成膜装置以及成膜方法制造方法及图纸

以高量产性且更均匀的膜厚分布在基板上形成膜。在成膜装置中，基板支架支撑至少一个与第一靶相向的基板，以第一中心轴为中心旋转，基板能够以偏离上述第一中心轴的第二中心轴为中心旋转。真空容器收纳上述第一靶和基板支架。电力源向第一靶供给放电电力。气体供给机构向真空容器供给放电气体。在将与第一中心轴正交的方向上的第一中心轴与第二中心轴之间的距离设为Ds，将与第一中心轴正交的方向上的第一中心轴与第一靶的中心之间的距离设为Dt，将第一靶的半径设为R，将第一中心轴的方向上的第一靶与基板之间的距离设为H，将Ds与Dt的差的绝对值设为A的情况下，满足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的关系式。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜装置以及成膜方法
本专利技术涉及一种成膜装置以及成膜方法。
技术介绍
近年来，在成膜装置中，为了改善在基板上形成的膜的膜厚分布，提供了以下的装置，即一边使与溅射靶相向的基板支架旋转且使被基板支架支撑的基板旋转，一边在基板上成膜(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-147677号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在这样的装置中，存在不仅要求高的量产性，还对膜厚分布要求更严格的规格的情况。鉴于以上的情况，本专利技术的目的在于，提供一种能够以高量产性且更均匀的膜厚分布在基板上形成膜的成膜装置以及成膜方法。用于解决问题的手段为了达成上述目的，本专利技术的一方式的成膜装置具有第一靶、基板支架、真空容器、电力源以及气体供给机构。上述基板支架支撑至少一个与上述第一靶相向的基板，上述基板支架以第一中心轴为中心旋转，上述基板能够以偏离上述第一中心轴的第二中心轴为中心旋转。上述真空容器收纳上述第一靶和上述基板支架。上述电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，其中，/n具有：/n第一靶，/n基板支架，支撑至少一个与所述第一靶相向的基板，所述基板支架以第一中心轴为中心旋转，所述基板能够以偏离所述第一中心轴的第二中心轴为中心旋转，/n真空容器，收纳所述第一靶和所述基板支架，/n电力源，向所述第一靶供给放电电力，以及/n气体供给机构，向所述真空容器供给放电气体；/n在将与所述第一中心轴正交的方向上的所述第一中心轴与所述第二中心轴之间的距离设为Ds，/n将与所述第一中心轴正交的方向上的所述第一中心轴与所述第一靶的中心之间的距离设为Dt，/n将所述第一靶的半径设为R，/n将所述第一中心轴的方向上的所述第一靶与所述基板之间的距离设为H，/n将...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181228 JP 2018-2477921.一种成膜装置，其中，
具有：
第一靶，
基板支架，支撑至少一个与所述第一靶相向的基板，所述基板支架以第一中心轴为中心旋转，所述基板能够以偏离所述第一中心轴的第二中心轴为中心旋转，
真空容器，收纳所述第一靶和所述基板支架，
电力源，向所述第一靶供给放电电力，以及
气体供给机构，向所述真空容器供给放电气体；
在将与所述第一中心轴正交的方向上的所述第一中心轴与所述第二中心轴之间的距离设为Ds，
将与所述第一中心轴正交的方向上的所述第一中心轴与所述第一靶的中心之间的距离设为Dt，
将所述第一靶的半径设为R，
将所述第一中心轴的方向上的所述第一靶与所述基板之间的距离设为H，
将Ds与Dt的差的绝对值设为A的情况下，
满足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的关系式。


2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
所述成膜装置还具有第二靶，所述第二靶在与所述第一中心轴正交的方向上与所述第一靶并排设置，
在将与所述第一中心轴正交的方向上的所述第一中心轴与所述第二靶的中心之间的距离设为Dt'，
将所述第二靶的半径设为R'，
将所述第一中心轴的方向上的所述第二靶与所述基板之间的距离设为H'，
将Ds与Dt'的差的绝对值设为A'的情况下，
满足Ds+Dt'≥H'、A'≥R'、H'≥R'的关系式。


3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中，Ds与Dt的差的符号和Ds与Dt'的差的符号相反。


4.根据权利要求2或3所述的成膜装置，其中，所述电力源向所述第一靶供给与所述第二靶不同的电力。


5.根据权利要求2～4中任一项所述的成膜装置，其中，所述基板的表面、所述第一靶的表面以及所述第二靶的表面的法线中的任意法线与所述第一中心轴交叉。


6.一种成膜装置，其中，
具有：
多个靶，
基板支架，支撑至少一个与所述多个靶相向的基板，所述基板支架以第一中心轴为中心旋转，所述基板能够以偏离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：小平周司，高桥铁兵，飞石尭大，山村典史，片桐弘明，久保纯也，铃木正明，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP