一种PVD机台制造技术

技术编号:27933690 阅读:18 留言:0更新日期:2021-04-02 14:13
本实用新型专利技术公布一种PVD机台,包括设置在所述PVD机台内腔中的靶材、第一电极、第二电极和电源;所述靶材设置的走向为上下走向;所述第一电极和所述第二电极相互平行设置,所述第一电极正对所述第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述靶材的反应面的一侧,所述第一电极和所述第二电极均垂直于所述靶材的反应面;所述第一电极和所述第二电极连接有所述电源,所述第一电极和所述第二电极连接有所述电源从而产生电场,所述电场用于对靶材粒子产生方向向上的电场力。上述技术方案第一电极和第二电极之间在通电后形成电场,使靶材粒子不用受重力影响,最后不同的靶材粒子便可以均匀分布在基板上。

【技术实现步骤摘要】
一种PVD机台
本技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种PVD机台。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,缩写OLED)显示器具备低功耗、宽视角、响应速度快、超轻期薄和抗震性好等特点。OLED器件中的金属遮光层、有源层、栅极、源漏极和电极层均采用PVD(PhysicalVaporDeposition)机台进行沉积,OLED器件的薄膜均匀性对器件的良性显示至关重要。PVD(PhysicalVaporDeposition:物理气相沉积)是指在真空条件下,采用中电压、大电流的电弧放电技术,电离惰性气体(如He)产生He离子,He轰击靶材使靶材粒子在磁场的控制下旋转并均匀地沉积在基板上,薄膜在基板上形成的过程包括吸附过程、表面扩散过程和表面凝结过程。当原子溅射到基板上时,一部分会反弹回去,一部分气相会吸附在基板上,当吸附在基板上形成能量交换,失去法线上的动能,水平方向的动能使粒子继续扩散,扩散遇到阻力就凝结成核,最终在基板上形成薄膜。由于靶材成分不一,当多成分靶材在He+的轰击下,产生不同成分的靶材粒子,质量分数不一,受到重力的影响也不一样。在相同磁场作用下,当扩散在基板上时,分子质量大的原子动能更大,原子偏离的方向有原子类别聚集方向性,导致OLED器件有源层区域性的导电率,电子迁移率不同,影响显示效果。
技术实现思路
为此,需要提供一种PVD机台,解决靶材粒子沉积不均匀的问题。为实现上述目的,本实施例提供了一种PVD机台,包括设置在所述PVD机台内腔中的靶材、第一电极、第二电极和电源;所述靶材设置的走向为上下走向,所述靶材用于沉积靶材粒子到靶材的反应面对面的基板上;所述第一电极和所述第二电极相互平行设置,所述第一电极正对所述第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述靶材的反应面的一侧,所述第一电极和所述第二电极均垂直于所述靶材的反应面;所述第一电极和所述第二电极连接有所述电源从而产生电场,所述电场用于对靶材粒子产生方向向上的电场力。进一步地,所述电场力等于所述靶材粒子的重力。进一步地,还包括基板,所述基板平行所述靶材,所述基板正对所述靶材的反应面,所述基板与所述靶材的反应面之间设置有所述第一电极、所述第二电极。进一步地,所述第一电极和所述第二电极之间的间距大于所述靶材的长度;或者:所述第一电极和所述第二电极之间的间距大于所述基板的长度;或者:所述基板与所述靶材之间的间距大于所述第一电极的长度;或者:所述基板与所述靶材之间的间距大于所述第二电极的长度。进一步地,所述靶材包括磁性物,所述磁性物设置在所述靶材的内部。进一步地,所述磁性物为多个,多个的所述磁性物处于同一平面,并间隔设置。区别于现有技术,上述技术方案第一电极和第二电极之间在通电后形成电场。所述靶材的反应面是平行于电场的方向。靶材粒子被激发后,以离子或者带电原子的形式激发并脱离所述靶材,靶材粒子在电场中受到向上的电场力,可以抵消掉自身向下的重力。靶材粒子不用受重力影响,靶材粒子只受横向的电场力和磁场的作用,最后不同的靶材粒子便可以均匀分布在基板上,解决薄膜面内有源层电子迁移率不均的问题和电极层薄膜的电阻不均的问题,进而提升面板显示效果。附图说明图1为本实施例所述PVD机台的剖面结构示意图;图2为本实施例所述靶材粒子在电场中受力平衡的示意图;图3为本实施例所述靶材粒子移动的示意图。附图标记说明:1、靶材;2、基板;3、磁性物;4、第一电极;5、第二电极。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图1至图3,本实施例提供一种PVD机台,物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,缩写PVD)是使用PVD机台,利用电离的离子(如氦离子、氩离子等)轰击靶材1,使靶材1上的靶材粒子在磁场的控制下旋转并均匀地沉积在基板2上。包括设置在所述PVD机台内腔中的靶材1、第一电极4、第二电极5和电源,结构如图1所示。所述靶材1设置的走向为上下走向,所述靶材1用于沉积靶材粒子到靶材1正对面的基板2上。所述第一电极4和所述第二电极5相互平行设置,所述第一电极4正对所述第二电极5,所述第一电极4和所述第二电极5均位于靶材1的反应面的一侧。要说明的是,第一电极4和第二电极5之间正对,是指在垂直于第一电极4和第二电极5的方向上,二者能过完全重合或者是部分重合,使得电极工作。所述第一电极4和所述第二电极5连接有所述电源从而产生电场,所述电场用于对靶材粒子产生方向向上的电场力。优选的,让靶材粒子受到的电场力来平衡靶材粒子的重力。所述电源在附图上未体现,所述电源设置在反应区域的外部即可。可以是第一电极4设置在第二电极5上方,当第一电极4和第二电极5通电后,让第一电极4带负电,第二电极5带正电。这样第一电极4与第二电极5之间就形成一个电场,电场的方向为自第二电极5到第一电极4。现有技术中,由于各个种类的原子的质量不一样,所受的重力也不一样。靶材粒子受激发后,由于所受到的重力不一,靶材粒子偏转的区域范围成有规律可循,容易导致部分区域的In3+(铟离子)或者Ga3+(镓离子)聚集,最终导致面内载流子的迁移率不一样。区别于现有技术,上述技术方案中,第一电极4和第二电极5之间在通电后形成电场。所述靶材1的反应面是平行于电场的方向,靶材1的反应面是靶材粒子受激发后脱离靶材1的一面,在图1中靶材1的左侧面。靶材粒子被激发形成激荡带正电的In3+、Zn2+、Ga3+或者带正电的Ga2O3、In2O3、ZnO等。由于Ar+轰击靶材1后,靶材粒子以离子或者带电原子的形式激发并脱离所述靶材1,结构如图3所示。靶材粒子在电场中受到向上的电场力,可以抵消掉自身向下的重力。靶材粒子不用受重力影响,靶材粒子只受横向的电场力和磁场的作用,最后不同的靶材粒子便可以均匀分布在基板2上,解决薄膜面内有源层电子迁移率不均的问题和电极层薄膜的电阻不均的问题,进而提升面板显示效果。在本实施例中,还包括基板2,所述基板2起到承载半导体器件的作用,所以基板2是在制程需要时才放入PVD机台的内腔中。所述基板2可以是玻璃基板、塑料基板或者其它材料的基板等。所述基板2为上下设置,所述基板2正对所述靶材1的反应面,所述基板2与所述靶材1的反应面之间设置有所述第一电极4、所述第二电极5。所述基板2、所述靶材1、所述第一电极4和所述第二电极5的位置关系为:所述基板2位于PVD内腔的左侧,所述靶材1位于PVD内腔的右侧,所述第一电极4位于PVD机台的上侧,所述第二电极5位于PVD机台的下侧。优选的,所述第一电极4和所述第二电极5是平行于水平面的,这样所述第一电极4和所述第二电极5之通电连接后形成的电场的方向是竖直的,使得靶材粒子受到的电场力(电场力在图2上的标记为F)是竖直向上的。优选的,所述电场力等本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种PVD机台,其特征在于,包括设置在所述PVD机台内腔中的靶材、第一电极、第二电极和电源;/n所述靶材设置的走向为上下走向,所述靶材用于沉积靶材粒子到靶材的反应面对面的基板上;/n所述第一电极和所述第二电极相互平行设置,所述第一电极正对所述第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述靶材的反应面的一侧,所述第一电极和所述第二电极均垂直于所述靶材的反应面;/n所述第一电极和所述第二电极连接有所述电源从而产生电场,所述电场用于对靶材粒子产生方向向上的电场力。/n

【技术特征摘要】
1.一种PVD机台,其特征在于,包括设置在所述PVD机台内腔中的靶材、第一电极、第二电极和电源;
所述靶材设置的走向为上下走向,所述靶材用于沉积靶材粒子到靶材的反应面对面的基板上;
所述第一电极和所述第二电极相互平行设置,所述第一电极正对所述第二电极,所述第一电极和所述第二电极均位于所述靶材的反应面的一侧,所述第一电极和所述第二电极均垂直于所述靶材的反应面;
所述第一电极和所述第二电极连接有所述电源从而产生电场,所述电场用于对靶材粒子产生方向向上的电场力。


2.根据权利要求1所述的一种PVD机台,其特征在于,所述电场力等于所述靶材粒子的重力。


3.根据权利要求1所述的一种PVD机台,其特征在于,还包括基板,所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员:温质康林佳龙乔小平
申请(专利权)人:福建华佳彩有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1