溅射装置及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在基板上形成薄膜时，可在其整个面上得到更为均匀的薄膜厚度分布的溅射装置。溅射装置(SM)具有：真空室(1)，其中相对配置有基板(W)和靶(3)；等离子体产生装置，其在真空室内产生等离子体；以及磁铁单元(4)，其配置在靶的上方；磁铁单元具有基板侧的极性不同的多个磁铁，在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线以两端相连状闭合，并且磁铁单元在从靶中心朝向其周边缘部的虚拟线上被分割成多个部分(40a、40b)，所述多个部分分别具有多个磁铁(42a、42b)，所述磁铁单元还具有：驱动装置(5、6)，其绕靶中心分别旋转驱动各部分；以及角速度控制装置(72)，其在维持漏磁场的两端相连状的范围内控制各部分的角速度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射装置及成膜方法
本专利技术涉及一种溅射装置及成膜方法，所述溅射装置具有：真空室，其中相对配置有待处理基板和靶；等离子体产生装置，其在真空室内产生等离子体；以及磁铁单元，以真空室内从基板朝向靶的方向为上，所述磁铁单元配置在靶的上方。
技术介绍
这类溅射装置例如在专利文献1中已知。在该溅射装置中，为了防止包括靶中心在内的中央区域被局部侵蚀，在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场通过磁场的垂直分量为零的位置的线以两端相连状闭合。沿该两端相连状闭合的线产生高密度的等离子体，通过等离子体中的离子对靶进行溅射，通过溅射使从靶飞散出的溅射粒子附着堆积在基板表面上，以此来形成薄膜。在成膜过程中，通过绕靶中心旋转驱动磁铁单元改变靶的漏磁场所作用的区域，而使靶在其整个面上被均匀地侵蚀，提高靶的使用效率。再有，当靶的材料和真空室内的压力等溅射条件不同时，溅射粒子的飞散分布改变，这导致例如有时基板外周部的周方向的薄膜厚度分布改变。像这样在周方向的薄膜厚度分布已改变时对其进行调整的方法例如在专利文献2中已知。在该方法中，将相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射装置，其具有：真空室，其中相对配置有待处理基板和靶；等离子体产生装置，其在真空室内产生等离子体；以及磁铁单元，以真空室内从基板朝向靶的方向为上，所述磁铁单元配置在靶的上方；所述溅射装置的特征在于：/n磁铁单元具有基板侧的极性不同的多个磁铁，在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线以两端相连状闭合，/n磁铁单元在从靶中心朝向其周边缘部的虚拟线上被分割成多个部分，所述多个部分分别具有多个磁铁，所述磁铁单元还具有：驱动装置，其绕靶中心分别旋转驱动各部分；以及角速度控制装置，其在维持漏磁场的两端相连状的范围内控制各部分的角速度...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180827 JP 2018-1588031.一种溅射装置，其具有：真空室，其中相对配置有待处理基板和靶；等离子体产生装置，其在真空室内产生等离子体；以及磁铁单元，以真空室内从基板朝向靶的方向为上，所述磁铁单元配置在靶的上方；所述溅射装置的特征在于：
磁铁单元具有基板侧的极性不同的多个磁铁，在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为零的位置的线以两端相连状闭合，
磁铁单元在从靶中心朝向其周边缘部的虚拟线上被分割成多个部分，所述多个部分分别具有多个磁铁，所述磁铁单元还具有：驱动装置，其绕靶中心分别旋转驱动各部分；以及角速度控制装置，其在维持漏磁场的两端相连状的范围内控制各部分的角速度。


2.一种成膜方法，其将待处理基板和靶相对配置在真空室内，在真空室内产生等离子体，对靶进行溅射并在基板表面形成薄膜，所述成膜方法的特征在于：
在真空室内以从基板朝向靶的方向为上，在成膜过程中，通过配置在靶的上方的磁铁单元，在位于靶中心和其周边缘部之间的靶的下方空间中局部作用漏磁场，所述漏磁场中通过磁场的垂直分量为...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井佳词，中村真也，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP