可对具有所需物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于向晶片递送离子束的静电过滤器，所述静电过滤器包括：/n壳体；以及/n多个导电束光学器件，位于所述壳体内，所述多个导电束光学器件围绕离子束线排列，其中所述多个导电束光学器件中的至少一个导电束光学器件包括内部加热元件。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180221 US 15/901,7781.一种用于向晶片递送离子束的静电过滤器，所述静电过滤器包括：
壳体；以及
多个导电束光学器件，位于所述壳体内，所述多个导电束光学器件围绕离子束线排列，其中所述多个导电束光学器件中的至少一个导电束光学器件包括内部加热元件。


2.根据权利要求1所述的用于向晶片递送离子束的静电过滤器，其中所述内部加热元件是加热灯，且其中所述至少一个导电束光学器件还包括：
空心壳，环绕所述加热灯；以及
导体，与所述加热灯电连接。


3.根据权利要求2所述的用于向晶片递送离子束的静电过滤器，其中所述空心壳是玻璃碳。


4.根据权利要求2所述的用于向晶片递送离子束的静电过滤器，其中所述空心壳是石墨。


5.根据权利要求2所述的用于向晶片递送离子束的静电过滤器，还包括设置在所述空心壳的每一端内的绝缘体。


6.根据权利要求1所述的用于向晶片递送离子束的静电过滤器，所述多个导电束光学器件包括：
一组入口孔电极，靠近所述壳体的入口孔；
一组高能电极，沿着所述离子束线位于所述一组入口孔电极的下游；以及
一组接地电极，沿着所述离子束线位于所述一组高能电极的下游，其中所述一组高能电极被定位成比所述一组入口孔电极及所述一组接地电极更远离所述离子束线。


7.根据权利要求6所述的用于向晶片递送离子束的静电过滤器，其中所述一组高能电极中的每一者包括内部加热元件。


8.根据权利要求1所述的用于向晶片递送离子束的静电过滤器，还包括与所述多个导电束光学器件通信的电气系统，所述电气系统被配置成独立地向所述多个导电束光学器件中的每一者供应电压及电流。


9.根据权利要求8所述的用于向晶片递送离子束的静电过滤器，所述电气系统包括一组继电器，所述一组继电器能够操作以...

【专利技术属性】
技术研发人员：常胜武，法兰克·辛克莱，亚历山大·利坎斯奇，克里斯多夫·坎贝尔，罗伯特·C·林德柏格，艾立克·D·赫尔曼森，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US