【技术实现步骤摘要】
一种基于维恩分析器校正二阶像差的设计方法
本专利技术涉及半导体检测
和电子束成像领域，具体涉及一种基于维恩分析器校正二阶像差的设计方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展和工艺技术的进步，器件尺寸不断缩小，那些在以前节点上曾经不太重要的缺陷和颗粒可能会对器件性能造成致命的影响。同时由于新材料的引入、新工艺的研发和新一代光刻技术的使用，带来了许多新的缺陷问题。为了满足物理研究及半导体器件和集成电路生产的需要，要求电子束成像系统和检测设备具有更高的分辨率、更大的扫描场。之前追求的是在高的放大倍率时有很高的分辨率，即很小的轴上像差，而对轴外像差要求不是很严格，也就是说随着扫描场的增加引起的系统像差的急剧增加。对于电子束成像系统和检测设备，既要求有高的轴上分辨率，又希望在大的扫描场内具有小的轴外像差。因此，系统中都考虑有偏转系统的设计。当偏转系统存在时，实现了较大的扫描场时，边缘上的物点离光轴远，光束倾斜大，随着偏转激励的增大，即视场的增大，主光轴也随之偏离系统轴，此时电子束不能在x和y向很好的聚焦，产生了象散，同时偏转...
【技术保护点】
1.一种基于维恩分析器校正二阶像差的设计方法，其特征在于，当电子束成像或检测系统有偏转系统的存在时，分析因偏转系统带来的二阶像差；进而利用维恩分析器，引入四极场去补偿电子束成像或检测系统因偏转系统带来的二阶像差。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于维恩分析器校正二阶像差的设计方法，其特征在于，当电子束成像或检测系统有偏转系统的存在时，分析因偏转系统带来的二阶像差；进而利用维恩分析器，引入四极场去补偿电子束成像或检测系统因偏转系统带来的二阶像差。
2.根据权利要求1所述的一种基于维恩分析器校正二阶像差的设计方法，其特征在于，当电子束成像或检测系统有偏转系统的存在时，此时沿着光轴附近将场函数做级数展开分析电子束成像或检测系统电子光学特性，即能够分析因偏转系统带来的二阶像差。
3.根据权利要求1所述的一种基于维恩分析器校正二阶像差的设计方法，其特征在于，利用维恩分析器，通过给圆弧电极施加电压信号激励，使维恩分析器产生所需的四极场，叠加在维恩分析器上，控制调节加入四极场的方位角和激励强度，从而达到补偿电子束成像或检测系统因偏转系统带来的二阶像...
【专利技术属性】
技术研发人员：康永锋，常飞浩，胡航锋，赵静宜，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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