一种LCD钼靶材及其轧制方法与应用技术

本发明专利技术提供一种LCD钼靶材及其轧制方法与应用，所述轧制方法包括以下步骤：(1)在第一温度下加热钼靶坯并保温，进行第一火次轧制，得到第一钼靶坯；(2)在第二温度下加热步骤(1)所得第一钼靶坯并保温，进行第二火次轧制，得到第二钼靶坯；(3)在第三温度下加热步骤(2)所得第二钼靶坯并保温，进行第三火次轧制，校平后得到LCD钼靶材；其中，所述第一火次轧制、第二火次轧制与第三火次轧制分别独立地包括2‑4个道次。本发明专利技术提供的轧制方法避免了钼靶坯在轧制过程中发生板面绕曲及开裂现象，降低了操作难度，提高了成材率。

【技术实现步骤摘要】
一种LCD钼靶材及其轧制方法与应用
本专利技术属于溅射靶材
，涉及一种钼靶材，尤其涉及一种LCD钼靶材及其轧制方法与应用。
技术介绍
随着显示技术的迭代更新，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)因其高亮度、高对比度、高色域范围及可视角度等优势，应用场景正快速扩展。作为制备TFT-LCD薄膜的LCD钼靶材，其市场需求量也正逐步增大。TFT-LCD薄膜性质的优劣与钼靶材的质量密不可分，对靶材的纯度、致密度、晶粒度及均匀性都有严格的要求。钼靶材的常规制备方法是粉末冶金与轧制，其流程主要包括装模、压制烧结，轧制TMP以及机加工等后续一系列复杂工序，其中轧制TMP工序是为了进一步提高钼靶材的致密度，通过热处理对靶材的微观组织进行调整优化。一般LCD钼靶材，尤其涉及大尺寸钼靶材，压制烧结后坯料容易变形，并且由于轧制工艺的不成熟，例如每个火次每个道次轧制的变形量、轧制速度，开坯轧制温度、低温轧制温度、终轧温度以及相应的保温时间等的不成熟、不确定，大大增加了轧制过程中的不确定性，轧制过程容易发生板面绕曲，甚者出现轧制开裂或卡料，增加了操作难度，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LCD钼靶材的轧制方法，其特征在于，所述轧制方法包括以下步骤：/n(1)在第一温度下加热钼靶坯并保温，进行第一火次轧制，得到第一钼靶坯；/n(2)在第二温度下加热步骤(1)所得第一钼靶坯并保温，进行第二火次轧制，得到第二钼靶坯；/n(3)在第三温度下加热步骤(2)所得第二钼靶坯并保温，进行第三火次轧制，校平后得到LCD钼靶材；/n其中，所述第一火次轧制、第二火次轧制与第三火次轧制分别独立地包括2-4个道次。/n

【技术特征摘要】
1.一种LCD钼靶材的轧制方法，其特征在于，所述轧制方法包括以下步骤：
(1)在第一温度下加热钼靶坯并保温，进行第一火次轧制，得到第一钼靶坯；
(2)在第二温度下加热步骤(1)所得第一钼靶坯并保温，进行第二火次轧制，得到第二钼靶坯；
(3)在第三温度下加热步骤(2)所得第二钼靶坯并保温，进行第三火次轧制，校平后得到LCD钼靶材；
其中，所述第一火次轧制、第二火次轧制与第三火次轧制分别独立地包括2-4个道次。


2.根据权利要求1所述的轧制方法，其特征在于，步骤(1)所述钼靶坯的长度为700-1100mm；
优选地，步骤(1)所述钼靶坯的宽度为200-500mm；
优选地，步骤(1)所述钼靶坯的厚度为50-100mm；
优选地，步骤(1)所述钼靶坯至少有一端为圆弧状；
优选地，步骤(1)所得第一钼靶坯在进行步骤(2)之前进行180°换向。


3.根据权利要求1或2所述的轧制方法，其特征在于，步骤(1)所述第一温度为1100-1300℃；
优选地，步骤(2)所述第二温度为1000-1200℃；
优选地，步骤(3)所述第三温度为1000-1200℃。


4.根据权利要求1-3任一项所述的轧制方法，其特征在于，步骤(1)所述保温的时间为60-120min；
优选地，步骤(2)所述保温的时间为10-30min；
优选地，步骤(3)所述保温的时间为10-30min。


5.根据权利要求1-4任一项所述的轧制方法，其特征在于，步骤(1)所述第一火次轧制的厚度变形量为40-50％，单个道次的厚度变形量为20-30％；
优选地，步骤(2)所述第二火次轧制的厚度变形量为30-40％，单个道次的厚度变形量为10-25％；
优选地，步骤(3)所述第三火次轧制的厚度变形量为20-30％，单个道次的厚度变形量为5-20％。


6.根据权利要求1-5任一项所述的轧制方法，其特征在于，步骤(1)所述第一火次轧制的速度为10-40m/min；
优选地，步骤(2)所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，郭红波，潘杰，王学泽，丁跃跃，
申请(专利权)人：宁波江丰钨钼材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33