Mn-Ta-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法技术

提供溅射靶及其制备方法，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Ta、W、Cu和O的Mn‑Ta‑W‑Cu‑O系溅射靶，相对密度为90%以上，并且含有Mn

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Mn-Ta-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法
本专利技术涉及特别是对光信息记录介质的记录层的形成有用的Mn-Ta-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法。
技术介绍
近年来，在光信息记录介质(光盘)的领域中，随着所处理的数据的增大等，要求光盘的大容量化。光盘大致分为只读和记录型，记录型进一步细分为一次写入型和可重写型这2类。作为一次写入型的记录层材料，以往广泛研究了有机色素材料，但随着近年来的大容量化，无机材料也得到广泛研究。作为使用无机材料的有用的记录方式，有利用以下事实的记录方式：通过对含有分解温度低的无机氧化物的记录层照射激光，记录层的物性变化，光学常数随之变化。作为无机氧化物材料，钯氧化物得到实用化。但是，由于Pd为贵金属，材料成本高，所以期望开发可代替钯氧化物而以低廉的材料成本实现的记录层。作为以低廉的材料成本得到充分良好的记录特性的记录层，开发了由锰氧化物系材料构成的记录层。例如，在专利文献1中，公开了含有锰氧化物和W等多种无机元素的记录层以及为了形成该记录层而使用的溅射靶。现有技术文献专利文献专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.溅射靶，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Ta、W、Cu和O的Mn-Ta-W-Cu-O系溅射靶，/n相对密度为90%以上，并且含有Mn

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180919 JP 2018-1747121.溅射靶，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Ta、W、Cu和O的Mn-Ta-W-Cu-O系溅射靶，
相对密度为90%以上，并且含有Mn4Ta2O9的结晶相。


2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，Ta和W合计的比例低于65原子%。


3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，在所述成分组成中还含有Zn。


4.根据权利要求1~3中任一项所述的溅射靶，其中，在所述成分组成中还含有选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素。


5.根据权利要求4所述的溅射靶，其中，相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，所述选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、...

【专利技术属性】
技术研发人员：加守雄一，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP