Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法技术

提供溅射靶及其制备方法，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Nb、W、Cu和O的Mn‑Nb‑W‑Cu‑O系溅射靶，相对密度为90%以上，并且含有MnNb

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法
本专利技术涉及特别是对光信息记录介质的记录层的形成有用的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法。
技术介绍
近年来，在光信息记录介质(光盘)的领域中，随着所处理的数据的增大等，要求光盘的大容量化。光盘大致分为只读和记录型，记录型进一步细分为一次写入型和可重写型这2类。作为一次写入型的记录层材料，以往广泛研究了有机色素材料，但随着近年来的大容量化，无机材料也得到广泛研究。作为使用无机材料的有用的记录方式，有利用以下事实的记录方式：通过对含有分解温度低的无机氧化物的记录层照射激光，记录层的物性变化，光学常数随之变化。作为无机氧化物材料，钯氧化物得到实用化。但是，由于Pd为贵金属，材料成本高，所以期望开发可代替钯氧化物而以低廉的材料成本实现的记录层。作为以低廉的材料成本得到充分良好的记录特性的记录层，开发了由锰氧化物系材料构成的记录层。例如，在专利文献1中，公开了含有锰氧化物和W等多种无机元素的记录层和为了形成该记录层而使用的溅射靶。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2013/183277号。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在这里，作为用于形成前述由锰氧化物和W等多种无机元素构成的记录层的溅射法，有使用由各自的元素构成的多个溅射靶的多元溅射法和使用含有多种元素的1片复合溅射靶的方法。在专利文献1中，公开了多元溅射法，但存在不仅装置大型化而导致成本上升，而且容易产生组成偏差的缺点。因此，优选使用1片复合溅射靶的溅射。另外，从生产能力的观点出发，与高频溅射相比，期望使用直流(DC)溅射。但是，在由锰氧化物和W等多种无机元素构成的复合溅射靶中，容易含有WMnO4等绝缘粒。在DC溅射中，由于对复合溅射靶施加直流电压，所以在因复合溅射靶中的绝缘粒的影响而得不到充分的导电性的情况下，有产生异常放电(电弧)之虞。由于该成膜中的异常放电，对记录层造成损害，导致成品率降低。本专利技术鉴于上述情况而成，其目的在于，提供在供DC溅射时抑制异常放电，并且可稳定地成膜的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法。解决课题的手段为了达成上述目的，本专利技术提供一种溅射靶，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Nb、W、Cu和O的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶，相对密度为90%以上，并且含有MnNb2O3.67的结晶相。所述成分组成中，相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，Nb和W合计的比例可低于60原子%。所述溅射靶在所述成分组成中还可含有Zn。所述溅射靶在所述成分组成中还可含有选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素。相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，所述选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素的合计含有率可为8原子%~70原子%。另外，本专利技术提供一种制备方法，所述制备方法是所述Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶的制备方法，包括：混合工序，其中，将含有含锰粉末、金属铌粉末、含钨粉末和含铜粉末的混合粉末湿式混合10小时以上；和烧结工序，其中，在所述混合工序之后对所述混合粉末施加550kgf/cm2以上的压力并在700℃~900℃的温度下进行烧结。所述含锰粉末可为锰氧化物粉末，所述含钨粉末可为金属钨粉末，所述含铜粉末可为金属铜粉末。所述混合粉末还可含有锌氧化物粉末。所述混合粉末还可含有由选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素的单质或化合物构成的粉末。专利技术的效果根据本专利技术，可提供在供DC溅射时抑制异常放电，并且可稳定地成膜的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法。附图说明[图1]表示实施例1和比较例1所涉及的溅射靶的X射线衍射谱图的图。具体实施方式以下，对本实施方式进行详细的说明。[Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶]本实施方式所涉及的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶(以下简称为“靶”)在成分组成中含有Mn、Nb、W、Cu和O，相对密度为90%以上，并且含有MnNb2O3.67的结晶相。根据本实施方式所涉及的靶，在供DC溅射时抑制异常放电，并且可稳定地成膜。作为本实施方式所涉及的靶的成分比，无特殊限制，可根据目的适当选择。例如，相对于合计100原子%的Mn、Nb、W和Cu，Mn可为5原子%~40原子%，Nb可为10原子%~35原子%，W可为5原子%~30原子%，Cu可为5原子%~30原子%。本实施方式所涉及的靶中，相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，优选Nb和W合计的比例低于60原子%，也可低于55原子%，还可低于50原子%。相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，与Nb和W合计的比例为60原子%以上相比，低于60原子%的情况有可容易地将相对密度调整为90%以上的倾向。关于下限，无特殊限制，但相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，Nb和W合计的比例优选为20原子%以上。本实施方式所涉及的靶在成分组成中还可含有Zn。关于成分比，无特殊限制，可根据目的适当选择。例如，相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，Zn可为1原子%~35原子%。本实施方式所涉及的靶中，还可根据需要含有其它的成分组成。通过适当含有其它的元素，例如在为了形成信息记录介质的记录层而使用靶的情况下，可调整记录层的透射率、反射率和记录灵敏度。作为其它的元素，例如可列举出选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素。在含有选自上述Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素的情况下，其合计的含有率，例如在靶的构成元素中，相对于合计100%的除O(氧)以外的构成元素，可设为8原子%~70原子%。另外，本实施方式所涉及的靶含有MnNb2O3.67的结晶相。靶中含有的结晶相可通过X射线衍射法来确认。靶的X射线衍射谱图的取得可依据常规方法来进行。例如，可以使用RigakuCorporation制的SmartLab，对靶表面进行θ-2θ扫描，从而取得谱图。X射线衍射的测定条件可根据靶适当确定，例如可从以下的条件范围内选择：X射线源：Cu-Kα射线输出设定：20kV~100kV、10mA~100mA测角范围：2θ=5°~80°扫描速度：1°~4°(2θ/min)、连续扫描发散狭缝：0.5°~2°散射狭缝：0.5°~2°进光狭缝：0.1mm~0.5mm。靶的主要结晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.溅射靶，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Nb、W、Cu和O的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶，/n相对密度为90%以上，并且含有MnNb

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180919 JP 2018-1747131.溅射靶，所述溅射靶是在成分组成中含有Mn、Nb、W、Cu和O的Mn-Nb-W-Cu-O系溅射靶，
相对密度为90%以上，并且含有MnNb2O3.67的结晶相。


2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，Nb和W合计的比例低于60原子%。


3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，在所述成分组成中还含有Zn。


4.根据权利要求1~3中任一项所述的溅射靶，其中，在所述成分组成中还含有选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te、V、Si、Cr和Tb的至少1种元素。


5.根据权利要求4所述的溅射靶，其中，相对于合计100原子%的除O以外的构成元素，所述选自Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Mo、Sn、Bi、Ge、Co、Al、In、Pd、Ga、Te...

【专利技术属性】
技术研发人员：加守雄一，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP