时间相关缺陷检查装置制造方法及图纸

公开了一种改进的带电粒子束检查装置，更具体公开了一种用于检测薄型器件结构的缺陷的粒子束检查装置。束检查装置包括：带电粒子束源，其用于在时间序列上将带电粒子引导到晶片的受检查的位置处；以及控制器，该控制器被配置为在时间序列上的不同时间对晶片的区域的多个图像(510‑538)进行采样。多个图像被比较，以检测电压对比差异或电压对比改变(560‑564)，以标识薄型器件结构缺陷(562)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】时间相关缺陷检查装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月28日提交的美国申请62/723,995的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本文中所提供的实施例公开了一种粒子束检查装置，更具体公开了一种包括改进检测单元的粒子束检查装置。
技术介绍
当制造半导体集成电路(IC)芯片时，在制造过程期间，图案缺陷或未经邀请的粒子(残留物)不可避免地出现在晶片或掩模上，从而降低了良品率。例如，对于具有较小关键特征尺寸的图案而言，未经邀请的粒子可能会很麻烦，这些关键特征尺寸已被采用以满足日益增长的IC芯片性能要求。具有带电粒子束的图案检查工具已经用于检测缺陷或未经邀请的粒子。这些工具通常采用扫描电子显微镜(SEM)。在SEM中，能量相对较高的初级电子束被减速，以相对较低的着陆能量着陆在样本上并且被聚焦以在其上形成探针斑(probespot)。由于初级电子的这个经聚焦探针斑，所以从表面生成次级电子。次级电子可以包括由于初级电子与晶片的相互作用而导致的反向散射电子、次级电子或俄歇(auger)电子。通过在样本表面上方扫描探针斑并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于检查晶片的带电粒子束系统，包括：/n带电粒子束源，包括电路系统，所述电路系统在一个或多个时间序列上将带电粒子引导到所述晶片的一个或多个区域；以及/n控制器，包括电路系统，所述电路系统用于：/n在所述一个或多个时间序列中的第一时间序列期间，生成所述一个或多个区域中的第一区域的第一组图像；以及/n处理所述第一组图像，以检测所述晶片中的薄型器件结构中的缺陷。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180828 US 62/723,9951.一种用于检查晶片的带电粒子束系统，包括：
带电粒子束源，包括电路系统，所述电路系统在一个或多个时间序列上将带电粒子引导到所述晶片的一个或多个区域；以及
控制器，包括电路系统，所述电路系统用于：
在所述一个或多个时间序列中的第一时间序列期间，生成所述一个或多个区域中的第一区域的第一组图像；以及
处理所述第一组图像，以检测所述晶片中的薄型器件结构中的缺陷。


2.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于：
从所述第一组图像中采样第一图像和第二图像，其中所述第一图像在所述第一时间序列的第一时间处被采样，而所述第二图像在所述第一时间序列的第二时间处被采样；以及
比较所述第一图像与所述第二图像，以标识所述晶片的所述一个或多个区域中的所述第一区域处的所述缺陷。


3.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于：
在所述一个或多个时间序列中的第二时间序列期间，生成所述一个或多个区域中的所述第一区域的第二组图像；
从所述第一组图像中采样第一图像，而从所述第二组图像中采样第二图像；以及
比较所述第一图像与所述第二图像，以标识所述晶片的所述一个或多个区域中的所述第一区域处的所述缺陷。


4.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括电路系统，所述电路系统用于：
在所述一个或多个时间序列中的第二时间序列期间，生成所述一个或多个区域中的第二区域的第二组图像，其中所述第一区域和所述第二区域包括相同器件结构；
从所述第一组图像中采样第一图像，而从所述第二组图像中采样第二图像；以及
比较所述第一图像与所述第二图像，以标识所述晶片的所述一个或多个区域中的所述第一区域处或所述第二区域处的所述缺陷。


5.根据权利要求3所述的系统，其中所述第一图像和所述第二图像在所述第一时间序列和所述第二时间序列中的对应时间处被采样。


6.根据权利要求2所述的系统...

【专利技术属性】
技术研发人员：任志榆，祃龙，王勇军，蒋军，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL